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本发明公开了一种吸气薄膜及其制备方法，涉及镀膜领域，旨在解决避免VC腔体真空度降低的问题，其技术方案要点是：将基片进行第一层薄膜沉积，靶材为纯度99.95％的NiV合金靶或纯度99.9％的NiCr合金靶或纯度99.99％的AgNi合金靶；再...
该专利属于基迈克材料科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过基迈克材料科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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