公开了烘箱控制MEMS振荡器装置。根据本发明的一种系统，包括烘箱和烘箱之内的微机械振荡器，该微机械振荡器配置成在预定温度以预定频率进行振荡，其中预定频率是基于温度依赖以及至少一个预定属性的。系统进一步包括：激励机构，其配置成激励微机械振...

一种制造光伏模块的方法包括：提供具有前侧的多个光伏衬底(11)；将所述多个光伏衬底(11)附加到透明载体(20)，其中所述光伏衬底(11)的前侧朝向所述载体(20)；以及背侧处理多个光伏衬底(11)以形成光伏电池(21)，其中背侧处理包...

一种用于成像系统的集成电路，具有光学传感器阵列(40)和光学滤波器阵列(10)，每个光学滤波器被配置为使一波长带传递至一个或多个传感器，光学滤波器阵列与传感器阵列集成，并且该集成电路还具有从传感器阵列读出像素值以表示图像的读出电路(30...

用于将置于热炉中的集成电气组件的温度（Tcomp）稳定在预定义温度（Tset）的方法和系统（1）。集成电气组件的温度通过温度感测装置来感测，该温度感测装置包括：定位成与集成电气组件有良好热接触的第一或第二感测元件（61、62），该第一或...

本发明涉及用于制造有机器件的方法，所述方法包括：(i)提供具有含电接触结构(4)和介电部分(3)的表面的衬底(1)，(ii)在所述电接触结构(4)的一些或全部上提供第一临时保护层(9)，(iii)在该介电部分(3)提供第一表面改性层(6...

本发明涉及流水线的模拟-数字转换器，ADC，用于将模拟输入信号转换为数字信号，包括-多个比较装置，其具有用于与输入信号比较的可调谐阈值；所述给定阈值的至少两个是不同的，以及-多个放大电路，-其中所述多个比较装置被配置为形成等级树结构，所...

一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法，其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料，所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围，第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第一单层，第...

本发明涉及包括第一光伏子模块和堆叠在第一光伏子模块上的第二光伏子模块的多结光伏模块，其中第一光伏子模块包括整体地集成在第一衬底上的多个第一光伏子单元，并且其中第二光伏子模块包括整体地集成在第二衬底上的多个第二光伏子单元；多个第一光伏子单...

一种光生伏打器件，其包括半导体基片，所述基片包括接受辐射的前表面以及后表面，一种导电类型的第一区（２９），以及与前表面相邻的具有相反导电类型的第二区（２０），以及减反射层（２７）。后表面被介电层（３９）覆盖，所述介电层还覆盖所述通孔的内...

本发明涉及一种能在第一耦合方向上与光学元件（３００）在操作上耦合的集成光子器件（１００）。集成光子器件（１００）包括集成光子波导（１２０）和适于将来自波导（１２０）的光衍射到与第一耦合方向不同的第二耦合方向上的光栅耦合器（１３０）。集成...

提供了一种对具有多个不同的预定波长的光进行光学多路复用或多路分配的光学器件，所述光学器件包括形成于基板（１０）之上的至少一个第一波导（１１）和至少一个第二波导（１２），所述至少一个第一波导和所述至少一个第二波导在一相交处相交，并且在该相...

本发明提供一种通过将氮原子结合到包括二氧化硅的介质层中来处理部分转变成含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法。根据本发明，在将氮原子引入二氧化硅的介质层之前，将硅对氧的原子比被选择成大于１／２的二氧化硅提供给该介质层。特别是以这种方式，得到...

提供了一种用于制造具有含气隙的镶嵌结构的半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：提供具有第一金属层（Ｍ１）的基本平面层，沉积通道等级介质层（ＶＬ），将通道等级介质层（ＶＬ）形成图案，至少部分蚀刻通道等级介质层（ＶＬ），在所述至少部分蚀刻的...

一种制造半导体器件的方法包括，提供带有在绝缘层上的单晶半导体层的器件，其特点是，在所述半导体层上设置掩模以提供第一掩蔽部分和第一非掩蔽部分；无定形化所述第一非掩蔽部分以产生所述单晶半导体层的第一无定形化部分；在所述第一无定形化部分中注入...

本发明涉及为半导体器件提供具有在控制电极（３）与第一和第二主电极延伸（４，５）之间的受控重叠的控制电极结构的而不必使用许多隔离物的方法。另外，该方法提供深腐蚀绝缘层（２）的步骤。该步骤是在无定形化和注入主电极延伸（４，５）之后执行的，因...

本发明涉及一种制造具有半导体基体的器件的方法，该半导体基体包括一个具有一个电介质层和一个第一导体的第一半导体结构以及一个具有一个电介质层和第二导体的第二半导体结构组成，第一导体邻接电介质层的部分具有与第二导体相应部分不同的功函数。在本发...

公开了一种用于形成具有薄层结构和具有良好定义的被激活掺杂剂的层的半导体器件的方法。该方法中，当以第一掺杂剂在第一掺杂浓度注入区之后，半导体衬底中的该区被非晶化。接着为了激活仅位于这一薄层中的第一掺杂剂，在所需厚度的非晶化区的薄层上进行固...

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有一个在衬底的一个表面之内和／或之上形成有至少一个连接区的硅区域的半导体结构。该方法包括由第一非硅化物化的金属形成金属聚集层，接下来淀积一个由第二硅化物化的金属组成的金属层。随后的热处理...

在ＳＯＩ晶片上制作至少一个用于双栅ＳＯＩ工艺的标记（ＭＸ）的方法，该至少一个标记具有在第一方向上的衍射结构，该衍射结构的设置用于其在对准和覆叠系统中使用期间产生在所述第一方向探测的不对称的衍射图形；ＳＯＩ晶片包括衬底，衬底上的氧化层和在...

本发明是一种制造半导体器件的方法，其中在诸如半导体材料的材料中产生小尺寸的结构，该方法利用第一和第二图形，第二图形和第一图形完全相同，但互相之间位移一段距离。应用两个掩模层；第一图形通过选择性刻蚀被刻蚀进上掩模层，第二图形产生在上掩模层...