提供了一种具有气隙镶嵌结构的半导体器件的制造方法。该方法所包括的步骤：沉积和图形化易处理层（ＰＲ），在图形化的易处理层（ＰＲ）上沉积第一障碍层（ＢＬ１），沉积金属层（Ｍ１），平整所述金属层（Ｍ１），沉积第二障碍层（ＢＬ２），平整所述第二...

本发明涉及一种制造半导体器件（１０）的方法，该方法在半导体基体（１）设置了第一导电类型的源极（２）和漏极（３）以及第二导电类型的沟道（４），第一导电类型不同于第二导电类型，沟道（４）在源极和漏极之间，第一和第二栅极（５Ａ，５Ｂ）分别采用...

本发明涉及用于在基片（ＳＯＩ）上形成晶体管结构的方法，该基片包含支持硅层（１）、埋入绝缘层（２）和上硅层（３），所述上硅层具有上层厚度并包含高掺杂程度，该晶体管结构包含栅极区（Ｇ１），以及源极和漏极区（５）。该方法进一步包括在上硅层（３...