IMEC公司专利技术

IMEC公司共有43项专利

  • 公开了用于沉积包含锗硫族化物的材料的方法和系统。可将所述材料选择性地沉积到衬底的表面上。沉积工艺可以是循环沉积工艺。可并入有各层的示例性装置包括存储器装置。入有各层的示例性装置包括存储器装置。入有各层的示例性装置包括存储器装置。
  • 本发明涉及半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件。根据本发明,提供一种使用低温热压的将第一半导体衬底(1)接合到第二半导体衬底(2)的方法。该接合方法包括在热压接合步骤前,原位地机械摩擦金属接触结构表面(3),从而平坦化并去除金属接触结...
  • 具有局部背接触的太阳能电池的制造方法
    本发明涉及具有背接触和钝化发射极的太阳能电池(1)的制造方法,该太阳能电池包括至少两层的电介质叠层(10),该至少两层的电介质叠层(10)至少包括与p型硅层(3)接触的AlOx的第一电介质层(11)和沉积在第一电介质层(11)上的第二电...
  • 本发明涉及用于对准微电子组件的方法。根据本发明,第一微电子组件到第二微电子组件的接收表面的对准通过由毛细作用力产生的自对准,结合静电对准,来实现。后者通过沿对应组件的周边提供至少一个第一电导线以及沿第二组件的接收表面上的要放置所述组件的...
  • 提供了一种用于化学清洁和钝化硫属化物层的方法,其中所述方法包括使硫属化物层和含硫化铵的环境例如硫化铵液体溶液或含硫化铵的蒸汽接触。提供了一种用于制造具有硫属化物吸收剂层的光伏电池的方法,所述方法包括:在基片上提供硫属化物半导体层;使硫属...
  • 本发明涉及用于在半导体衬底上产生接触区的方法。本发明涉及一种用于产生适于插入接合的形成在其表面上包括一个或多个金属化层叠层的半导体衬底(1)上的凹接触区的方法。使用抗蚀剂层作为掩膜通过等离子体蚀刻在介电层上蚀刻出开口。抗蚀剂材料和等离子...
  • 本申请涉及混合波导激光器和用于制造混合波导激光器的方法。提供了亚微米III-V波导激光器,该激光器包括:宽度范围在50nm和800nm之间且高度范围在500nm和1200nm之间的沟道波导;邻近该波导横向各侧的横向包层;以及用于把光限制...
  • 用于测量电容性元件之间的电容差的方法和系统
    用于测量电容差的方法和系统。第一和第二电容性元件连接在用于接收第一和第二DC电压的电压接收节点与可经由第一或第二开关连接到第三DC电压的节点之间。在第一阶段,施加电压差以对电容性元件充电,并且这些开关交替地闭合。第一所得电流被测量出。在...
  • 分析和分选流入对象
    描述了一种用于分选浸入流动介质中的对象的设备(1)。所述设备包括具有多个全息成像元件(2)的全息成像单元;流体处理单元,所述流体处理单元包括用于沿对应全息成像元件(2)传导流动介质的多个微流体通道(3),并且包括被安排在微流体通道中的成...
  • 用于互连测试的转变延迟检测器
    本发明公开了用于互连测试的转变延迟检测器。根据本发明的一种用于测试在包括通过至少第一管芯间互连(互连1)彼此电连接的至少第一管芯(管芯1)和第二管芯(管芯2)的结构中的管芯间互连中的延迟转变延迟缺陷的测试电路(30):包括:输入端口,用...
  • 用于基板的自组装的方法和依此获得的设备
    本申请公开了用于基板的自组装的方法和依此获得的设备。公开了一种在基板上定义具有不同表面液体张力属性的区域的方法,所述方法包括:提供基板,该基板带有具有第一表面液体张力属性的主表面,该主表面至少部分地覆盖有籽晶层,且还包括形成于所述籽晶层...
  • 提供了一种用于对所接收到的码元块(10)进行频域均衡的电路,所接收到的块包括具有已知码元的头部以及主体。所述电路包括:-滤波部件(1),被设置用于基于估计的信道频域响应对所接收到的块的频域表示进行均衡,并且被设置用于将均衡后的所接收到的...
  • 本文涉及一种用于无线电设备的前端系统,这种前端系统包括低噪声放大器(LNA)以及混频器(MIX),该低噪声放大器被用来接收射频输入信号(RFIN)并输出放大后的射频信号(RFOUT),其中,低噪音放大器包含第一差分放大器,该混频器通过将...
  • 提供一种基于光学测量确定半导体衬底的有效掺杂物浓度分布的方法(100)。该有效掺杂物浓度分布包括浓度水平和结深度。该方法包括:基于光调制反射(PMOR)测量获得(120)半导体衬底的光调制反射(PMOR)振幅偏移曲线和光调制反射(PMO...
  • 光刻中的照明光源形状定义
    本发明涉及光刻中的照明光源形状定义,描述了用于确定光刻处理的光刻处理条件的方法和系统。在获得输入之后,在允许非矩形子分辨率辅助特征的条件下对于照明光源和掩模设计进行第一优化。此后,在一个或多个进一步优化中优化掩模设计,对于该一个或多个进...
  • 用于微反应器的绝热的方法及设备
    本发明涉及用于微反应器绝热的方法及设备。本发明提供了一种微流控设备(104),包括:-半导体衬底;-在所述半导体衬底中的至少一个微反应器(105);-在所述半导体衬底中连接至所述至少一个微反应器(105)的一个或多个微流控通道(101)...
  • 描述了用于光学地确定基本完全激活的掺杂分布图的方法(200)和系统。用一组物理参数来表征该基本完全激活的掺杂分布图。该方法(200)包括获得包含完全激活的掺杂分布图的样本和参照物、以及对于包含完全激活的掺杂分布图的该样本和对于该参照物,...
  • 本发明涉及模拟数字(A/D)转换器电路,其被设置为用于接收模拟输入信号并用于输出所述模拟输入信号的数字表示,包括:第一转换器级,其被设置为用于接收模拟输入信号并用于产生第一组转换位、第一完成信号、和表示模拟输入信号和由第一组转换位所代表...
  • 用于结晶半导体衬底(10)的单侧纹理化的方法,该方法包括:提供衬底(10),例如半导体衬底,其包括相对于衬底(10)而言彼此相对的第一表面(12)和第二表面(14);在衬底(10)的第一表面(12)上提供具有随机图案的掩模层(21);且...
  • 本发明涉及用于自适应反馈均衡的电路(1),该电路包括:安排成用于频域滤波的前馈滤波部分(2)和反馈滤波部分(7);用于对均衡码元块进行限幅由此输出限幅码元块的限幅器(4);用于对前馈滤波部分和反馈滤波部分的输出求和、由此产生所述均衡码元...