混合波导激光器和用于制造混合波导激光器的方法技术

本申请涉及混合波导激光器和用于制造混合波导激光器的方法。提供了亚微米III-V波导激光器，该激光器包括：宽度范围在50nm和800nm之间且高度范围在500nm和1200nm之间的沟道波导；邻近该波导横向各侧的横向包层；以及用于把光限制在波导内的光限制元件。该波导可包括III-V叠层，其包括：下包层、有源区和上包层。激光器可光耦合至输出波导。它可被电泵浦。提供了用于把亚微米III-V波导激光器集成在硅光子平台上的方法，该方法包括：在硅衬底上提供电绝缘层，通过该电绝缘层来蚀刻宽度范围在50nm和800nm之间的沟槽，通过局部外延生长在沟槽内提供III-V叠层以形成沟道波导，并提供光限制元件以便把光限制在沟道波导内。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请涉及。提供了亚微米III-V波导激光器，该激光器包括：宽度范围在50nm和800nm之间且高度范围在500nm和1200nm之间的沟道波导；邻近该波导横向各侧的横向包层；以及用于把光限制在波导内的光限制元件。该波导可包括III-V叠层，其包括：下包层、有源区和上包层。激光器可光耦合至输出波导。它可被电泵浦。提供了用于把亚微米III-V波导激光器集成在硅光子平台上的方法，该方法包括：在硅衬底上提供电绝缘层，通过该电绝缘层来蚀刻宽度范围在50nm和800nm之间的沟槽，通过局部外延生长在沟槽内提供III-V叠层以形成沟道波导，并提供光限制元件以便把光限制在沟道波导内。【专利说明】
所公开的技术涉及混合波导激光器(例如，亚微米混合波导激光器)以及用于把此类波导激光器集成在硅光子平台上的方法。
技术介绍
受到来自光I/O、电信、光计算以及其他应用的需求的驱驶，在硅上集成II1-V器件的领域内正在开展大量研究。已经提出各种选项用于在基于硅的光子学平台上集成电泵浦激光器和光学放大器。 单独的激光器管芯可以是安装到硅光子晶片的倒装芯片或可使用外延剥离过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种亚微米III‑V波导激光器，包括：宽度范围在50nm和800nm之间且高度范围在500nm和1200nm之间的沟道波导(100、200)，所述沟道波导(100,200)具有第一横向侧和第二横向侧；邻近所述沟道波导的所述第一横向侧和所述第二横向侧的横向包层(2)；以及用于把光限制在所述沟道波导内的光限制元件。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·范托尔豪特，Z·王，J·范卡姆潘豪特，M·潘图瓦基，
申请(专利权)人：IMEC公司，根特大学，
类型：发明
国别省市：比利时;BE