本发明提供一种黄色荧光碳量子点，制备方法及其应用，其含有C，N，O，三种元素，表面含有羟基、氨基及C＝C官能团，粒径为1‑5nm之间、晶面间距为0.40nm。合成步骤如下：(1)称取木质素(脱碱)和邻苯二胺，溶于乙醇中，通过超声分散使这...

本发明提供一种碳量子点基反蛋白石结构凝胶薄膜的制备方法及应用，其可以灵敏精确检测溶剂，合成方法包括以下步骤：(1)室温混合质量比1∶2木质素磺酸钠和对苯二胺于10毫升乙醇中，200℃水热反应9h后，改性处理后离心获得改性碳点原液；(2)...

本实用新型公开了一种多功能蚊帐，包括蚊帐，所述蚊帐顶端等距设有圆环，所述蚊帐底端设有若干钢筋条，所述蚊帐包括第一蚊套和第二蚊套，且第一蚊套与第二蚊套之间设有两个磁铁条，所述圆环内侧套设有第一支杆和两个第二支杆，所述第一支杆包括第四支杆和...

本发明提出了一种CsPbBr

本发明提供一种用于全固态超级电容器的氧化还原型凝胶电解质的制备方法，包括：用自由基聚合法合成聚合物P(PDP‑co‑TEMPO)(([3‑(甲基丙烯酰氨基)丙基]二甲基(3‑硫代丙基)氢氧化铵内盐)‑2‑甲基‑2‑丙烯酸‑2,2,6,6...

本发明提供一种基于中空氧化锌纳米结构的多功能超滑表面的制备方法。首先在锌基底上构筑氧化锌纳米管状中空结构，再采用低表面能物质进行修饰，最后灌注全氟聚醚润滑油，制备出具有疏液性质的超滑表面。该超滑锌片具有优异的疏液性能，水滴以及各种有机物...

本发明属于基因工程技术领域，公开了一种利用毕赤酵母分泌表达精氨酸脱亚胺酶及构建方法，将优化的精氨酸脱亚胺酶基因融合在酵母表达载体BDM上，构建单拷贝表达载体；利用限制性内切酶EcoRⅠ、SPeⅠ、BamHⅠ、XbaⅠ四个酶进行酶切，根据...

本发明公开了一种无机CsPb

本发明公开了一种安全种植与秸秆去除修复同步化的种植方法，属于镉污染水稻土的种植与修复领域。本发明将镉污染水稻土施加钙多肽调控水稻植株不产生黄叶、全部为青绿色（现有方法均不能实现），进行超密种植水稻，并使水稻根系也达到高密度，使每个水稻植...

本发明提供了合金半导体薄膜及制备方法和应用，该合金半导体薄膜的化学式为Hf

本发明涉及基因工程和微生物代谢工程领域，公开了适用于地衣芽胞杆菌的启动子及其在高效表达目的产物中的应用，本发明人工设计了四种适用于地衣芽胞杆菌的启动子（R1‑R4）。接着，以绿色荧光蛋白GFP、角蛋白酶KER为目的蛋白，与启动子P43相...

本发明提供一种红色荧光碳量子点，制备方法及其应用，其含有C，N，O，三种元素，表面含有羟基、氨基及C＝C官能团，粒径为1‑5nm之间、晶面间距为0.21nm。合成步骤如下：(1)称取木质素(脱碱)和对苯二胺，溶于乙醇中，通过超声分散使这...

本发明公开了一种耐热水的尼龙复合材料及其制备方法、成型制件，所述耐热水的尼龙复合材料的原料包括耐高温尼龙料以及待改性尼龙料，所述待改性尼龙料包括新尼龙料、废旧尼龙料中的至少一种；所述制备方法为：将耐高温尼龙料以及待改性尼龙料搅拌混匀得到...

本发明公开了一种用作锂电池粘结剂的硅烷改性氟代乙酯类聚合物的制备方法，其包括以下步骤：1)将全氟代乙烯酯类化合物、硅烷化合物、80％‑90％的溶剂加入容器中搅拌，升温至60‑80℃，将引发剂溶解于剩余溶剂后滴加到反应液中，滴加完毕，保温...

本实用新型公开了一种手指甲清理装置,外壳，所述外壳一侧内壁固定连接有马达，且所述外壳内壁在马达的一侧处开设有电池槽，所述马达输出轴固定连接有转杆，所述转杆顶端套设有第一齿轮，所述外壳顶端和底端内壁靠近马达的一侧处固定连接有隔板，所述隔板...

本发明公开基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法，所述方法是先在芯片衬底下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽；再采用芯片内部基于衬底‑氧化层‑金属层电容耦合脉冲失配检测的衬底耦合容性PUF实时检测芯片下方金属层的完整性；衬...

本发明涉及信息技术领域，具体涉及一种基于路径规划策略的时空众包任务分配方法和装置。该方法包括：构建每一个众包工人对应的任务候选集；剔除任务候选集中时效冲突的任务，第一次更新任务候选集；剔除任务候选集中单位时间收益小于第一阈值的任务，第二...

本发明涉及一种基于支持向量机的数据分类器集成方法、装置及存储介质，方法包括：获取训练集；根据已知的初始时刻的初始模型，循环迭代模型生成步骤标定步数，获得多个模型和各个模型的权重；其中，所述模型生成步骤包括：根据已知的前一时刻的模型在所述...

本发明公开了一种基于图神经网络的软件系统中关键类识别的方法，包括：(1)利用开源工具解析软件源代码文件，提取类之间的各种关联关系，并根据这些关系构建类之间的加权软件网络模型；(2)利用网络嵌入方法，对加权软件网络中的节点进行学习，得到节...

本发明属于光电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种超宽禁带p型透明导电SnO