一种超宽禁带p型SnO制造技术

本发明专利技术属于光电子薄膜材料技术领域，具体涉及一种超宽禁带p型透明导电SnO

【技术实现步骤摘要】
一种超宽禁带p型SnO2薄膜及其制备方法
本专利技术属于光电子薄膜材料
，具体涉及一种具有超宽禁带、高载流子浓度、高可见光透过率等优异光电性能的p型透明导电二氧化锡薄膜及其制备方法。
技术介绍
目前，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料(禁带宽带大于3.0eV)被称为第三代半导体材料。和第一代，第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽带、优异的热稳定、高的击穿电场、高的可见光透过率以及低成本等优势，是制作晶体管、集成电路、光电子器件的重要原材料，被认为是促进高新技术快速发展和信息社会的基础。二氧化锡(SnO2)是最重要的第三代半导体材料之一，具有较宽的禁带宽度(3.6–4.0eV)，良好的导电性和可见光透过率，在平板显示器、太阳能电池和光电探测器等现代技术中有广泛的应用。但是SnO2由于存在氧空位和间隙Sn4+等浅施主缺陷导致非故意掺杂SnO2均为n型导电，高质量的p型二氧化锡薄膜稀缺。且SnO2的光学带隙仅为3.6eV，难以满足制作高速、高频、大功率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽禁带p型SnO

【技术特征摘要】
1.一种超宽禁带p型SnO2薄膜，其特征在于：所述SnO2薄膜是以c面蓝宝石作为衬底，在所述衬底上生长ZnO与ZrO2掺杂的SnO2(Zn-ZrSnO2)薄膜。


2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于：ZnO与SnO2的摩尔比小于等于2：5；ZrO2与SnO2的摩尔比小于等于2：3。


3.一种超宽禁带p型透明导电SnO2薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
步骤(1)：以c面蓝宝石作为ZnO与ZrO2掺杂的SnO2薄膜生长的衬底，对c面蓝宝石衬底进行清洗和干燥处理；
步骤(2)：采用脉冲激光烧蚀沉积、磁控溅射或电子束蒸发方法在所述步骤(1)预处理后的c面蓝宝石衬底表面生长ZnO与ZrO2掺杂的SnO2薄膜；
步骤(3)：在高纯氧气氛下对步骤(2)制备的薄膜样品进行退火处理。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，利用ZnO与ZrO2掺杂的SnO2陶瓷片作为靶材，控制衬底温度为700℃，脉冲激光能量为210mJ/Pulse，氧压为2Pa，在所述步骤(1)预处理后的c面蓝宝石衬底表面沉积形成所述ZnO与ZrO2掺杂的SnO2薄膜。


5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：在所述步骤(2)中采用的ZnO与ZrO2掺杂的SnO2陶瓷靶材是采用固相烧结法制得，具体方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：何云斌，黎明锴，付旺，叶盼，肖兴林，魏浩然，尹魏玲，卢寅梅，常钢，
申请(专利权)人：湖北大学，武汉睿联智创光电有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42