一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统技术方案

技术编号:25568593 阅读:191 留言:0更新日期:2020-09-08 19:57
本实用新型专利技术适用于材料制造技术领域,提供了一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统,包括:腔体,其顶部设置有基片台;脉冲激光沉积系统,其包括设置于腔体底部的靶材切换装置以及设置于所述靶材切换装置上的PLD靶材挡板,所述PLD靶材挡板设置有一开孔,所述靶材切换装置可将其上靶材切换至所述开孔位置;磁控溅射系统,其包括设置于腔体内用于控制磁控溅射靶材对准所述基片台的靶材对准装置、用于升降靶材控制装置的升降装置,以及由磁屏蔽材料制作的磁控挡板用以遮蔽所述磁控溅射靶材。本实用新型专利技术实现了一个复合系统中同时具有脉冲激光沉积系统和磁控溅射系统,从而降低了装置的制造成本。

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统
本技术属于材料制造
,尤其涉及一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统。
技术介绍
脉冲激光沉积系统利用聚焦的激光束轰击在靶材表面,溅射出气化的物质冷却后吸附沉积在基片表面形成薄膜材料。脉冲激光沉积能够沉积成分比较复杂的薄膜,沉积的薄膜成分保持不变。磁控溅射是利用氩离子在电场的作用下加速轰击靶材,溅射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子(或分子)沉积在基片上形成薄膜材料。由于二者的成膜原理不同,使用材料也不同,因此两种成膜方式需要设计两种不同的装置进行,这样造成装置成本的提高。
技术实现思路
本技术提供一种激光保护装置,旨在解决如何提供一种成本低且同时具有脉冲激光沉积系统和磁控溅射系统的复合系统的问题。本技术是这样实现的,提供了一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统,包括:腔体,其顶部设置有基片台;脉冲激光沉积系统,其包括设置于腔体底部的靶材切换装置以及设置于所述靶材切换装置上的PLD靶材挡板,所述PLD靶材挡板设置有一开孔,所述靶材切换装置可将其上靶材切换至所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统,其特征在于,包括:/n腔体,其顶部设置有基片台;/n脉冲激光沉积系统,其包括设置于腔体底部的靶材切换装置以及设置于所述靶材切换装置上的PLD靶材挡板,所述PLD靶材挡板设置有一开孔,所述靶材切换装置可将其上靶材切换至所述开孔位置;/n磁控溅射系统,其包括设置于腔体内用于控制磁控溅射靶材对准所述基片台的靶材对准装置、用于升降靶材控制装置的升降装置,以及由磁屏蔽材料制作的磁控挡板用以遮蔽所述磁控溅射靶材;/n所述升降装置可将所述靶材对准装置进行下降以使所述磁控挡板将所述靶材对准装置上的靶材进行遮蔽。/n

【技术特征摘要】
1.一种脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统,其特征在于,包括:
腔体,其顶部设置有基片台;
脉冲激光沉积系统,其包括设置于腔体底部的靶材切换装置以及设置于所述靶材切换装置上的PLD靶材挡板,所述PLD靶材挡板设置有一开孔,所述靶材切换装置可将其上靶材切换至所述开孔位置;
磁控溅射系统,其包括设置于腔体内用于控制磁控溅射靶材对准所述基片台的靶材对准装置、用于升降靶材控制装置的升降装置,以及由磁屏蔽材料制作的磁控挡板用以遮蔽所述磁控溅射靶材;
所述升降装置可将所述靶材对准装置进行下降以使所述磁控挡板将所述靶材对准装置上的靶材进行遮蔽。


2.如权利要求1所述的脉冲激光沉积和磁控溅射复合系统,其特征在于,所述靶材对准装置包括:磁控靶材托、支架以及驱动装置,所述磁控靶材托铰接在所述支架的顶端,所述驱动装置与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓军陈志强朱新华胡凯姜鹭方安安
申请(专利权)人:深圳市矩阵多元科技有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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