一种氧化镍薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及二维磁性材料制备技术领域，公开一种氧化镍薄膜及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：将氯化镍水合物前驱体置于管式炉的加热区；将衬底悬置于所述前驱体上方；将所述管式炉内温度在15‑25min内升温至生长温度，并保温3‑10min，再进行冷却处理，得到所述氧化镍薄膜；其中，所述生长温度为620‑670℃。本发明专利技术采用化学气相沉积法制备氧化镍薄膜，方法简单、环境友好，得到的氧化镍纳米片具有明确的<111>择优取向，解决了传统氧化镍薄膜制备中存在的多晶性、高缺陷率及磁性退化等技术瓶颈问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二维磁性材料制备，尤其涉及一种氧化镍薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、氧化镍(nio)作为一种典型的ⅱ类反铁磁材料，因其高的尼尔温度、良好的热稳定性、电绝缘性以及较强的自旋轨道耦合等优势在自旋电子学领域具有广阔的应用前景。传统方法中，nio薄膜通常通过多步化学沉积或磁控溅射、分子束外延等物理气相沉积方法在多晶或异质衬底上制备，但所制nio薄膜存在晶粒取向不一致、界面粗糙及磁性退化等问题，难以满足高性能磁性器件的需求。

2、因此，现有技术还有待于改进与发展。

技术实现思路

1、鉴于上述现有技术的不足，本专利技术提供了一种氧化镍薄膜及其制备方法，以此来解决采用现有方法制得的氧化镍薄膜存在晶粒取向不一致的问题。

2、本专利技术为解决上述技术问题所采用的技术方案如下：

3、本专利技术的第一方面，提供一种氧化镍薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：

4、将氯化镍水合物前驱体置于管式炉的加热区；

5、将衬底悬置于所述前驱体上方；

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【技术保护点】

1.一种氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为氟晶云母衬底。

3.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，当所述生长温度为620-635℃时，氧化镍为氧化镍纳米片。

4.根据权利要求3所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化镍纳米片具有<111>晶面择优取向。

5.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，当所述生长温度为635-670℃时，先生长得到氧化镍纳米片，然后在氧化镍纳米片表面继续生长同质结构，...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为氟晶云母衬底。

3.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，当所述生长温度为620-635℃时，氧化镍为氧化镍纳米片。

4.根据权利要求3所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧化镍纳米片具有<111>晶面择优取向。

5.根据权利要求1所述的氧化镍薄膜的制备方法，其特征在于，当所述生长温度为635-670℃时，先生长得到氧化镍纳米片，然后在氧化镍纳米片表面继续生长同质结构，得到氧化镍纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喜娜，王英，彭小牛，袁慧，凡新刚，杨介林，田栋文，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：