根据本发明实施方式的一种晶锭生长设备包括：生长炉，生长炉具有主坩埚，主坩埚设置在生长炉内并且熔融硅容纳于其中以生长晶锭；预熔化部，预熔化部具有预坩埚，预坩埚供给有固体硅材料，用于熔化固体硅材料，并将熔融硅供给到主坩埚；温度检测传感器，温...

根据本发明的实施方式的晶锭生长装置包括：生长炉，其中布置有容纳用于生长晶锭的熔融硅的主坩埚；初步熔融部，其接收并熔融固体硅材料和掺杂剂，并且具有将熔融硅供应到主坩埚的初步坩埚；转移部，其将固体硅材料和掺杂剂转移到初步坩埚；硅供应部，其将...

本发明公开了一种锭生长装置的高温内窥镜，具有提高用于防止杂质沉积的惰性气体的流速的结构，进而防止杂质沉积。本发明的一实施例的锭生长装置的防止杂质沉积的高温内窥镜可包括：框架，延伸至锭生长装置的腔室内部，并且在端部具有排放惰性气体的排气口...

本发明涉及一种电子传输层(或电子传递层)形成用涂层剂，即，涉及提供制成分散有表面改性的金属氧化物纳米粒子的分散液形式的涂层剂且利用其形成电子传输层的倒置结构钙钛矿。矿。矿。

公开一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，该方法通过测定预备坩埚中熔融硅的高度来在预备坩埚中保持一定量的熔融硅。本发明的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方...

本发明涉及一种热固性粘合膜及包括其的覆盖膜，更具体而言，涉及一种具有优异的抗离子迁移性、低介电常数及优异剥离强度的热固性粘合膜及包括其的覆盖膜。粘合膜及包括其的覆盖膜。粘合膜及包括其的覆盖膜。

本发明涉及一种制造钙钛矿太阳能电池的方法及由所述方法制造的钙钛矿太阳能电池，更具体地，涉及一种制造钙钛矿太阳能电池的方法及由所述方法制造的钙钛矿太阳能电池，所述方法包括以下步骤：(S1)在依次层叠基底层、第一电极层和含有金属氧化物的空穴...

本实用新型公开锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的外侧面的方式形成，通过...

本实用新型公开锭生长装置。本实用新型实施例的锭生长装置包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，包括互相电绝缘的多个发热部件；以及加热器，用于产生磁场，借助因磁场而产生的电磁感应来对上述多个...

本实用新型涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此，本实用新型一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供...

本发明公开节能型锭生长装置。本发明的节能型锭生长装置包括：腔室，在内部设置有坩埚，为了使得硅熔融而通过热源来对上述坩埚进行加热；侧面绝热材料，以对上述坩埚的侧面进行绝热的方式设置于上述腔室的内侧；以及观察部，以能够观察上述坩埚的内部的方...

本发明公开硅锭连续生长器的吸排气装置。本发明的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔...

本发明公开锭生长装置。在本发明一实施方式的锭生长装置中，锭生长装置包括：生长炉，用于使锭生长；以及主坩埚，收容于上述生长炉，收容熔融硅，本发明的锭生长装置中的上述主坩埚可包括：主坩埚底部；主坩埚侧面部，从上述主坩埚底部朝向上侧延伸而成；...

本发明公开锭生长装置。本发明一实施方式的包括加热器的锭生长装置可包括：坩埚，用于收容熔融硅；生长炉，具备用于设置上述坩埚的内部空间；基座，以包围上述坩埚的外侧面的方式形成与上述坩埚的外侧面相对应的形状；以及加热器，用于对上述基座进行加热...

本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，包括互相电绝缘的多个发热部件；以及加热器，用于产生磁场，借助因磁场而产生的电磁感应来对上述多个发热部件...

本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，用于对上述主坩埚进行加热；加热器，设置有线圈，上述线圈以包围上述基座的外侧面的方式形成，通过接收电源...

本发明涉及锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面...

本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及通过使得向预备坩埚供给的固态硅材料熔融来向主坩埚进行供给并可在以不会供给漂浮在熔融状态的硅的上部的浮游物的方式进行阻断的同时调节熔融状态的硅的供给量的连续型锭生长装置。锭生长装置。锭生长装置。

本发明公开锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅并通过沿着顺时针方向或逆时针方向进行旋转来使上述熔融硅沿着顺时针方向或逆时针方向旋转的主坩埚；基座，以包围上述主坩埚的外侧面的方式形成，沿着...

本发明涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此，本发明一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用...