锭生长装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及锭生长装置。本发明专利技术实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及控制部，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。坩埚的熔融硅的供给进行控制。坩埚的熔融硅的供给进行控制。

【技术实现步骤摘要】
锭生长装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及锭生长装置及其控制方法。

技术介绍

[0002]单晶硅为大多数半导体部件的基础材料，这些物质将被制造成具有高纯度的单晶体，这种制造方法中的一种就是丘克拉斯基法(Czochralski)。
[0003]在这种丘克拉斯基结晶法中，在将固态硅材料放入腔室内的坩埚后，利用加热体对基座进行加热来使硅熔融。而且，在单晶晶种(single crystal seed)与这种熔融硅相接触的状态下，在旋转的同时通过金属线向上侧提拉，经过使得锭的直径增加到目标直径的冠帽(Crown)工序来使具有规定直径的锭(ingot)生长。
[0004]在作为这种丘克拉斯基法之一的连续生长型丘克拉斯基法(CCz：Continuous Czochralski)中，通过向坩埚的内部持续注入固态的多晶硅或熔融硅来对所消耗的熔融硅进行补充并使锭持续生长。
[0005]但是，若以相比于因锭的生长而消耗的熔融硅的量少或多的方式向坩埚进行补充，则会导致熔融硅的表面的高度变低或变高，将造成锭无法再生长。
[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锭生长装置，其特征在于，包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及控制部，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。2.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，在上述主坩埚的上侧设置用于阻断对上述锭形成的导热的反射板，上述测定部通过测定上述主坩埚的熔融硅的表面和上述反射板的下端，来根据上述主坩埚的熔融硅的表面与上述反射板的下端之间的间隔变化，测定上述熔融硅的表面高度变化。3.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述控制部基于上述锭的直径、上述锭的提拉速度以及上述主坩埚的直径来计算上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化。4.根据权利要求3所述的锭生长装置，其特征在于，若所测定的上述熔融硅的表面高度变化大于所计算的上述熔融硅的表面高度变化，则上述控制部将使得向上述主坩埚供给的上述预备坩埚的熔融硅增加，增加量达到所测定的上述熔融硅的表面高度变化与所计算的上述熔融硅的表面高度变化之差。5.根据权利要求3所述的锭生长装置，其特征在于，若所测定的上述熔融硅的表面高度变化小于所计算的上述熔融硅的表面高度变化，则上述控制部将使得向上述主坩埚供给的上述预备坩埚的熔融硅减少，减少量达到所测定的上述熔融硅的表面高度变化与所计算的上述熔融硅的表面高度变化之差。6.根据权利要求2所述的锭生长装置，其特征在于，若上述熔融硅的表面与上述反射板的下端相接触，则上述控制部将以停止向上述主坩埚供给上述预备坩埚的熔融硅的方式进行控制。7.根据权利要求3所述的锭生长装置，其特征在于，还包括用于对上述锭的单位时间重量变化进行测定的重量测定部，上述控制部基于上述锭的直径以及上述锭的提拉速度来计算上述锭的单位时间重量变化，若所测定的上述锭的单位时间重量变化大于所计算的上述锭的单位时间重量变化，则上述控制部使得向上述主坩埚供给的上述预备坩埚的熔融硅增加，增加量达到所测定的上述锭的单位时间重量变化与所计算的上述锭的单位时间重量变化之差。8.一种锭生长装置的控制方法，用于向使锭生长的主坩埚供给预备坩埚的熔融硅，其特征在于，包括：表面高度变化测定步骤，对上述主坩埚的熔融硅的表面高度变化进行测定；以及熔融硅供给控制步骤，基于所测定的上述熔融硅的表面高度变化，对向上述主坩埚进行的上述预备坩埚的熔融硅的供给进行控制。9.根据权利要求8所述的锭生长装置的控制方法，其特征在于，在上述表面高度变化测定步骤中，通过测定上述主坩埚的熔融硅的表面和在上述主坩埚的上侧所设置的反射板的
下端，来根据上述主坩埚的熔融硅的表面与上述反射板的下端之间的距离变化，测定上述熔融硅的表面高度...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇成，李京锡，李英俊，金漌镐，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：