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本发明涉及锭生长装置。本发明实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；预备坩埚，通过接收固态硅材料来使其熔融，向上述主坩埚供给熔融硅；测定部，以贯通上述生长炉的方式设置，用于对上述主坩埚的熔融硅的表面高度...
该专利属于韩华思路信所有，仅供学习研究参考，未经过韩华思路信授权不得商用。

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