公开一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，该方法通过测定预备坩埚中熔融硅的高度来在预备坩埚中保持一定量的熔融硅。本发明专利技术的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方法，其可包括：管理范围设定步骤，设定上述预备坩埚中上述熔融硅的适当管理范围；高度测定步骤，为了确认上述熔融硅是否在上述熔融硅的适当管理范围内，测定装在上述预备坩埚中上述熔融硅的高度；供给量确定步骤，根据上述高度测定步骤中测定的高度确定要供给到上述预备坩埚的固态硅的供给量；及固态硅供给步骤，将根据上述供给量确定步骤确定的预定供给量的固态硅供给至上述预备坩埚。硅供给至上述预备坩埚。硅供给至上述预备坩埚。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法
[0001]本专利技术涉及一种控制向预备坩埚供给固态硅的方法，该方法通过测定预备坩埚中的熔融硅的高度来在预备坩埚中保持一定量的熔融硅。
技术介绍
[0002]通常，公开了一种通过测定主坩埚的重量来调节投入到预备熔炉中的多晶硅的量的系统。
[0003]也就是说，根据现有技术，公开了韩国授权专利第1279709号。现有技术是一种通过测定主坩埚重量来调节熔融硅投入量的系统，其公开了如下的装置，即，在连续测定主坩埚重量的同时，随着装有熔融硅的主坩埚重量的减少，调节投入到预备熔炉中的多晶硅的量，以保持一定熔融水平的装置。
[0004]然而，现有技术存在的问题在于，当由于预备熔炉的任何问题导致熔融硅溢出时，没有事先检测到溢出问题，因此可能发生熔融硅外流。
[0005]此外，现有技术存在的问题在于，当用于向预备熔炉投入一定量的控制功能发生问题时没有可应对的方法，因此不能再继续进行工艺。
[0006]另外，在现有技术中，必须连续测定旋转的主坩埚的总重量，且在测定重量的过程中由于移动会产生大量噪音，且相对于所测定的总重量，要控制的熔融硅的重量太小，因此在精确控制方面存在问题。
技术实现思路
[0007]技术问题
[0008]根据本专利技术，通过测定预备坩埚中的熔融硅的高度并以此为基础控制提供给预备坩埚的固态硅的量，从而能够在预备坩埚中保持一定量的熔融硅的一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法。
[0009]解决问题的方案
[0010]根据本专利技术的一个方面的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方法，其可以包括：管理范围设定步骤，设定上述预备坩埚中的上述熔融硅的适当管理范围；高度测定步骤，为了确认上述熔融硅是否在上述熔融硅的适当管理范围内，测定装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度；供给量确定步骤，根据上述高度测定步骤中测定的高度确定要供给到上述预备坩埚的固态硅的供给量；及固态硅供给步骤，将根据上述供给量确定步骤确定的预定供给量的固态硅供给至上述预备坩埚。
[0011]此时，上述管理范围设定步骤可以包括如下步骤：在上述预备坩埚的上部面上形成至少一条假想线；在上述预备坩埚的上部面上形成与限定上述熔融硅的适当管理范围的上述熔融硅的上限线、下限线及高于上述上限线的最大上限线的高度对应的多条液面线；将上述至少一条假想线和上述多条液面线中上限线、下限线及最大上限线相交的点设定为
上述适当管理范围的上限点、下限点及最大上限点。
[0012]此时，当从上述熔融硅的供给方向看时，上述假想线可以平行于上述预备坩埚的一侧壁表面。
[0013]此时，上述假想线有至少两条，上述至少两条假想线可以在上述熔融硅的供给方向上以预定间隔彼此间隔开。
[0014]此时，在上述高度测定步骤中，在以上述预备坩埚中能够最大限度地容纳上述熔融硅的方式定位的状态下，可以测定装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度。
[0015]此时，在上述高度测定步骤中，可以通过确认装在上述预备坩埚中的熔融硅是否达到上述上限点、下限点及最大上限点来测定上述熔融硅的高度。
[0016]此时，上述供给量确定步骤可以包括当装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度低于上述熔融硅的适当管理范围的上限线且高于或等于上述管理范围的下限线时，向预备坩埚供给预先设定的标准重量的固态硅的步骤。
[0017]此时，上述供给量确定步骤可以包括当装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度低于在上述熔融硅的适当管理范围设定的高度中比上限线高的最大上限线且高于或等于上述适当管理范围的上限线时，向预备坩埚供给比预先设定的标准重量小的重量的固态硅的步骤。
[0018]此时，上述供给量确定步骤可以包括当装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度低于在上述熔融硅的适当管理范围设定的高度中下限线时，向预备坩埚供给比预先设定的标准重量大的重量的固态硅的步骤。
[0019]此时，上述供给量确定步骤可以包括当装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度高于或等于在上述熔融硅的适当管理范围设定的高度中比上限线高的最大上限线时，停止供给上述固态硅的步骤。
[0020]此时，上述管理范围设定步骤可以包括如下步骤：将在上述预备坩埚的上部面上不发生根据温度的变形的一个位置设定为坐标基准点；在上述预备坩埚的上部面上形成与限定上述熔融硅的适当管理范围的上限线、下限线及高于上述上限线的最大上限线的高度对应的多条液面线；在上述多条液面线上设定多个测定地点；设定相对于上述坐标基准点的多个测定地点的相对坐标。
[0021]此时，在上述高度测定步骤中，在上述相对坐标上的上述多个测定地点中预定个数以上的地点确认到熔融硅时，可以判断上述熔融硅达到预定液面线高度。
[0022]专利技术效果
[0023]根据上述构成，根据本专利技术的用于控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法可以始终保持投入到主坩埚的熔融硅的量恒定，从而投入到主坩埚的熔融硅的温度也可以保持恒定。因此，始终将一定量的熔融硅投入到主坩埚，因此主坩埚中的温度总是在一定范围内变化，以提高收率。
[0024]根据本专利技术，当定量控制装置出现问题时，可以用作向主坩埚投入一定量的预备定量控制装置。因此，当定量控制装置发生异常时，可以继续进行工艺，而无需关闭(Shut Down)整个系统。
[0025]根据本专利技术，可以防止由于预备坩埚中的熔融硅溢出而损坏相关装置和仪器的危险情况，也可以防止由此造成的成本损失。
附图说明
[0026]图1为根据本专利技术的一实施例的用于控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的锭生长装置的内部结构图。
[0027]图2为作为根据本专利技术的一实施例的用于控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的锭生长装置的部分结构要素的预备坩埚的平面图。
[0028]图3为图2中示出的熔融硅液面线和假想直线部分的放大示意图。
[0029]图4为作为根据本专利技术的一实施例的用于控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的锭生长装置的部分结构要素的预备坩埚的截面图。
[0030]图5为根据本专利技术的一实施例的用于控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法的流程图。
[0031]图6为图5中示出的供给量确定步骤的流程图。
[0032]图7为根据本专利技术的一实施例的用于控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法中应用的用于提供固态硅的结构要素的框图。
[0033]图8为示出根据本专利技术的另一实施例的锭生长装置的预备坩埚的平面图。
[0034]图9为图8中示出的熔融硅液面线和假想直线部分的放大示意图。
具体实施方式
[0035]对在本说明书及专利技术要求保护范围中所使用的术语或单词不应以常规或词典上的含义来限定地进行解释，而是，应立足于专利技术人可以为了以最佳的方法来说明自身的专利技术而适当地对术语的概念下定义的原则，以符合本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，其为控制向将熔融硅供给至锭生长装置的主坩埚的预备坩埚供给固态硅的方法，上述控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法的特征在于，包括：管理范围设定步骤，设定上述预备坩埚中的上述熔融硅的适当管理范围；高度测定步骤，为了确认上述熔融硅是否在上述熔融硅的适当管理范围内，测定装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度；供给量确定步骤，根据上述高度测定步骤中测定的高度确定要供给到上述预备坩埚的固态硅的供给量；及固态硅供给步骤，将根据上述供给量确定步骤确定的预定供给量的固态硅供给至上述预备坩埚。2.根据权利要求1所述的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，其特征在于，上述管理范围设定步骤包括如下步骤：在上述预备坩埚的上部面上形成至少一条假想线；在上述预备坩埚的上部面上形成与限定上述熔融硅的适当管理范围的上述熔融硅的上限线、下限线及高于上述上限线的最大上限线的高度对应的多条液面线；将上述至少一条假想线和上述多条液面线中上限线、下限线及最大上限线相交的点设定为上述适当管理范围的上限点、下限点及最大上限点。3.根据权利要求2所述的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，其特征在于，当从上述熔融硅的供给方向看时，上述假想线平行于上述预备坩埚的一侧壁表面。4.根据权利要求3所述的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，其特征在于，上述假想线有至少两条，上述至少两条假想线在上述熔融硅的供给方向上以预定间隔彼此间隔开。5.根据权利要求1所述的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，其特征在于，在上述高度测定步骤中，在以上述预备坩埚中能够最大限度地容纳上述熔融硅的方式定位的状态下，测定装在上述预备坩埚中的上述熔融硅的高度。6.根据权利要求2所述的控制向锭生长装置的预备坩埚供给固态硅的方法，其特征在于，在上述高度测定步骤中，通过确认装在上述预备坩埚中的熔融硅是否达到上述上限点、下限点及最大上限点来测定上述熔融硅的高度。7.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴镇成，金漌镐，李泳敏，全韩雄，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：
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