锭生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开锭生长装置。本实用新型专利技术实施例的锭生长装置包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，包括互相电绝缘的多个发热部件；以及加热器，用于产生磁场，借助因磁场而产生的电磁感应来对上述多个发热部件进行加热，上述多个发热部件沿着上述主坩埚的外侧面形成环状。面形成环状。面形成环状。

【技术实现步骤摘要】
锭生长装置


[0001]本技术涉及锭生长装置。

技术介绍

[0002]单晶硅为大多数半导体部件的基础材料，这些物质将被制造成具有高纯度的单晶体，这种制造方法中的一种就是丘克拉斯基法(Czochralski)。
[0003]在这种丘克拉斯基结晶法中，在将硅放入坩埚后，通过对坩埚进行加热来使硅熔融。而且，在单晶晶种(single crystal seed)与这种熔融硅相接触的状态下，在旋转的同时向上侧提拉，来使具有规定直径的锭(ingot)生长。
[0004]在作为这种丘克拉斯基法之一的连续生长型丘克拉斯基法(CCz： Continuous Czochralski)中，通过向坩埚的内部持续注入固态的多晶硅或熔融硅来对所消耗的熔融硅进行补充并使锭持续生长。
[0005]为了通过这种连续生长型丘克拉斯基法来使锭生长，通过对坩埚进行加热来确保向坩埚内部注入的熔融硅的温度均衡性尤为重要。尤其，若无法确保坩埚内部中的使得锭生长的锭生长区域的温度的均衡性，则将产生锭的单晶收率下降的问题。
[0006]并且，为了在锭生长环境中确保熔融硅的目标温度分布，将通过电能对坩埚进行加热，在连续生长型丘克拉斯基法中，这种电费在锭制造成本中占很大比重，因而有提出减少电能费用的必要性。

技术实现思路

[0007]根据本技术的实施例，本技术的目的在于提供如下的锭生长装置，即，在对熔融硅进行加热的过程中，在确保熔融硅的温度均衡性的同时改善用于对坩埚进行加热的电能的能效。
[0008]本技术实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，包括互相电绝缘的多个发热部件；以及加热器，用于产生磁场，借助因磁场而产生的电磁感应来对上述多个发热部件进行加热，上述多个发热部件可沿着上述主坩埚的外侧面形成环状。
[0009]在此情况下，上述基座可形成上述多个发热部件沿着与上述生长炉的底面平行的水平方向被分割的形状。
[0010]在此情况下，上述基座可形成上述多个发热部件沿着与上述生长炉的底面相垂直的垂直方向被分割的形状。
[0011]在此情况下，上述基座还可包括通过配置于上述多个发热部件之间来使得上述多个发热部件相结合的多个绝缘部件。
[0012]在此情况下，上述多个发热部件的端部可包括曲面部。
[0013]在此情况下，上述锭生长装置还可包括阻断部，配置于上述加热器与上述生长炉的底面之间，对上述加热器和上述基座的下侧的因上述磁场而产生的电磁感应进行阻断。
[0014]并且，本技术实施例的锭生长装置可包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面；以及加热器，设置有线圈，上述线圈以沿着上述基座的外侧面卷绕的方式形成并产生磁场，借助因上述磁场而产生的电磁感应来对上述基座进行加热，上述线圈可包括：第一部分，以使得上述锭的提拉方向和上述线圈的中心的磁场方向平行的方式沿着上述基座的外侧面形成；以及第二部分，以与上述第一部分之间的倾斜度达到规定角度的方式从上述第一部分延伸而成。
[0015]在此情况下，上述线圈可使得上述第一部分及上述第二部分在上述基座的外侧面形成一次转折形状，可沿着上述基座的上下方向形成多次转折形状。
[0016]在此情况下，上述第二部分的长度可在上述线圈的总长度的1/18以内。
[0017]在此情况下，上述加热器还可包括外罩，上述外罩以包围上述线圈的外侧面的方式形成，用于阻断上述线圈露出于上述生长炉的内部空间。
[0018]本技术一实施例的锭生长装置可使得多个发热部件分别借助电磁感应来单独产生电流并发热，从而可确保熔融硅的温度均衡性。
[0019]并且，本技术一实施例的锭生长装置可使得多个发热部件单独发热，从而可提高用于对主坩埚进行加热的电能的能效。
[0020]根据本技术另一实施例的锭生长装置，以使得在线圈产生的磁场对生长成单晶的锭造成的影响最小化的方式使得线圈的第一部分与锭的提拉方向相垂直，从而可提高锭的单晶收率。
附图说明
[0021]图1为简要示出本技术一实施例的锭生长装置的图。
[0022]图2为重点示出本技术一实施例的锭生长装置的基座的立体图。
[0023]图3为图2的剖视图。
[0024]图4为重点示出本技术另一实施例的锭生长装置的基座的剖视图。
[0025]图5为简要示出本技术另一实施例的锭生长装置的线圈的侧视图。
[0026]图6为从上侧观察图5中的线圈的图。
[0027]图7为简要示出以螺旋形卷绕的线圈的立体图。
[0028]图8a为示出图7中的比较例中的基座的上侧区域的温度偏差和本技术另一实施例的基座的上侧区域的温度偏差的图表。
[0029]图8b为示出图7中的比较例中的基座的中心区域的温度偏差和本技术另一实施例的基座的中心区域的温度偏差的图表。
[0030]附图标记的说明
[0031]100：锭生长装置110：生长炉
[0032]120：主坩埚130：基座
[0033]131、132：多个发热部件140：加热器
[0034]141、341：线圈342：第一部分
[0035]343：第二部分
具体实施方式
[0036]在本说明书及技术要求保护范围中使用的单词和术语不应限定于通常所理解的含义或词典中的含义来解释，立足于创作人可以为了以最佳的方法说明自己的技术而对术语和概念进行定义的原则，应解释成符合本技术的技术思想的含义和概念。
[0037]因此，在本说明书中记载的实施例和附图中所示的结构属于本技术的优选一实施例，并不全面代表本技术的技术思想，在本技术的申请时间点上，相应结构可存在能够进行代替的多种等同物和变形例。
[0038]在本说明书中，“包括”或“具有”等的术语应理解为仅用于说明记载于说明书上的特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在，而不是预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
[0039]只要没有特殊情况，某个结构要素位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”等的表述不仅包括以与其他结构要素直接接触的方式位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”的情况，还包括在中间设置其他结构要素的情况。并且，只要没有特殊情况，某个结构要素与其他结构要素“相连接”等的情况不仅包括直接相连接的情况，还包括间接相连接的情况。
[0040]以下，参照附图来对本技术实施例的锭生长装置进行说明。在本说明书中，为了简化附图，在对本技术实施例的锭生长装置进行说明的过程中，将不会详细示出或不示出与本技术的内容无关的结构，将以与本技术的思想相关的内容为中心来对本技术的锭生长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种锭生长装置，其特征在于，包括：生长炉，在内部配置为了使锭生长而收容熔融硅的主坩埚；基座，包围上述主坩埚的外侧面，包括互相电绝缘的多个发热部件；以及加热器，用于产生磁场，借助因磁场而产生的电磁感应来对上述多个发热部件进行加热，上述多个发热部件沿着上述主坩埚的外侧面形成环状。2.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述基座形成上述多个发热部件沿着与上述生长炉的底面平行的水平方向被分割的形状。3.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述基座形成上述多个发热部件沿着与上述生长炉的底面相垂直的垂直方向被分割的形状。4.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述基座还包括通过配置于上述多个发热部件之间来使得上述多个发热部件相结合的多个绝缘部件。5.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，上述多个发热部件的端部包括曲面部。6.根据权利要求1所述的锭生长装置，其特征在于，还包括阻断部，配置于上述加热器与上述生长炉的底面之间，对上述加热器和上述基座的下侧的因上述磁场而产...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵东佑，李京锡，李泳敏，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：新型
国别省市：