本发明专利技术公开硅锭连续生长器的吸排气装置。本发明专利技术的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，可在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，可在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。行排气的第二排气口。行排气的第二排气口。
【技术实现步骤摘要】
硅锭连续生长器的吸排气装置
[0001]本专利技术涉及用于使硅锭连续生长的锭生长装置，更具体地，涉及用于去除氧化物和杂质的硅锭连续生长器的吸排气装置。
技术介绍
[0002]通常，使用丘克拉斯基法的生长炉(Grower)将安装于腔室内部，腔室内部将使硅锭在真空气氛中生长。在基于丘克拉斯基法的连续型单晶硅生长法中，设置有从初始方式升级的供给固体多晶硅(Polysilicon)的连续生长型丘克拉斯基法(CCz)结构。该结构采用向坩埚持续供给硅的方式。代替这种供给固体多晶硅的连续生长型丘克拉斯基法结构，开发了在预备熔融器中将固体多晶硅熔融成液体状态并向中心部石英坩埚进行供给的液体给料装置。因此，需要开发用于这种装置的排气系统。
[0003]在与连续生长型丘克拉斯基法相关的现有技术中，预备熔融器和主腔室的真空气氛并不相连，在真空状态的系统中，为了便于抽取杂质，预备熔融器的压力比主腔室内部的压力小几毫巴(bar)，由此形成便于去除硅氧化物、颗粒、杂质的结构，但存在需要用于使预备熔融器形成真空状态的单独的腔室的问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于，提供如下的硅锭连续生长器的吸排气装置，即，不使用单独的预备熔融器腔室并将预备熔融器和主腔室连接在一个真空气氛，可通过预备熔融器用气体投入口及气体排气口的大小及位置、主排气口的开闭阀结构体来去除硅氧化物、颗粒、杂质。
[0005]本专利技术一实施方式的硅锭连续生长器的吸排气装置可包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，可在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。
[0006]在此情况下，上述第二注入口可贯通上述第一区域与第二区域之间的边界的上端。
[0007]在此情况下，上述第二排气口可贯通上述第二区域的外侧上端。
[0008]在此情况下，在上述腔室中，上述第二区域可从上述第一区域突出而成。
[0009]在此情况下，上述第一注入口可通过使锭上升的上述第一区域的中心部来使得非活性气体下降流入。
[0010]在此情况下，上述第一排气口可设置于上述腔室的下部。
[0011]在此情况下，上述第一排气口与第二排气口之间的直径比例可达到50∶1以上且13
∶1以下。
[0012]在此情况下，可在上述第一排气口设置开闭阀。
[0013]在此情况下，上述开闭阀可包括：第一本体，形成圆筒形；第二本体，以能够旋转的方式组装在上述第一本体，以能够部分遮挡上述非活性气体的通道的方式在上端设置放射状的盖部；以及第三本体，形成平板状，以能够旋转的方式组装在上述第二本体的上端部，以能够与上述第一本体的盖部一同部分遮挡上述非活性气体的通道的方式设置放射状的盖部。
[0014]在此情况下，上述开闭阀还可包括以使得上述非活性气体无法通过的方式对上述开闭阀的上端进行封闭的插塞。
[0015]根据上述结构，即使不在本专利技术的硅锭连续生长器的吸排气装置设置用于预备熔融器的单独的真空腔室也可，从而可减少设置费用。
[0016]并且，本专利技术形成在使得主熔融器和预备熔融器以一个腔室的真空气氛相连接的状态下分别设置主熔融器和预备熔融器的吸排气系统的结构，从而可互相顺畅、有效地排出氧化物和杂质。
附图说明
[0017]图1为本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置的剖视图。
[0018]图2至图4为在本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置中以将注入口和排气口分别设置在不同位置的方式实验观察非活性气体的流动的简图。
[0019]图5及图6为在本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置中以相对于第一排气口改变第二排气口的直径的方式实验观察非活性气体的流动的简图。
[0020]图7为作为本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置的部分结构要素的开闭阀的立体图。
[0021]图8为作为本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置的部分结构要素的开闭阀的分解立体图。
[0022]图9为示出作为本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置的部分结构要素的开闭阀的各种使用例的多个俯视图。
[0023]图10为示出作为本专利技术一实施例的硅锭连续生长器的吸排气装置的部分结构要素的开闭阀的各种组装状态的多个剖视图。
[0024]附图标记的说明
[0025]1：锭生长装置
[0026]2：锭
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3：主坩埚
[0027]4：反射板
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5：加热器
[0028]10：腔室
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10a：第一区域
[0029]10b：第二区域
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11：第一注入口
[0030]12：第一排气口
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20：预备熔融器
[0031]21：第二注入口
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22：第二排气口
[0032]30：开闭阀
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31：第一本体
[0033]31a、32a、33a：气体通道
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32：第二本体
[0034]32b、33b：盖部
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34：插塞
具体实施方式
[0035]在本说明书及专利技术要求保护范围中使用的单词和术语不应限定于通常所理解的含义或词典中的含义来解释，立足于专利技术人可以为了以最佳的方法说明自己的专利技术而对术语和概念进行定义的原则，应解释成符合本专利技术的技术思想的含义和概念。
[0036]因此，在本说明书中记载的实施例和附图中所示的结构属于本专利技术的优选一实施例，并不全面代表本专利技术的技术思想，在本专利技术的申请时间点上，相应结构可存在能够进行代替的多种等同物和变形例。
[0037]在本说明书中，“包括”或“具有”等的术语应理解为仅用于说明记载于说明书上的特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在，而不是预先排除一个或一个以上的其他特征、数字、步骤、动作、结构要素、部件或它们的组合的存在或附加可能性。
[0038]只要没有特殊情况，某个结构要素位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”等的表述不仅包括以与其他结构要素直接接触的方式位于其他结构要素的“前方”、“后方”、“上部”或“下部”的情况，还包括在中间设置其他结构要素的情况。并且，只要没有本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，包括：腔室，分为第一区域和第二区域，上述第一区域的内部维持真空气氛，在中心设置主坩埚，用于使锭生长，在上述第二区域的上端外侧设置用于向上述主坩埚供给熔融硅的预备熔融器；以及真空泵，与上述腔室相连接，以使得腔室内部维持真空气氛的方式提供真空压力，在上述腔室的第一区域设置使得用于排除腔室内部的氧化物和杂质的非活性气体流入的第一注入口以及进行排气的第一排气口，在上述腔室的第二区域设置使得非活性气体流入的第二注入口以及进行排气的第二排气口。2.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，上述第二注入口贯通上述第一区域与第二区域之间的边界的上端。3.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，上述第二排气口贯通上述第二区域的外侧上端。4.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，在上述腔室中，上述第二区域从上述第一区域突出而成。5.根据权利要求1所述的硅锭连续生长器的吸排气装置，其特征在于，上述第一注入口通过...
【专利技术属性】
技术研发人员：李泳敏，李京锡，全韩雄，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：
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