一种直拉单晶硅烧结炉制造技术

本发明专利技术涉及硅材料加工技术领域，且公开了一种直拉单晶硅烧结炉，包括主炉室，所述主炉室的顶端连接有副炉室，所述主炉室的内部顶端固定连接有导流框，所述导流框的中部等角度开设有气流孔。通过导流框的内侧设置有固定板，使氩气气流通过导流框的内侧流过时，被导流框内侧的固定板进行分流，一部分氩气流向直接到达坩埚的顶端，另一部分通过环形板的顶端进入主炉室和支撑板之间再通过支撑板和连接板之间，最后通过连接板和加热器之间，利用支撑板和加热器之间的温度梯度进行氩气气流的加热，直到气流流到承接盒的顶端侧，使坩埚顶端外侧的硅受到氩气气流作用始终处于熔化状态，且使坩埚顶端内侧壁不会有硅的结晶，提高坩埚的使用寿命。用寿命。用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种直拉单晶硅烧结炉


[0001]本专利技术涉及硅材料加工
，具体为一种直拉单晶硅烧结炉。

技术介绍

[0002]直拉单晶硅烧结炉的总体由炉体、电气部分、热系统、水冷系统、真空系统和氩气供给装置六部分组成，主炉室内为热场由加热器、保温系统、支持机构、托杆、托碗等组成，保温结构用于构成下热上冷的温度梯度，加热器是由高纯石墨制成，副炉室由提升机构等其他结构组成，且直拉法制备单晶硅的原理为将多晶硅通过热场加热，融化成熔融状态，通过控制热场将液面温度控制在结晶的临界点，副炉室的提升机构连接的单晶籽晶从液面向上提拉进行引晶，引晶结束，进行放肩，使晶体慢慢放大至目标直径，放肩过渡到等径的过程为转肩工艺，最后生长完成后，冷却至室温，全程环境为真空的氩气保护，氩气通过副炉室顶端通入，主炉室下端通出。
[0003]严重的硅跳会烧坏单晶炉底，传统一般在炉底都有碳毡，做保护，但是很多漏硅是顺着坩埚支撑托碗流下的，先开始会在底部流到金属波纹管，出现星点的烧损，就是硅料已经碰到金属波纹管，这时是最危险的，只能停炉，使锅内硅料报废；晶体在放肩工序时，可能坩埚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直拉单晶硅烧结炉，包括主炉室(1)，所述主炉室(1)的顶端连接有副炉室(2)，其特征在于：所述主炉室(1)的内部顶端固定连接有导流框(3)，所述导流框(3)的中部等角度开设有气流孔(4)，所述导流框(3)的内侧固定连接有位于气流孔(4)下方的固定板(5)，所述导流框(3)的外侧固定连接有与固定板(5)同周向的环形板(6)，所述环形板(6)的底端外侧固定连接有支撑板(7)，所述主炉室(1)的内部底端固定连接有位于支撑板(7)下方的连接板(8)，所述连接板(8)的顶端固定连接有加热器(9)，所述的底端中部活动连接有坩埚(10)，所述坩埚(10)的底端固定连接有升降结构(11)，所述坩埚(10)的顶端外侧周向等角度开设有滑槽(12)，所述坩埚(10)通过滑槽(12)滑动连接有承接盒(13)，所述承接盒(13)的底端周向开设有位于滑槽(12)下方的固定孔(14)，所述固定孔(14)的内部一侧固定连接有弹簧(15)，所述弹簧(15)的另一端固定连接有活动杆(16)，所述加热器(9)的内部周向固定连接有支架，且加热器(9)通过支架固定连接有位于活动杆(16)下方的抵位板(17)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄淑珍，
申请(专利权)人：黄淑珍，
类型：发明
国别省市：