一种带有水冷旁路的晶体生长炉制造技术

本实用新型专利技术涉及一种带有水冷旁路的晶体生长炉。本实用新型专利技术要解决的技术问题是提供一种带有水冷旁路的晶体生长炉。本实用新型专利技术采用的技术方案:包括晶体炉底架、炉筒组件、水冷屏总装、晶体炉升降总装和与所述水冷屏组件连接的水冷旁路，所述水冷旁路包括进水接头，所述进水接头分为两路，一路依次与球阀和电动阀连通，另一路与安全阀连通，所述电动阀的另一端和所述安全阀的另一端均通过三通接头与水冷屏进水接头和水冷屏出水接头连通。本实用新型专利技术的优点在于：水冷旁路的结构设计能对晶体生长炉的水冷屏水冷进行精准控制、调控效果好，自动化控制程度更高且在出现问题时能及时发现，安全性更高。安全性更高。安全性更高。

【技术实现步骤摘要】
一种带有水冷旁路的晶体生长炉


[0001]本技术涉及一种带有水冷旁路的晶体生长炉。

技术介绍

[0002]晶体生长炉是一种用于生长晶体的装置，一般是将原料放入坩埚中，高温加热成熔融状态后，将籽精杆伸入坩埚进行晶体生长，最后在提拉加热炉的炉体，取出生长完成的晶体。在单晶硅拉制过程中，通过水冷屏结构能有效加快晶棒的冷却速度，从而提高拉速，从而降低单晶硅的成本，一般的单晶炉，都没有这种结构就算有些晶体生长炉设有水冷屏结构，但其并没有设置专门对水冷屏的进出水进行控制的管路，而是直接从总管连出一个接口，这并不能实时和精确的对水冷屏的进出水进行有效管控，一方面实现不了晶体生长炉整体的自动精准控制，调控效果不佳，另一方面会影响到水冷屏对晶棒的冷却速度，容易造成拉晶的速度不均匀等问题。

技术实现思路

[0003]为解决上述问题，本技术要解决的技术问题是提供一种带有水冷旁路的晶体生长炉。
[0004]本技术带有水冷旁路的晶体生长炉采用的技术方案:包括晶体炉底架、设在所述晶体炉底架上的炉筒组件、穿设在所述炉筒组件内的水冷屏总装、固定在所述晶体炉底架侧部的晶体炉升降总装，其特征在于还包括与所述水冷屏组件连接的水冷旁路，所述水冷旁路包括进水接头，所述进水接头分为两路，一路依次与球阀和电动阀连通，另一路与安全阀连通， 所述电动阀的另一端和所述安全阀的另一端均通过三通接头与水冷屏进水接头和水冷屏出水接头连通。
[0005]所述水冷旁路还包括设在所述三通接头上的热敏开关和温控开关。
[0006]所述水冷屏总装包括水冷屏组件和水冷屏提升组件，所述水冷屏组件包括设在所述炉筒组件内的水冷屏锥斗、设在所述水冷屏锥斗内且与所述水冷屏进水接头连通的水冷屏进水管道、设在所述水冷屏锥斗内且与所述水冷屏出水接头连通的水冷屏出水管路。
[0007]所述水冷屏提升组件包括水冷屏左提升、水冷屏右提升、设在所述水冷屏左提升上的左波纹管、设在所述水冷屏右提升上的右波纹管、将所述水冷屏左提升和所述水冷屏右提升连接在一起的水冷屏提升软轴、用于带动所述水冷屏左提升升降的手轮、用于带动所述水冷屏右提升升降的水冷屏提升电机。
[0008]本技术带有水冷旁路的晶体生长炉的优点在于：水冷旁路的结构设计能对晶体生长炉的水冷屏水冷进行精准控制、调控效果好，自动化控制程度更高且在出现问题时能及时发现，安全性更高。
附图说明
[0009]下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0010]图1是本技术带有水冷旁路的晶体生长炉的结构示意图；
[0011]图2是本技术水冷旁路的结构示意图；
[0012]图3是本技术水冷屏总装的结构示意图；
[0013]图4是本技术水冷屏组件的结构示意图；
[0014]图5是本技术水冷屏提升组件的结构示意图。
具体实施方式
[0015]如图1
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5所示，本技术涉及的带有水冷旁路的晶体生长炉，包括晶体炉底架1、设在所述晶体炉底架1上的炉筒组件2、穿设在所述炉筒组件2内的水冷屏总装3、固定在所述晶体炉底架1侧部的晶体炉升降总装4和与所述水冷屏组件3连接的水冷旁路5，所述水冷旁路5包括进水接头10，所述进水接头10分为两路，一路依次与球阀11和电动阀12连通，另一路与安全阀13连通， 所述电动阀12的另一端和所述安全阀13的另一端均通过三通接头15与水冷屏进水接头16和水冷屏出水接头14连通，水冷旁路的结构设计能对晶体生长炉的水冷屏水冷进行精准控制、调控效果好，自动化控制程度更高。
[0016]所述水冷旁路5还包括设在所述三通接头15上的热敏开关17和温控开关18，能对管路进行实时的监控，安全性更高。
[0017]所述水冷屏总装3包括水冷屏组件20和水冷屏提升组件21，所述水冷屏组件20包括设在所述炉筒组件2内的水冷屏锥斗23、设在所述水冷屏锥斗23内且与所述水冷屏进水接头16连通的水冷屏进水管道24、设在所述水冷屏锥斗23内且与所述水冷屏出水接头14连通的水冷屏出水管路25，该结构的水冷屏冷却速度快，使得结晶的生产速度更高，生产效率也会更高，成本也会有一定的下降，可更有利于使用者使用。
[0018]所述水冷屏提升组件21包括水冷屏左提升27、水冷屏右提升28、设在所述水冷屏左提升27上的左波纹管29、设在所述水冷屏右提升28上的右波纹管30、将所述水冷屏左提升27和所述水冷屏右提升28连接在一起的水冷屏提升软轴32、用于带动所述水冷屏左提升27升降的手轮31、用于带动所述水冷屏右提升28升降的水冷屏提升电机30。
[0019]所述水冷屏左提升27和所述水冷屏右提升28均包括水冷屏提升框架、设在所述水冷屏提升框架内的滑轨模块、用于所述水冷屏提升电机30和所述手轮31连接且与所述滑轨模块连接的减速机、设在所述滑轨模块上的提升转接板、设在所述提升转接板且用于所述左波纹管29和所述右波纹管30固定的水冷屏托盘，该结构提升稳定可靠。
[0020]以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均包含在本技术的保护范围之内。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有水冷旁路的晶体生长炉，包括晶体炉底架（1）、设在所述晶体炉底架（1）上的炉筒组件（2）、穿设在所述炉筒组件（2）内的水冷屏总装（3）、固定在所述晶体炉底架（1）侧部的晶体炉升降总装（4），其特征在于：还包括与所述水冷屏组件（3）连接的水冷旁路（5），所述水冷旁路（5）包括进水接头（10），所述进水接头（10）分为两路，一路依次与球阀（11）和电动阀（12）连通，另一路与安全阀（13）连通， 所述电动阀（12）的另一端和所述安全阀（13）的另一端均通过三通接头（15）与水冷屏进水接头（16）和水冷屏出水接头（14）连通。2.根据权利要求1所述的带有水冷旁路的晶体生长炉，其特征在于：所述水冷旁路（5）还包括设在所述三通接头（15）上的热敏开关（17）和温控开关（18）。3.根据权利要求1所述的带有水冷旁路的晶体生长炉，其特征在于：所述水冷屏...

【专利技术属性】
技术研发人员：周云龙，吴凌锋，
申请(专利权)人：浙江晶泰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：