连续型锭生长装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。为此，本发明专利技术一实施方式的连续型锭生长装置可包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚、加热空间以及预备坩埚加热模块，上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融，能够在上述加热空间对上述预备坩埚进行加热，上述预备坩埚加热模块通过感应加热方式来对上述预备坩埚进行加热，可直接从上述预备坩埚向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅。埚供给上述熔融状态的硅。埚供给上述熔融状态的硅。

【技术实现步骤摘要】
连续型锭生长装置


[0001]本专利技术涉及连续型锭生长装置，更具体地，涉及可通过感应加热方式来使固态硅材料熔融并向主坩埚进行供给的连续型锭生长装置。

技术介绍

[0002]作为半导体用单晶硅晶圆制造用锭的制造方法，通常使用丘克拉斯基(Czochralski)晶体生长法。
[0003]在丘克拉斯基晶体生长法中，在将硅放入坩埚后，通过对坩埚进行加热来使硅熔融。而且，在单晶晶种(single crystal seed)与这种熔融的硅相接触的状态下，通过旋转及向上提拉，来使具有规定直径的锭(ingot)生长。在这种丘克拉斯基法中，通过向坩埚的内部持续注入固态硅材料(多晶硅)来对所消耗的熔融状态的硅进行补充并使锭持续生长的方法为连续生长型丘克拉斯基法(CCz)。
[0004]在现有的连续生长型丘克拉斯基法中，为使固态硅材料在坩埚中直接熔融，使用了双重形态的坩埚，但这种双重形态的坩埚存在造成锭成型装置的制造成本上升的问题。
[0005]并且，虽然以直接向坩埚定量投入固态硅材料的方式供给了硅，但在以这种方式供给固态硅材料的情况下，存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连续型锭生长装置，其特征在于，包括：生长炉，在内部设置有为了形成锭而收容熔融状态的硅的主坩埚；材料供给部，用于供给使上述熔融状态的硅熔融之前的固态硅材料；以及预备熔融部，包括预备坩埚、加热空间以及预备坩埚加热模块，上述预备坩埚用于使从上述材料供给部供给的上述固态硅材料熔融，能够在上述加热空间对上述预备坩埚进行加热，上述预备坩埚加热模块通过感应加热方式来对上述预备坩埚进行加热，直接从上述预备坩埚向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅。2.根据权利要求1所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述预备坩埚加热模块包括感应线圈，上述感应线圈以包围上述加热空间的方式配置，利用感应电流来对上述预备坩埚进行加热。3.根据权利要求2所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述预备坩埚包括：本体，配置于上述加热空间的内部，以能够收容上述固态硅材料的方式形成上侧方向开放的容器形状；以及尖部，以能够向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅的方式配置于上述加热空间的一侧外部。4.根据权利要求3所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述感应线圈沿着上述加热空间的周围卷绕，并以使得沿着从上述加热空间的另一侧朝向一侧的方向相邻配置的上述感应线圈之间的间距递减的方式稠密地进行卷绕。5.根据权利要求3所述的连续型锭生长装置，其特征在于，上述感应线圈沿着上述加热空间的周围卷绕，并以使得配置于上述加热空间的一侧的上述感应线圈的内径小于配置于上述加热空间的另一侧的上述感应线圈的内径的方式进行卷绕。6.根据权利要求2所述的连续型锭生长装置，其特征在于，还包括以能够向上述感应线圈供给电流的方式电连接的电源连接部，在上述感应线圈设置插入...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵东佑，李京锡，李泳敏，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：