用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法，该装置可以精密测量向硅锭生长坩埚投入的熔融硅的投入量，从而可以有效进行投入量的控制，根据本发明专利技术的一实施方式，公开一种用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其包括：预备坩埚，用于在接收固态的硅材料来进行加热以使其成为熔融状态的硅后，向硅锭生长的主坩埚供给熔融状态的硅；预备坩埚移动模块，用于向第一位置或第二位置中的一个倾斜上述预备坩埚，上述第一位置为在上述预备坩埚中装有上述固态的硅材料或上述熔融硅的姿势，上述第二位置为上述预备坩埚的上述熔融硅流向上述主坩埚的位置；以及控制部，用于控制上述预备坩埚移动模块。上述预备坩埚移动模块。上述预备坩埚移动模块。

【技术实现步骤摘要】
用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法，更详细地，涉及一种用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置及其控制方法，该装置能够精密测量向硅锭生长坩埚投入的熔融硅的投入量，从而可以有效进行投入量的控制。

技术介绍

[0002]单晶硅是用于大部分半导体部件的基本材料，这些物质制备为具有高纯度的单晶体，这些制备方法之一为提拉法。
[0003]在这种提拉法所使用的普通的硅锭生长装置中，在装入于坩埚的熔融硅的表面放置单晶硅的籽晶后，通过缓慢提拉来使硅锭生长。
[0004]在这种提拉法中，向坩埚内部持续注入固态的多晶硅来补充消耗的熔融硅以使硅锭持续生长的方法为连续生长型提拉法(CCz)。即，向上述坩埚内部连续供给多晶硅粒子和掺杂剂来使熔融硅表面始终保持恒定水平，从而补充硅锭生长过程中熔融硅的消耗量。
[0005]在这种连续生长型提拉法(CCz)中，通常在坩埚内部设置隔板来形成具有内部坩埚和外部坩埚的双重坩埚，来防止固态的多晶硅附着在硅锭上，并使以固态供给的多晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，包括：预备坩埚，用于在接收固态的硅材料来进行加热以使其成为熔融状态的硅后，向硅锭生长的主坩埚供给熔融状态的硅；预备坩埚移动模块，用于移动上述预备坩埚的位置，使得上述预备坩埚能够加热上述固态的硅或者向上述主坩埚供给上述熔融状态的硅；以及控制部，通过操作上述预备坩埚移动模块来控制上述预备坩埚的位置。2.根据权利要求1所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述预备坩埚包括呈上部开放的容器形态的容器部，上述预备坩埚能够在第一位置或第二位置之间移动位置，上述第一位置为在上述预备坩埚的上述容器部中装有上述固态的硅材料或上述熔融硅的姿势，上述第二位置为上述预备坩埚的上述熔融硅流向上述主坩埚的位置，上述预备坩埚移动模块使上述预备坩埚在上述第一位置与上述第二位置之间的范围内倾斜。3.根据权利要求2所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述预备坩埚移动模块包括：支撑部件，以能够旋转的方式支撑上述预备坩埚中的朝向上述主坩埚的一侧；以及升降机，通过上述控制部的控制，来使从上述预备坩埚的一侧朝向与上述主坩埚侧相反的方向隔开的另一侧上升或下降。4.根据权利要求3所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述支撑部件至少设置有一对，以支撑上述预备坩埚的两侧。5.根据权利要求3所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述支撑部件呈向上方延伸的销形态，上述预备坩埚在与上述支撑部件相连的底面形成有销收容槽以收容上述销形态的上述支撑部件的上端。6.根据权利要求3所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述升降机包括：升降杆，向上方延伸；以及驱动部，使上述升降杆沿上下方向升降，上述预备坩埚在与上述升降杆相连的底面形成有杆收容槽，以收容上述升降杆的上端。7.根据权利要求3所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述支撑部件和上述升降机铰链结合于上述预备坩埚。8.根据权利要求3所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述预备坩埚移动模块包括用于测量上述预备坩埚的重量的重量测量部。9.根据权利要求8所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述重量测量部通过测量作用于上述升降机的荷重来测量上述预备坩埚的重量。10.根据权利要求8所述的用于预熔向主坩埚供给的硅的预熔装置，其特征在于，上述控制部在上述预备坩埚向主坩埚供给上述熔融状态的硅之前对上述预备坩埚的重量进行第一次测量，在上述预备坩埚向上述主坩埚...

【专利技术属性】
技术研发人员：全韩雄，朴镇成，李英俊，李泳敏，李永桓，
申请(专利权)人：韩华思路信，
类型：发明
国别省市：