公开了一种MEMS器件，其中，包括：衬底，衬底具有第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上；第一振膜层，位于第一牺牲层上，第一振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑；第二牺牲层，位于第一振膜层上；背极板层，位于第二牺牲层上，所述背极板层的至少一部分...

本实用新型提供了一种用于减薄机的高度规检测装置，包括高度规、湿度传感器和显示装置，本体具有内腔；湿度传感器的检测端伸入内腔中；显示装置与湿度传感器连接并位于高度规的外侧。本实用新型中的高度规的内腔中设置有湿度传感器，湿度传感器能够检测高...

本申请公开了功率半导体器件。所述器件包括：位于半导体衬底的第一表面的正面结构，所述正面结构包括阱区和发射区，所述发射区位于所述阱区中；位于所述半导体衬底的第二表面的缓冲区和集电区，所述集电区从所述第二表面延伸至与所述缓冲区邻接，其中，所...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的体区和多个沟槽，所述体区邻近所述多个沟槽上部；位于所述体区中的源区；位于所述多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；屏蔽导体，从所述多个沟槽上方延伸至其底部；位于所述屏蔽导体...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；填充沟槽的底部的隔离层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部；在多个沟槽上部中位于屏蔽...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽底部下方的半导体衬底中的掺杂区；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部；在多...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部，并且与半导体衬底之间由绝缘叠层彼此隔离；在多个沟...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的源极电极；以及与...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，半导体衬底为第一掺杂类型，多个沟槽包括分别位于半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；位于第一沟槽和第二沟槽中的分裂栅结构；至少一部分位于第三沟槽中的...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，所述多个沟槽包括第一尺寸的第一沟槽和第二尺寸的第二沟槽，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；位于第一沟槽中的分裂栅结构；位于第二沟槽中的栅极布线，所述栅极布线与所述...

本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：在衬底上形成栅叠层；在所述栅叠层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述栅叠层；在所述停止层上形成牺牲层；将所述牺牲层图案化，使得所述牺牲层在所述栅叠层侧壁的部分保留从而形成牺牲侧墙...

公开了功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括位于沟槽中的分离栅结构。所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和所述第三栅极导体...

本申请公开了一种计算半导体器件的频率与电流关系的方法和装置，半导体器件包括多个分层，计算半导体器件的频率与电流的方法包括：获取半导体器件的基础参数；基于热扩散角原理根据基础参数计算半导体器件的结壳稳态热阻，以及根据基础参数获得半导体器件...

本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在半导体衬底的第一表面形成正面结构，所述正面结构包括阱区和发射区，所述发射区位于所述阱区中；从所述半导体衬底的第二表面对所述半导体衬底进行减薄，所述第二表面与所述第一表面彼此相对；对...

公开了一种双向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成双向低电容TVS器件由此可以提高双向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在双向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与第一稳压二极管纵向串联以及第二普通二极管与第二稳压...

公开了一种定位结构及晶片加工设备，晶片加工设备通过该定位结构对晶片进行定位。其中定位结构包括：底座；第一透气陶瓷层，位于所述底座上；以及真空通路，位于所述底座内，用于将待定位件吸附于所述第一透气陶瓷层表面，其中，所述第一透气陶瓷层的面积...

本申请公开了MEMS组件及其制造方法。所述方法包括：在传感器芯片上形成凹槽；在器件芯片上形成焊盘；将所述传感器芯片与所述器件芯片键合，以形成键合组件；在所述传感器芯片的第一位置执行第一划片，以穿透所述传感器芯片到达所述凹槽；以及在所述传...

公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与稳压二极管纵向串联，降低单向低电容TVS器件的体积...

公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成了第一三极管、第二三极管、普通二极管和...

本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽，半导体衬底为第一掺杂类型，多个沟槽包括分别位于半导体衬底的第一区域至第三区域的第一至第三沟槽；位于第一沟槽和第二沟槽中的分裂栅结构；分别位于第三沟槽下部和上部...