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哈尔滨工程大学专利技术
哈尔滨工程大学共有20086项专利
低噪声海底阀箱制造技术
本实用新型的目的在于提供低噪声海底阀箱,包括腔体、倾斜上盖、隔离板、旋转箱体腔口,腔体与倾斜上盖相连,腔体下底为内底板,内底板连接旋转箱体腔口,旋转箱体腔口里安装内凹型栅格片,隔离板包括纵向隔离板和垂直腔口隔离板,纵向隔离板和垂直腔口隔...
三轴交汇式姿态主手机构制造技术
本实用新型的目的在于提供三轴交汇式姿态主手机构,包括俯仰机构、横滚机构、偏转机构;俯仰机构包括俯仰编码器、俯仰支架、俯仰旋转器、俯仰旋转轴,横滚机构包括横滚连接板、横滚支架、横滚编码器、横滚旋转器、横滚旋转轴,偏转机构包括偏转连接板、偏...
带有测量功能的摆线水轮机安装保持架制造技术
本实用新型的目的在于提供带有测量功能的摆线水轮机安装保持架,包括均分孔圆盘、中心固定螺栓、测量保持机构,测量保持机构包括第一轮辐、第二轮辐、圆弧形导轨、压轮、指针、上夹具压板,第一轮辐一端带有矩形长孔、另一端实心,实心端通过中心固定螺栓...
一种高光谱图像稀疏表示的可视化方法技术
本发明属于高光谱遥感图像可视化技术领域,具体涉及一种对高光谱图像稀疏表示的可视化方法。本方法包括:(1)确定字典原子颜色标签;(2)根据已选择的字典原子颜色以及像素的稀疏系数进行颜色混合,生成混合彩色图像;(3)显示各像素系数组成细节图...
适用于深海高静水压力环境下的长寿命参比电极制造技术
本发明提供的是一种适用于深海高静水压力环境下的长寿命参比电极,包括外壳,自上而下布置于外壳内的内电极芯体、盐桥和隔膜,其特征是:所述的盐桥由饱和氯化钾溶胶凝胶和均匀弥散分布于饱和氯化钾溶胶凝胶中的氯化钾粒状物构成,所述的隔膜为超微孔陶瓷...
一种分裂栅型沟槽功率MOS器件制造技术
本发明涉及MOS器件版图边缘设计领域,具体涉及一种应用在低、中压器件中沟槽结构同终端结构连通的分裂栅型沟槽功率MOS器件。本发明的分裂栅型沟槽功率MOS器件,有源区中沟槽结构同终端结构连通,有源区中的台面是两端为半圆形的长条结构,半圆形...
一种手骨身份识别系统技术方案
本发明涉及信息安全技术领域,特别涉及一种手骨的身份识别系统。一种手骨身份识别系统,包括采集模块,预处理模块,特征提取模块,手骨数据库,特征识别模块,采集模块采集手骨x光图像传送给预处理模块;预处理模块对手骨图像进行形态学计算、灰度变换、...
一种飞行器着陆效能评测方法技术
本发明涉及的是一种评测决策方法,特别是涉及一种基于动态多属性决策的飞行器着陆效能评测方法。本发明包括如下步骤:(1)建立效能评价指标;(2)建立着陆过程多阶段效能描述矩阵;(3)确定飞行器各飞行状态变量相对属性权重;(4)评测动态多属性...
旋流式等离子点火嘴制造技术
本发明的目的在于提供旋流式等离子点火嘴,包括电嘴,电嘴上开有旋流孔,电嘴底部开有出口通道,旋流孔与电嘴的内径相切,旋流孔为单排分布或上下排分布。本发明旋流孔与电嘴的内径相切,保证进入到电嘴腔体内的空气和出口的等离子电弧具有旋流作用,从而...
核壳结构光磁双功能纳米复合材料及制备方法技术
本发明提供的是一种核壳结构光磁双功能纳米复合材料及制备方法。采用高温热解法制备NaGdF4:Yb,Tm上转换荧光纳米晶核材料;采用高温热解法在NaGdF4:Yb,Tm上转换荧光纳米晶核材料的表面包覆一层同材料的活性上转换荧光层;继续采用...
一种基于案例的船体分段吊装工艺流程的快速确定方法技术
一种基于案例的船体分段吊装工艺流程的快速确定方法,涉及一种船体分段吊装工艺流程的确定方法。本发明是要解决目前确定吊装工艺的过程繁琐,效率较低的问题。方法:一、测量预吊装对象的吊装工艺信息;二、从吊装案例库中选取与预吊装对象最近似的吊装案...
辅助焊盘制造技术
本发明的目的在于提供辅助焊盘,包括圆柱体部分和圆盘部分,圆柱体为中空,其外表面上有分割线,分割线始于圆柱体的一端、且不贯穿圆柱体表面,圆柱体上没有分割线的一端安装圆盘。本发明可替代电路板焊盘或将电路板焊盘保护起来,可用于电路板的维修,加...
一种快速的宽带相干源方位估计方法技术
本发明提供的是一种快速的宽带相干源方位估计方法。(1)将接收的宽带信号数据在观测时间内分为K个长为Td的子间隔,对每个子间隔数据进行离散傅里叶变换,得到频域内J个子带数据;(2)将每个子带数据对应的阵列流形离散化,按照均匀线列阵下离散化...
石墨烯与MoO2纳米复合材料及制备方法和锂离子电池负极材料技术
本发明提供的是石墨烯与MoO2纳米复合材料及制备方法和锂离子电池负极材料。(1)利用化学方法制备石墨烯;(2)将钼酸铵在空气中、500℃温度下煅烧4小时得到MoO3颗粒;(3)将石墨烯与MoO3颗粒按照摩尔比为1:2-2:1的比例混合;...
垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法技术
本发明提供的是一种垂直非对称环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101,漏区111位于器件的最低端;在衬底101上外延生长漏扩展区106,沟道区107,和源区108,栅氧化层109包围整个沟道区107,在栅氧化...
一种抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法技术
本发明的目的在于提供抗辐射加固浅槽隔离结构形成方法,包括在半导体衬底上通过刻蚀形成沟槽;在沟槽中淀积一定厚度的牺牲层;刻蚀去除沟槽底部的牺牲层;在沟槽中淀积填充二氧化硅;通过湿法腐蚀选择去除牺牲层,形成空气间隙层。本发明可提供一种降低制...
一种自对准SOI FD MOSFET形成方法技术
本发明提供的是一种自对准SOI?FD?MOSFET形成方法。包括对硅薄膜层10进行P型掺杂;在硅薄膜层10上生长栅氧层11;在栅氧层11上淀积多晶硅12,氮化硅掩蔽层13;将氮化硅掩蔽层13两侧、埋氧层2之上的材料全刻蚀掉,将两侧埋氧层...
基于HSV色彩空间结合Retinex的水下图像增强方法技术
本发明的目的在于提供基于HSV色彩空间结合Retinex的水下图像增强方法,包括如下步骤:读取RGB空间水声图像,将其转换成HSV空间图像;将HSV空间图像分解成色度H、饱和度S、数值V三个分量;对色度H分量保持不变,饱和度S分量进行表...
一种扶正船舶的最优抗沉方案寻求方法技术
本发明的目的在于提供一种扶正船舶的最优抗沉方案寻求方法,采用如下步骤:选用船舶的横倾角、纵倾角、最小干舷高、最大静稳性臂、最小动稳性臂、衡稳心高6个指标作为决策的目标;分别采用TOPSIS法、简单线性加权法、线性分配法三种评估方法对6个...
一种舱室火灾发展区域评估方法技术
本发明的目的在于提供一种舱室火灾发展区域评估方法,将密闭的单舱室划分为两层:上层为热烟气层,下层为冷空气层;假设各层之间的能量和质量只通过羽流进行传递,且密闭舱室不存在同外界的热量交换,烟气和空气是分子量相同的理想气体,从而得到单室火灾...
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