专利查询
首页
专利评估
登录
注册
富士通株式会社专利技术
富士通株式会社共有10017项专利
提供适当编程电压的非易失性半导体存储设备制造技术
一种非易失性半导体存储设备,包括: 多个各具有非易失性存储单元阵列的块;以及 编程电压发生电路,向非易失性存储单元阵列提供编程电压,其中,所述的编程电压发生电路根据用于选择一个所述块的第一地址信号,和指示写入访问存储单元在所...
非易失性半导体存储设备制造技术
一种非易失性半导体存储设备,包括: 多个各具有存储单元阵列的块; 参考单元; 信号线,用于将从所述参考单元读取的参考信号提供给所述多个块中的每一个; 在所述多个块的每一个中提供的参考负载电路,用于对参考信号施加与...
静态半导体存储装置及其控制方法制造方法及图纸
一种静态半导体存储装置,其具有作为操作模式的备用模式和正常操作模式,该静态半导体存储装置包括: 存储单元阵列,其具有采用矩阵排列的静态存储单元阵列; 字线,其设置成与所述存储单元阵列的各行对应; 一对位线,其设置成与所...
定时调整电路和半导体存储装置制造方法及图纸
一种定时调整电路,包括: 铁电电容器,用于在发送信号时进行定时调整。
半导体存储器制造技术
一种半导体存储器,包括: 多个存储区,每个存储区具有多个静态存储单元、连接到所述静态存储单元的第一局部位线以及用于放大所述第一局部位线的电压的第一放大器; 第一全局位线,连接到所述第一放大器的输出端,以便传送被每个所述存储区...
能够实现冗余单元阵列正确替换的半导体存储器制造技术
一种半导体存储器,包括: 具有多个存储单元的核心阵列; 冗余阵列,用于替换核心阵列中包含缺陷单元的替换对象区; 替换地址存储器,其存储包含缺陷单元两侧的第一替换对象区的地址作为替换对象地址;和 冗余控制器,其控制...
半导体存储器及其控制方法技术
一种控制半导体存储器的方法,所述方法包括以下步骤: 在突发模式中设定模式寄存器以设定操作模式的情况下,将半导体存储器从突发模式,经由断电模式,变换到非突发模式的备用模式; 在非突发模式的备用模式中按照预定序列输入命令的情况下...
基于伪单元方法的半导体存储器件技术
一种半导体存储器件,包括: 多个位线对,其中每个位线对包括第一位线和第二位线; 多个存储单元,其耦合到所述第一位线,并且在电容器中存储电荷; 伪单元,其耦合到第二位线,并且以预定电势被充电; 读出放大器,其放大所...
具有冗余结构的存储器电路制造技术
一种具有多个具有存储器单元的扇区的存储器电路,其包括: 多个块,其中每个块包括多个常规扇区和一备用扇区, 其中当所述多个块中的第一块中的常规扇区有缺陷时,采用第二块中的备用扇区替换所述缺陷常规扇区,并且 作为对所提供地...
具有被分割成块的存储器单元阵列的半导体存储器设备制造技术
一种半导体存储器设备,其包括: 多个块,其中的每个块包括存储器单元阵列,并输出多个数据信号和一冗余信号; 至少一个第一多路复用器,其被耦合到所述多个块,并且选择其中的一个块;以及 第二多路复用器,其根据已由所述至少一个...
半导体存储设备制造技术
一种半导体存储设备,包括: 存储单元阵列; 解码器单元,用于选择存储单元阵列的字线; 第一空单元阵列,其连接到第一空位线,并且沿着字线相对于存储单元阵列位于远离解码器单元的第一位置处; 第二空单元阵列,其连接到第...
半导体存储器件及其操作方法和使用该存储器的蜂窝电话技术
一种包括动态存储单元的动态随机存取存储器的控制方法,该存储器具有低功率消耗方式和空闲方式,在低功率消耗方式中,动态存储单元通过阻止更新操作来不保留其中的数据,该方法包括步骤: 进入空闲方式; 响应包括空闲方式期间的多个控制信...
半导体器件制造技术
本发明涉及一种非易失性铁电存储器的半导体器件。该存储器的构造包括:多个用于存储的铁电电容器,其中,每个铁电电容器的一端通过开关晶体管连接到多条第一位线的每一条;第一板线,连接到该用于存储的铁电电容器的其他端;用于参考的第一铁电电容器,其...
半导体测试电路、半导体存储器件和半导体测试方法技术
一种半导体测试电路,用于测试半导体存储器件,并且具有简单的结构和大量可执行的测试模式。多个计数器通过从这些计数器输出的计数值分别指定写/读地址的多个部分,其中每一个部分由一个位或多个连续位组成。切换电路选择性地输出用于单独地控制这些计数...
半导体存储器制造技术
一种半导体存储器,在这种半导体存储器中,可快速改变非易失性存储器中的数据的保护状态,并可提供足够的安全性。易失性保护状态指定部分控制非易失性存储器中的数据的保护状态。非易失性初始状态存储部分确定保护状态指定部分的初始状态。
半导体存储装置制造方法及图纸
一种半导体存储装置,其特征在于,包括:被排列成多列的多个字译码器;多个字线选择移位寄存器,为了指示刷新对象的字线而与多个字译码器分别对应地设置;以及移位控制信号生成电路,提供用于指示多个字线选择移位寄存器的移位操作时刻的移位控制信号;所...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置,由第一电位、低于该第一电位的第二电位、以及低于该第二电位的第三电位驱动,其特征在于,包括:被串联连接在所述第一电位和所述第三电位之间的第一Pch晶体管和第一Nch晶体管;漏极端与所述第一Nch晶体管的栅极端连接的第二Pc...
存储装置制造方法及图纸
存储装置具有多个存储器组(BNKA、BNKB、BNKC、BNKD),各存储器组具有用于存储数据的多个存储单元和用于从所述多个存储单元读取数据的多个位线。多个存储器组的所有存储器组的位线等长。
闪存以及存储器控制方法技术
将闪存内部的状态通知给外部,并支持无用单元收集。状态通知信息生成部(12)参照标志区域f1、f2、f3、……、fn,并根据用户区域u1、u2、u3、……un的状态生成用于通知外部信息的状态通知信息。输出部(13)输出状态通知信息,以将闪...
非易失性存储器及其写入方法技术
一种非易失性存储器,包括:字线;与所述字线连接的多个存储单元;以及分别与所述多个存储单元中的一个连接的多根源极线;其特征在于, 该非易失性存储器具有多个源极电压供给电路,该多个源极电压供给电路与所述各源极线连接,取得分别对应的存储...
首页
<<
405
406
407
408
409
410
411
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
134485
珠海格力电器股份有限公司
99367
中国石油化工股份有限公司
87773
浙江大学
81467
三星电子株式会社
68335
中兴通讯股份有限公司
67403
国家电网公司
59735
清华大学
56623
腾讯科技深圳有限公司
54362
华南理工大学
51829
最新更新发明人
日铁化学材料株式会社
428
南京逐陆医药科技有限公司
40
思齐乐私人有限公司
12
索尼互动娱乐股份有限公司
758
青庭智能科技苏州有限公司
14
北京卡尤迪生物科技股份有限公司
14
格莱科新诺威逊私人有限公司
2
京东方科技集团股份有限公司
51232
微软技术许可有限责任公司
8923
联想北京有限公司
28609