本发明属生物医药技术领域，涉及一种基于静电包衣的三元非病毒核酸递释系统TCS及其制备方法。本发明通过阳离子高分子材料聚β-氨基酯自主压缩质粒DNA或siRNA形成二元复合物后，用多羧基聚合物通过静电作用对二元复合物进行物理修饰，形成三元...

本发明属于复合多功能先进微孔材料技术领域，具体为一种磁-色同步响应的自组装微孔材料及其制备方法。本发明采用具有配位场诱导变色能力的过渡金属离子作为磁自旋载体，采用五元氮杂化类有机配体作为自旋电子传递媒介，以强反铁磁性的三核磁挫体二级结构...

本发明属于高分子材料技术领域，具体为一种聚烷基噻吩与聚咪唑盐烷基噻吩的嵌段共聚物及其制备方法。聚噻吩具有宽的吸收光谱、较高的空穴迁移率；聚咪唑盐烷基噻吩具有良好的水溶性和可加工性。本发明提供的聚烷基噻吩与聚咪唑盐烷基噻吩的嵌段共聚物，具...

本发明属于生物医学技术领域，涉及自身免疫性疾病抗自身抗体的抗体及其制备方法和应用。包括以自身抗体做为抗原的抗原制备、以自身抗体做为抗原免疫试验对象、获取抗自身抗体的抗体，制得抗总IgG的抗血清命名为NIgG抗血清。通过实验证实所制备的抗...

本发明属于植物基因工程技术领域，具体涉及一种调控植物叶片衰老的转录因子及其应用。本发明所提供的植物ANAC072蛋白，来源于拟南芥、油菜等物种，但不局限于这些物种，包括与拟南芥中ANAC072蛋白（氨基酸序列如SEQIDNO:2所示）的...

本发明属于化学化工技术领域，具体为一种异丁烷脱氢制异丁烯的方法。本发明以异丁烷为原料，同时以碳纳米管负载的氧化钒为催化剂，在固定床反应器中，异丁烷发生脱氢反应并转化为异丁烯为主的混合烃类；其中：所述催化剂钒在碳纳米管中的负载量为3wt%...

本发明属于催化合成技术领域，具体为一种用于CO促进的分子氧直接氧化羟化芳烃化合物的方法。该方法以芳烃化合物为底物，以贵金属、金属氧化物和钛硅分子筛为催化剂，以水与有机溶剂的混合液为溶剂，在CO促进下利用分子氧直接氧化羟化芳烃制相应的酚类...

本发明属于材料技术领域，具体为一种介孔-大孔多级有序的单分散微米球及制备方法。本发明应用水热合成的纳米级介孔分子筛为多级结构的构筑单元，通过聚合诱导胶体凝聚法（即PICA法）制得二氧化硅/脲醛树脂复合微球，进行共沸除水后，再经过高温煅烧...

本发明属于色谱技术领域，具体为一种可用作毛细管电色谱准固定相的纳米介孔材料及其制备方法。本发明应用水热法合成纳米介孔材料，再将所得纳米介孔材料的胶体溶液分散于毛细管电色谱用缓冲液中，用作准固定相，提高毛细管电色谱的分离效果，建立了全新的...

本发明属生物技术领域，涉及一种抑制细菌信号转导系统PhoQ组氨酸激酶活性的制剂，具体涉及一种含有小分子化合物的细菌PhoQ组氨酸激酶抑制剂，尤其是对革兰阴性菌的信号转导系统PhoQ蛋白的抑制剂。所述的制剂由式(I)结构的小分子化合物和D...

本发明涉及生物技术领域，具体地说是一种树突状细胞疫苗制备方法，其特征在于采用如下制备步骤：（1）取病患自体血，采用人淋巴细胞分离液分离出红细胞、单核淋巴细胞、血浆；（2）调整单核淋巴细胞浓度；（3）加入6孔板中，贴壁16小时；（4）吸弃...

本发明属制药领域，涉及中药单体石杉碱甲新的药用用途，具体涉及石杉碱甲在制备防治多发性硬化疾病药物中的用途。本发明所述的石杉碱甲为中药有效成分单体，具有式(I)的结构。本发明经整体动物模型实验，结果显示，所述的石杉碱甲对实验性自身免疫性脑...

本发明属医药技术领域，涉及组蛋白脱乙酰酶抑制剂斯克瑞泰Scriptaid新的药用用途，具体涉及斯克瑞泰Scriptaid在治疗创伤性脑损伤疾病药物中的用途，本发明经试验证实，所述Scriptaid能显著改善创伤性脑损伤小鼠的神经功能评分...

本发明属生物药物制剂领域，涉及高密度脂蛋白类似物纳米粒，具体涉及一种肝靶向高密度脂蛋白类似物纳米粒及其制备方法。本发明以重组人源载脂蛋白为靶向载体，与被载药物按1～10∶10∶1～5质量比制成肝靶向高密度脂蛋白类似物纳米粒，制得的类似物...

本发明属集成电路技术领域，具体为一种高速高精度的动态比较器失调电压校正方法。比较器是模数转换器的核心部件，本发明提出一种全新的实时校正方法，利用MOS管工作在反型层时的可变电容的电容值随调节电压线性连续可变的特点，对比较器输出端的负载电...

本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种使用超薄高介电常数材料层的SiC肖特基二极管及其制作方法。本发明在金属和SiC界面之间插入一超薄的高介电常数材料层，可以提高肖特基接触势垒高度，减小SiC表面态缺陷对肖特基势垒的影响，使得SiC...

本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于铜互连的刻蚀阻挡层及其制造方法。本发明采用一层超薄的经过氧气等离子体和紫外光照射处理的SiN刻蚀阻挡层和一层厚的介电常数值较小的碳含量丰富的SiCN刻蚀阻挡层来形成双层刻蚀阻挡层，不仅工...

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于碳纳米管的互连结构及其制造方法。本发明使用碳纳米管替代铜作为互连介质，工艺过程简单，而且经过一定的工艺处理可以在互连通孔中得到均匀且平行的碳纳米管，不需要制备扩散阻挡层就可以有效防止漏电流的产...

本发明属于太阳能光伏领域，具体为一种松树形太阳电池景观树。其包括树干、树枝、树叶三部分，三部分之间用高分子橡胶密封或使用预留接口连接；树干为硬质塑料包裹的铜线，树枝为软质塑料包裹的铜线，树叶为透明玻璃管或塑料管封装的染料敏化太阳能电池，...

本发明属于磁场探测技术领域，具体涉及一种使用45度斜角的三维隧穿磁场传感器及其制造方法。本发明将用于测量不同纬度的三个隧道巨磁阻模块置于一个使用45度斜角的凹槽或者凸台结构之上形成三维隧穿磁场传感器，使得三维磁场传感器的体积减小、用于测...