本申请提供一种半导体结构，包括：半导体基板，所述半导体基板上包括外延层，所述外延层中形成有第一掺杂区、自所述外延层的表面延伸至所述第一掺杂区中的第三掺杂区及位于所述第三掺杂区两侧的第一掺杂区上的第二掺杂区；第四掺杂区，位于所述第一掺杂区...

本申请技术方案提供一种MOSFET驱动回路寄生电感的确定方法，包括：提供MOSFET驱动回路的RLC二阶等效电路，所述RLC二阶等效电路包括电连接的驱动信号源、驱动电阻、驱动回路寄生电感以及所述MOSFET的栅源寄生电容、栅漏寄生电容和...

本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的软关断电路及方法，所述软关断电路包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑...

本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的短路检测电路及方法，所述短路检测电路包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出，还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号；输出级功率放大电路，与所述输出侧...

本申请技术方案提供一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，包括：提供桥臂MOSFET功率回路的等效功率电路，所述等效功率电路包括桥接的驱动MOSFET和续流MOSFET以及功率回路寄生电感，并获得所述驱动MOSFET的等效输出电容；...

本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；阱保护层，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方；阱接触层，与所述阱保...

本申请技术方案提供一种SiC MOSFET的辅助关断电路及方法、驱动电路，其中所述辅助关断电路包括：输出侧逻辑控制模块，用于接收所述SiC MOSFET的驱动脉冲信号并输出；输出级功率放大电路，与所述输出侧逻辑控制模块电连接，并被配置为...

本实用新型属于晶圆领域，具体的说是一种晶圆切割设备，包括外壳和夹持机构，所述夹持机构包括操作台、第二固定块、伸缩套、伸缩杆、夹持块、防护垫和防磨损垫，所述外壳的内壁一侧设置有操作台，所述操作台的外壁两侧均固定安装有第二固定块，所述第二固...

本实用新型属于晶圆领域，具体的说是一种晶圆清洗设备，包括支撑板，所述支撑板的内部固定安装有驱动电机，所述驱动电机的输出轴通过联轴器固定连接有转轴，所述转轴的顶端固定安装有旋转平台，所述固定机构包括连接板，所述连接板的外壁固定安装有电动伸...

本实用新型属于晶圆领域，具体的说是一种晶圆测试探针设备，包括操作机构，所述操作机构包括驱动机构，所述驱动机构的输出轴通过联轴器固定连接有转轴，所述转轴的顶端固定安装有支撑平台，所述支撑平台的顶部固定安装有旋转台，所述旋转台的顶部开设有限...

本实用新型属于晶圆领域，具体的说是一种晶圆放置平台，包括主体和滑动机构，所述滑动机构包括滑动板、滑槽、滑块、支撑柱、固定底座、固定螺栓和防滑垫，所述主体的内壁一侧活动连接有滑动板，所述滑动板的外壁表面一侧开设有滑槽，所述滑槽的内部固定安...

本申请技术方案提供一种为SiC MOSFET驱动电路供电的电源，包括：功率回路，被配置为输入直流电压并将所述直流电压变换为一路直流正压和一路直流负压输送至所述驱动电路，所述功率回路还连接输入侧地和输出侧地；控制回路，与所述功率回路连接，...

本申请提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上包括第一外延层，且部分所述第一外延层上包括第二外延层；深阱保护柱，分立的自所述第一外延层的表面向所述第一外延层中延伸并在宽度方向延伸至所述第二外延层的下方，且所述深阱保护柱和...

本申请技术方案提供一种半导体结构，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所...

本实用新型属于晶圆领域，具体的说是一种晶圆存放盒，包括外壳，所述外壳的内部固定安装有防护圈，所述防护圈的两侧均固定安装有第一固定螺栓，所述外壳的内部固定安装有固定机构，所述固定机构包括固定板，所述固定板的顶部开设有限位槽，所述固定板的两...

本实用新型属于半导体领域，具体的说是一种半导体温度控制装置，包括外壳和旋转机构，所述旋转机构包括检修槽、第一合页、第一防护板、密封条、散热面板、第一固定螺栓和散热孔，所述外壳的外壁上端表面开设有检修槽，所述检修槽的外壁一侧固定安装有第一...

本申请技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括外延层；第一掺杂区，分立的位于所述外延层中；第一JFET区，位于所述第一掺杂区的部分表面；第二JFET区，位于相邻所述第一掺杂区之间的部分外延层表面；阱区，位于所述第一JFET区...

本申请技术方案提供一种半导体结构，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不...

本发明公开晶片测试系统及方法。晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第二面。晶片测试系统包括测试机台、第一探针组、载体、膜片、第二探针组、以及工作台。测试机台包括测试电路。第一探针组与测试机台电学连接，第一探针组用于在操作时与晶片的...

本发明公开具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法。芯片终端结构围绕器件区设置。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，JTE区和多个环区具有第二...