本发明公开具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法。芯片终端结构围绕器件区设置。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，JTE区和多个环区具有第二...

本实用新型公开了具有肖特基二极管的半导体器件。根据一实施例，半导体器件包括：基底，基底具有第一面和第二面；阱区；源区，源区位于阱区中；接触区，接触区与阱区和源区接触；肖特基区；以及源金属层，源金属层与肖特基区接触形成肖特基二极管，与接触...

本实用新型公开具有渐变结深的芯片终端结构。芯片终端结构围绕器件区设置。器件区设置有半导体器件。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，JTE区和...

本实用新型公开晶片测试系统。晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第二面。晶片测试系统包括测试机台、第一探针组、载体、膜片、第二探针组、以及工作台。测试机台包括测试电路。第一探针组与测试机台电学连接，第一探针组用于在操作时与晶片的第...

本发明涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种芯片边缘结构及制作方法。其中，芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层，钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面，并且钝化层具有至少一个凹陷区；有机膜层沿预设方向设置在钝化层的表面，...

本实用新型涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种芯片边缘结构。其中，芯片边缘结构包括边缘主体结构层、钝化层及有机膜层，钝化层沿预设方向设置在边缘主体结构层的表面，并且钝化层具有至少一个凹陷区；有机膜层沿预设方向设置在钝化层的表面，并且填...