晶片测试系统技术方案

本实用新型专利技术公开晶片测试系统。晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第二面。晶片测试系统包括测试机台、第一探针组、载体、膜片、第二探针组、以及工作台。测试机台包括测试电路。第一探针组与测试机台电学连接，第一探针组用于在操作时与晶片的第一面电学接触。载体与测试机台机械连接，并且承载第一探针组。膜片具有多个孔，膜片用于在操作时与晶片的第二面物理接触。第二探针组用于在操作时通过多个孔与晶片的第二面电学接触。工作台用于承载第二探针组。根据本实用新型专利技术的晶片测试系统能实现在封装前对薄晶片的电学测试，提供机械保护，改善芯片在电传导和热传导方面的性能。

【技术实现步骤摘要】
晶片测试系统
本技术涉及半导体领域，更具体而言，涉及晶片测试系统。
技术介绍
在晶片切片封装之前，通常需要对晶片中的各个芯片进行芯片探针测试(chipprobing,即CP测试)，以识别坏的芯片，减少后续封装和测试成本。由于独特的优点，作为第三代半导体成员的碳化硅(SiC)获得了广泛的关注和研究。碳化硅拥有10倍于硅材料的临界电场强度，因此在电子功率器件中，允许使用更薄的漂移区来维持更高的阻断电压。目前的碳化硅晶片的厚度可薄至200微米(um)或以下。当碳化硅晶片进一步减薄之后(比如达100um或以下)，同时由于碳化硅晶片相比于硅晶片而言更脆，难以在封装之前直接将晶片置于测试平台上进行CP测试。如果不进行CP测试就直接封装，则坏的芯片只能在后续成品测试中才能被发现，这不只会增加芯片的制造成本，还会延误发现芯片制造中存在的问题以及解决相应问题的时间，因而是十分不利的。
技术实现思路
本技术提出晶片测试系统，以解决现有技术中上述一个或多个技术问题。根据本技术，提供一种晶片测试系统，晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片测试系统，所述晶片测试系统用于测试晶片，所述晶片具有第一面和第二面，其特征在于，所述晶片测试系统包括：/n测试机台，包括测试电路；/n第一探针组，所述第一探针组与所述测试机台电学连接，所述第一探针组用于在操作时与所述晶片的第一面电学接触；/n载体，所述载体与所述测试机台机械连接，并且承载所述第一探针组；/n膜片，所述膜片具有多个孔，所述膜片用于在操作时与所述晶片的第二面物理接触，所述多个孔用于在所述膜片与所述第二面物理接触时暴露出所述第二面的至少一部分；/n第二探针组，所述第二探针组用于在操作时通过所述多个孔与所述晶片的第二面电学接触；/n工作台，所述工作台用于承载所述第二探针组。...

【技术特征摘要】
20190828 CN 20192141823801.一种晶片测试系统，所述晶片测试系统用于测试晶片，所述晶片具有第一面和第二面，其特征在于，所述晶片测试系统包括：
测试机台，包括测试电路；
第一探针组，所述第一探针组与所述测试机台电学连接，所述第一探针组用于在操作时与所述晶片的第一面电学接触；
载体，所述载体与所述测试机台机械连接，并且承载所述第一探针组；
膜片，所述膜片具有多个孔，所述膜片用于在操作时与所述晶片的第二面物理接触，所述多个孔用于在所述膜片与所述第二面物理接触时暴露出所述第二面的至少一部分；
第二探针组，所述第二探针组用于在操作时通过所述多个孔与所述晶片的第二面电学接触；
工作台，所述工作台用于承载所述第二探针组。


2.根据权利要求1所述的晶片测试系统，其特征在于，所述多个孔的每个孔的直径在50微米至250微米范围。


3.根据权利要求1所述的晶片测试系统，其特征在于，所述多个孔的相邻孔之间的距离在50微米至4...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙倩，陈伟钿，李浩南，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31