MOSFET功率回路寄生电感的确定方法技术

本申请技术方案提供一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，包括：提供桥臂MOSFET功率回路的等效功率电路，所述等效功率电路包括桥接的驱动MOSFET和续流MOSFET以及功率回路寄生电感，并获得所述驱动MOSFET的等效输出电容；对所述桥臂MOSFET功率回路进行双脉冲测试，获得所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系；根据所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系获得谐振频率；根据所述等效输出电容和所述谐振频率，获得功率回路寄生电感值。本申请技术方案在不对器件造成损害的情况下，解决了MOSFET功率回路寄生电感难以获取的问题。MOSFET功率回路寄生电感难以获取的问题。MOSFET功率回路寄生电感难以获取的问题。

Determination method of parasitic inductance of MOSFET Power Circuit

【技术实现步骤摘要】
MOSFET功率回路寄生电感的确定方法


[0001]本申请涉及MOSFET电路领域，尤其涉及一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件在电力电子技术中占有极为重要的地位。作为功率变换器中的核心部分，功率开关器件的发展水平在很大程度上决定了电力电子设备的发展水平。
[0003]以Si材料功率半导体为基础的MOSFET、IGBT等功率开关器件在行业里的应用最为广泛，但是由于Si材料自身的局限性，使其发展极为受限，其特性已接近理论极限，成为电力电子功率变换器进一步发展的瓶颈。Si材料半导体的在1200V和1700V典型应用电压等级下导通电阻较高，使得Si材料功率半导体器件的开关损耗较高；此外，Si器件的禁带宽度及导热率均较小，使得器件的最大功率和最大工作温度都受限。
[0004]在高电压和大功率的应用场合，SiC材料功率半导体具有明显的优势。SiC材料功率半导体具有击穿电压高、热导率高、开关频率高等良好特性，使得SiC材料功率半导体器件在近年来发展迅速，并广泛投入到商业化应用当中。采用SiC材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，包括：提供桥臂MOSFET功率回路的等效功率电路，所述等效功率电路包括桥接的驱动MOSFET和续流MOSFET以及功率回路寄生电感，并获得所述驱动MOSFET的等效输出电容；对所述桥臂MOSFET功率回路进行双脉冲测试，获得所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系；根据所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系获得谐振频率；根据所述等效输出电容和所述谐振频率，获得功率回路寄生电感值。2.根据所述权利要求1所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，根据所述驱动MOSFET的电容电压特性曲线获得所述驱动MOSFET的等效输出电容。3.根据所述权利要求1所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，所述等效功率回路还包括：负载电感，加载在所述续流MOSFET的源极和漏极上；母线电容，所述母线电容的第一端电连接所述驱动MOSFET的源极；其中所述功率回路寄生电感的第一端电连接所述母线电容的第二端，所述功率回路寄生电感的第二端电连接所述续流MOSFET的漏极。4.根据所述权利要求3所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，所述功率回路寄生电感包括器件封装电感、PCB线路电感和母线电容等效串联电感。5.根据所述权利要求1所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，获得所述谐振频率的方法包括：根据所述驱动MOSFET的关断电压与时间的关系，获得所述驱动MOSFET的关断电压的震荡周期；基于所述震荡周期，获得所述谐振频率。6.根据所述权利要求1所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，根据如下公式(2)计算所述功率回路寄生电感值：其中，L
LOOP
为功率回路寄生电感值，C
OSS
为驱动MOSFET的等效输出电容，f0为谐振频率。7.根据所述权利要求1或6所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，获得所述功率回路寄生电感值的方法包括：基于所述驱动MOSFET关断时的电压过冲和振荡过程，获得所述等效功率电路的简化电路；基于所述电压过冲和振荡过程均发生在高频段，将所述简化电路转化为小信号电路；根据所述小信号电路获得所述功率回路寄生电感值。8.根据所述权利要求7所述的MOSFET功率回路寄生电感的确定方法，其特征在于，所述简化电路包括：所述驱动MOSFET的等效...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵凤俭，
申请(专利权)人：飞锃半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：