本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底设有Ｎ型外延，在Ｎ型外延上设有２块场氧化层，在Ｎ型外延上设有重掺杂Ｎ型区且该重掺杂Ｎ型区位于２块场氧化层之间，...

Ｔ形梁平行板微机械可变电容是利用Ｔ形梁和平行板结构来实现一个微机械可变电容，该结构利用平行板之间电压变化的形式实现电容的变化，其层状结构从上到下顺序为：上极板铝（１），介质层（２），下极板铝（３），绝缘层（４），导电屏蔽层（５），硅衬底...

一种线性掺杂的高压Ｐ型金属氧化物半导体管，在Ｐ型衬底上设有Ｎ型阱和Ｐ型漂移区，在Ｎ型阱内设有Ｎ型接触孔和Ｐ型源，在Ｐ型漂移区内设有Ｐ型漏，在Ｎ型阱和Ｐ型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于Ｎ型阱与Ｐ型漂移区...

一种线性掺杂的高压Ｎ型金属氧化物半导体管，在Ｎ型衬底上设有Ｐ型阱和Ｎ型漂移区，在Ｐ型阱内设有Ｐ型接触孔和Ｎ型源，在Ｎ型漂移区内设有Ｎ型漏，在Ｐ型阱和Ｎ型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于Ｐ型阱与Ｎ型漂移区...

多位复合驱动器属于半导体集成电路，它由若干个单元器件组成，每个单元器件都由一个ＭＯＳ管作为输入端，一个双极晶体管作为输出端，具有体积小，功耗低的优点，不仅可以直接驱动步进电机或热敏头，而且可以直接与其它控制电路接口，有利于整个控制电路集...

本发明属于薄膜的制备方法．目前，关于变折射率材料（光纤、成像元件、光波导等）的制造方法较多，大多纯属化学法．真空蒸发法及溅射法又只能得到均匀折射率薄膜．本发明是采用单个电子束蒸发源，实行真空蒸发，在基底上获得变折射率薄膜，是一种物理法．...

用于半导体片直接键合的表面处理方法，采用等离子体表面处理，不仅可以增加半导体表面的ＯＨ浓度，而且可以增加表面层内原子活性。从而显著增大键合强度。本方法可以在半导体表面生长绝缘层的同时完成，操作方便，成本低，便于在批量生产中应用。

区熔再结晶ＳＯＩ的防气化多层结构，是一种防止ＳＯＩ硅薄膜在区熔再结晶过程中覆盖层失效的新结构。它采用在硅与二氧化硅之间增加隔离层的方法，形成多层结构，抑制熔融硅与二氧化硅之间产生气化反应。本发明不仅能防止覆盖层的失效，而且可以降低对于区...

一种用于直接键合半导体片的工艺方法，采用氧化、表面处理和热处理的方法实现，其特点是将经过镜面抛光的硅片氧化后，对绝缘层表面进行表面结合键增强处理，热处理采用低温处理和高温处理相结合的方法。本发明具有键合面积大、可靠和工艺方便、设备简单、...

键合在绝缘体上硅的减薄方法，先将键合好的ＳＯＩ硅片进行粗减薄，然后采用集成电路工艺形成欧姆接触，再加上形成耗尽层电压进行阳极腐蚀，腐蚀液变稀释氢氟酸，对于不需要腐蚀的部分，可用黑蜡或黑胶膜密封起来，腐蚀时可加磁搅拌，具有工艺简单，成本低...

硅片直接键合方法适用于硅片之间的直接化学键合，它将经过镜面抛光的硅片在Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］和Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］混合液中煮，再在稀ＨＦ溶液中漂，用去离子水冲干净并在室温下甩干后即可重合，重合好的硅片快速投入高温炉中进行热处理，然后缓慢...

本发明公开了一种平面微细结构加工装置。本发明由三维压电扫描器、探针及安装调节器组成，在探针的外部设有密封室，在密封室的下部设有可供探针进出的小孔，在密封室上还设有气孔，该气孔可以包括入气孔和出气孔，上述密封室可以选择为锥形密封室。本发明...

多次压印定点合成法制备化合物微阵列芯片的方法是一种利用多次压印定点合成法制备各种化合物微阵列芯片的方法，该方法首先根据所需化合物的微阵列设计制备一套微印章，然后根据原先的设计在制备的各微印章上涂上一层对应的化学反应物，最后按照设计的顺序...

硅基双势垒结构隧道发光二极管及其制造方法是一种硅基发光管及其制造方法，该发光管结构为以硅片为基底，在硅片的上表面设有一层磷扩散层，在磷扩散层上设有一厚层的二氧化硅薄膜，在厚层二氧化硅薄膜上设有一个小孔，该小孔底部为薄层二氧化硅薄膜，在小...

多晶硅薄膜的制造方法是一种用镍诱导非晶硅晶化获得高质量多晶硅薄膜的方法，其具体的方法为：①在绝缘衬底上淀积一层非晶硅材料；②用二氧化硅覆盖非晶硅薄膜；③在二氧化硅上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法工艺刻蚀掉露出非晶硅；④在二氧化硅...

选择性化学镀制备纳米间隙电极的方法是一种制备纳米级电子器件的方法，第一步：通过一般的光刻技术加工出所需的双电极结构的器件，其中电极可为任意金属材料，基底为硅基材料；第二步：通过分子组装技术获得暴露的硅基材料表面的光敏薄层，通过浸涂工艺涂...

电位控制ＤＮＡ在电极表面的自组装方法是一种基于ＤＮＡ纳米器件的制备方法，属于用化学自组装方法制造纳米器件的技术领域。其自组装的方法为：①对需要组装的电极进行清洁预处理；②将预处理后的电极侵入“ｐｒｉａｎｈａ’溶液或热稀硝酸中５～１５分钟...

多晶硅温度二极管的集成风速计及其制造方法，是一种采用多晶硅温度二极管测量热损失的风速计，在结构上由多晶硅温度二极管和圆环形加热器所组成，圆环形加热器位于中央，在圆环形加热器的圆周外对称、均匀地设有多晶硅温度二极管，圆环形加热器和多晶硅温...

平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压Ｐ型ＭＯＳ管和高压Ｎ型横向双扩散ＭＯＳ管组成，高压Ｎ型横向双扩散ＭＯＳ管设在Ｐ型衬底上，在Ｐ型衬底上位于高压Ｎ型横向双扩散ＭＯＳ管的源区下方位置设有Ｐ型阱，在Ｐ型衬底上设Ｎ型深阱，高压二极...

高压Ｐ型ＭＯＳ管，包括Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有深Ｎ型阱，在深Ｎ型阱上设有Ｐ型漂移区和Ｐ管源区及漏区，在Ｐ管漏区的周围设有场区，在场区上设有场氧，在深Ｎ型阱上还设有栅氧，在栅氧上设有多晶硅栅，在Ｐ管源区、漏区及多晶硅栅设有铝引线，在深Ｎ...