本发明公开了一种内置保护Ｐ型高压金属氧化物半导体管，包括Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底的上方设有Ｎ型外延接触孔、源、漏、场氧化层和多晶栅，在多晶栅的下方有栅氧化层，在Ｎ型外延接触孔、源、漏、场氧化层及多晶栅的上方有氧化层，在漏和场氧化层的下方设有...

本发明公开了一种内置保护Ｎ型高压金属氧化物半导体管，包括Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底的上方设有源、Ｐ型接触孔、场氧化层、漏和多晶栅，在多晶栅的下面设有栅氧化层，在Ｐ型接触孔、源、多晶栅、场氧化层和漏的上方设有氧化层，在Ｐ型接触孔及源上设有铝引线...

本发明公开了一种横向缓冲Ｐ型金属氧化物半导体管，包括：Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层上设有Ｐ型漂移区、源、Ｎ型外延接触孔和场氧化层，在Ｐ型漂移区上设有漏和另一场氧化层，在场氧化层、Ｎ型外延接触孔、源、Ｎ型外延层、另一...

本发明是一种并行光互连集成电路芯片，包括芯片基体，在芯片基体上设有电路单元，在芯片基体上设有光电转换单元，光电转换单元与电路单元的相应接点相连。本发明中的光电转换单元的芯片可以用光作为信息载体输出或输入信号，与电互连相比，具有更大的信号...

本实用新型公开了一种高压Ｐ型金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，在栅氧的下方设有Ｎ型外延接触孔，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在场氧及漏的下方设有Ｐ型漂移区，源、Ｐ型漂移...

本发明公开了一种高压Ｎ型横向双扩散金属氧化物半导体管，由源、漏、栅、场氧、栅氧和氧化层组成，栅氧设在源、漏和场氧上，栅位于栅氧与氧化层之间，在栅、源和漏上设有铝引线，在源下方设有Ｐ型阱，在Ｐ型阱上设有Ｐ型阱接触孔，Ｐ型阱、漏和场氧设在Ｐ...

周期结构宽带隙半导体ＺｎＯ薄膜的制备法是一种半导体薄膜材料的制备及先进紫外激光器材料的构建方法，该法先用溶胶－凝胶法制备ＳｉＯ＃－［２］微球，然后用垂直浸渍法制备ＳｉＯ＃－［２］微球的蛋白石结构模板，最后用化学沉积法制备周期结构ＺｎＯ薄...

一种等离子平板显示器驱动芯片用的高压器件结构，至少包含１个芯片单元，该芯片单元包括Ｐ型衬底（１），其特征在于在Ｐ型衬底（１）上设有高压Ｐ型横向ＭＯＳ管（２）和纵向ＭＯＳ管（３），在高压Ｐ型横向ＭＯＳ管（２）和高压型纵向ＭＯＳ管（３）之间...

一种属于高压器件的双栅高压Ｎ型金属氧化物半导体管，至少包括１个器件单元，该器件单元包括：Ｐ型衬底（１），在Ｐ型衬底（１）上有Ｎ型重掺杂埋层（２），在Ｎ型重掺杂埋层之上设有Ｎ型外延层（３），Ｎ型外延层（３）上设有深Ｎ型漏连接层（４），在深...

一种属于高压器件的双栅高压Ｐ型金属氧化物半导体管，至少包括１个器件单元，该器件单元包括：Ｎ型衬底（１），在Ｎ型衬底（１）上有Ｐ型重掺杂埋层（２），在Ｐ型重掺杂埋层之上设有Ｐ型外延层（３），Ｐ型外延层（３）上设有深Ｐ型漏连接层（４），在深...

纵向多面栅金属－氧化物－半导体场效应晶体管及其制造方法是一种利用侧壁栅形式实现载流子纵向迁移和多面栅ＭＯＳＦＥＴ的结构，该晶体管利用侧壁栅的形式实现载流子的纵向迁移，自上而下分别为上源／漏区１、多晶硅栅４、下漏／源区３的ＭＯＳ三层结构，...

纳米间隙电极的制备方法是一种基于分子组装技术的制备纳米间隙电极的选择性化学沉积方法，其制备的方法为：首先，用传统光刻工艺制备出微米或亚微米间隙的原型电极；在上述电极表面采用分子组装技术获得双功能分子“Ｘ－Ｒ－Ｙ”的单分子膜；再利用该单分...

光电性能综合测试装置是一种测量光电转换材料和器件的光电性能的装置，该装置中氙灯光源（１）作为模拟太阳光源，光栅单色仪（３）与氙灯光源（１）间以光纤导光束（２１）相连，光栅单色仪（３）与测试暗箱（５）以光纤导光束（２２）相连；测试暗箱（５...

本发明公开了一种涉及高压器件的多电位场极板高压Ｎ型金属氧化物半导体管，由Ｎ型衬底、Ｐ型外延层、源、漏、多晶硅栅、场氧化层和氧化层组成，在场氧化层的上方且位于漏和多晶硅栅之间设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与漏连接。本发明引入了与漏端等电...

Ｔ形梁平行板微机械可变电容及其制造工艺是利用Ｔ形梁和平行板结构来实现一个微机械可变电容，该结构利用平行板之间电压变化的形式实现电容的变化，其层状结构从上到下顺序为：上级板铝（１），介质层（２），下极板铝（３），绝缘层（４），导电屏蔽层（...

光刻胶三维刻蚀过程模拟的动态元胞自动机方法，采用三维的摩尔邻域，计算某一个元胞的刻蚀过程时，考虑６个相邻元胞和１２个对角邻元胞对其刻蚀过程的影响，忽略８个点相邻元胞对其刻蚀过程的影响，制定规则确定模拟运算过程中不断更新的表面元胞，使得模...

微型致冷器及其制备方法是一种用来提高对激光器件、计算机ＣＰＵ的温度控制，改善芯片内部的散热，从而提高器件芯片的工作效率，延长使用寿命的技术，该致冷器为多层结构，自下至上顺序为高温区域（１），金属层（２），Ｐ型半导体（３）、Ｎ型半导体（６...

磁场诱导取向沉积方法制备磁性纳米间隙电极，涉及一种纳米结构、纳米器件的加工技术。该方法通过磁性金属在普通光刻电极上的选择性沉积与沿着电极对方向的磁场同步诱导取向生长，在不相应增加电极的侧向宽度情况下将普通光刻电极对的间隙小到纳米级，实现...

薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法提供了一种用于薄膜二维淀积过程模拟的边界元胞自动机方法，该方法采用二维的摩尔邻域，在一个薄膜的淀积过程中，根据薄膜淀积过程中不断变化的衬底表面形貌确定各个时间步长时对应的淀积速率，并采用次级时间步...

并联阵列式微型制冷器及其制备方法是一种用来提高对激光器件、计算机ＣＰＵ的温度控制，改善芯片内部的散热，从而提高器件芯片的工作效率，延长使用寿命的技术，其层状结构，其位置排列依次为：Ｐ型半导体的硅基底（６），Ｐ型半导体的缓冲层（７），Ｐ型...