周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法技术

周期结构宽带隙半导体ＺｎＯ薄膜的制备法是一种半导体薄膜材料的制备及先进紫外激光器材料的构建方法，该法先用溶胶－凝胶法制备ＳｉＯ＃－［２］微球，然后用垂直浸渍法制备ＳｉＯ＃－［２］微球的蛋白石结构模板，最后用化学沉积法制备周期结构ＺｎＯ薄膜。ＳｉＯ＃－［２］微球用正硅酸乙酯在碱性乙醇溶液中水解来制备；ＳｉＯ＃－［２］微球的蛋白石结构模板是将导电玻璃垂直浸入ＳｉＯ＃－［２］稀胶体中，待其自然挥发到使玻璃脱离液面时即在其上形成ＳｉＯ＃－［２］膜。周期结构ＺｎＯ薄膜是将模板用碱水浸渍处理，漂洗后浸入Ｚｎ（ＮＯ＃－［３］）＃－［２］水溶液中，经漂洗后再浸入Ｎａ＃－［２］ＣＯ＃－［３］水溶液中，经漂洗后再重复后两步操作５－１５次，最后漂洗、晾干、退火，使生成的ＺｎＣＯ＃－［３］分解为ＺｎＯ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是一种半导体薄膜材料的制备及先进紫外激光器材料的构建方法，属于半导体薄膜材料制备的

技术介绍
氧化锌(ZnO)是一种性能十分丰富的材料，在电子、光学、声学及化学等领域都有广泛应用。ZnO为纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子结合能高达60meV，因此具备了发射蓝光或近紫外光的优越条件。而且，ZnO可实现p-型或n-型掺杂、有很高的导电、导热性能，化学性质稳定，用它来制备发光器件必然具有高的稳定性和较低的价格。1997年，ZnO的光泵浦近紫外受激发射现象被报道，由于其发射比GaN蓝光更短的波长，将在提高光记录密度和光信息的存取速度方面起到非常重要的作用，引发了ZnO半导体激光器件的研究热潮。《Science》上的一片专题评论称ZnO薄膜紫外光发射的研究是“一项伟大的工作”。近年来，随着材料生长工艺的改进，许多先进的生长技术被用于ZnO薄膜的制备，如直流反应溅射法、脉冲激光沉积(PLD)法、分子束外延(MBE)法、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法等。对于ZnO基紫外激光的研究，主要是基于上述技术制备的ZnO单晶膜、六角柱形蜂巢状纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于该方法首先采用溶胶－凝胶法制备ＳｉＯ↓［２］微球，然后用垂直浸渍法制备ＳｉＯ↓［２］微球的蛋白石结构模板，最后采用化学沉积法制备周期结构氧化锌薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于该方法首先采用溶胶-凝胶法制备SiO2微球，然后用垂直浸渍法制备SiO2微球的蛋白石结构模板，最后采用化学沉积法制备周期结构氧化锌薄膜。2.根据权利要求1所述的一种周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于采用溶胶一凝胶法制备SiO2微球的方法是先将氨水加入乙醇中，形成第一种混合液，然后将正硅酸乙酯加入另一容器中的乙醇中形成第二种混合液，将两种混合液进行反应得到SiO2胶体，经陈化后，分离掉下层沉淀，即可得SiO2微球。3.根据权利要求1所述的一种周期结构宽带隙半导体氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于用垂直浸渍法制备SiO...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，马明，顾宁，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]