高性能场致发射阵列摄像管采用场致发射阵列为阴极发射源，靶面装置由靶面、透明导电膜和玻璃构成，阴极与靶面装置间设有绝缘体支撑的多孔状场网，阴极发射体为金属锥体、半导体锥体或金刚石薄膜，可采用双门极结构或二极管结构，电子束扫描采用矩阵选址技...

本实用新型公开了一种平面微细结构加工装置。本实用新型由三维压电扫描器、探针及安装调节器组成，在探针的外部设有密封室，在密封室的下部设有可供探针进出的小孔，在密封室上还设有气孔，该气孔可以包括入气孔和出气孔，上述密封室可以选择为锥形密封室...

硅集成多触点真空度开关是一种用于低真空系统中分段自动控制真空度的半导体传感器，采用表面有重掺杂的硅材料为衬底，多晶硅薄膜与衬底之间采用亚真空系统中沉积ＳｉＯ↓［２］层真空封接构成真空参考腔，腔间距由沉积ＳｉＯ↓［２］层厚度控制，多晶硅薄...

本实用新型公开了一种用于制作真空微二极管的模具，由阳极和硅衬底组成，阳极设在硅衬底上，在硅衬底上设有锥尖Ｖ形坑，在阳极及Ｖ形坑的表面设有氧化硅层。考虑到与集成电路制造技术兼容，阳极为浓硼扩散硅阳极，硅衬底为（１００）晶向硅衬底。由于本实...

智能高压大功率器件是一种具有自动限流保护的高压大功率ＶＤＭＯＳ器件，由高压大功率分源ＶＤＭＯＳＦＥＴ、电阻和过流限制器件组成，过流限制器件可以由双极型晶体管或ＭＯＳ管构成，整个器件制作在同一硅片衬底上，可采用常规的ＶＤＭＯＳＦＥＴ工艺实...

本实用新型公开了一种高压Ｐ型ＭＯＳ管，包括Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有深Ｎ型阱，在深Ｎ型阱上设有Ｐ型漂移区和Ｐ管源区及漏区，在Ｐ管漏区的周围设有场区，在场区上设有场氧，在深Ｎ型阱上还设有栅氧，在栅氧上设有多晶硅栅，在Ｐ管源区、漏区及多晶硅...

本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压Ｐ型ＭＯＳ管和高压Ｎ型横向双扩散ＭＯＳ管组成，高压Ｎ型横向双扩散ＭＯＳ管设在Ｐ型衬底上，在Ｐ型衬底上位于高压Ｎ型横向双扩散ＭＯＳ管的源区下方位置设有Ｐ型阱，在Ｐ型衬底上...

本实用新型公开了一种沟槽高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的Ｐ型漏区，在Ｐ型漏区上设有Ｐ型外延，在Ｐ型外延上设有Ｎ型阱，在Ｎ型阱上设有Ｐ型源区和Ｎ型接触孔，在Ｎ型阱及Ｐ型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅...

平面三极场致发射显示器是一种发射性能优良，制备工艺简单和成本低廉的制备的方法，在阴极玻璃基板（１）上设有多条数据电极（２），在数据电极（２）上设有与之垂直的横条状介质层（３），该介质层（３）上的与数据电极（２）相交处设有场发射材料层（４...

新型的硅片腐蚀装置是一种可获得大面积均匀腐蚀的硅片腐蚀装置，由腐蚀槽、样品架和搅拌系统组成，其特点是样品架采用三爪式结构，搅拌系统采用偏心的双向旋转搅拌子，样品架的转动方向与搅拌子的转向相反，采用温度控制器控制腐蚀液温度，具有结构简单、...

新型压力敏感器件是一种由高平整度硅膜片制备的力敏传感器，由硅层、介质层和硅膜片组成，其特点是硅膜片由高平整度和均匀厚度的硅膜片构成，它采用异质材料在同一腐蚀液中腐蚀速率的显著差异制成，将异质结界面作为腐蚀自停止界面，使腐蚀后的硅膜片具有...

高清晰度电视摄象管的靶采用快电子扫描，同时具有慢扫描优点。本实用新型由靶网、靶面和信号板组成，其特点是在靶面上蒸散一层高二次放射系数的介质膜，信号电压高过３００～４００伏，利用靶面的反向击穿效应或反向漏电效应建立靶面的平衡电位。由于靶面...

平面型硅抗电涌器件是一种用于雷达、程控交换机等电子设备的输入保护器件，它在Ｎ型衬底硅上有Ｐ型扩散区，Ｐ区内有Ｎ↑［＋］扩散区，Ｐ区边缘设有Ｐ↑［＋］截止环，外围设有Ｐ型分压环，Ｎ↑［＋］区内有规则排列的短路点，截止环和分压环的表面有氧化...

本实用新型公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层上设有高压－Ｐ型横向金属氧化物半导体管、高压－Ｎ型横向...

一种用于雷达、程控交换机等电子设备的陶瓷封装半导体抗电涌器件，由管芯和管壳组成，其特征在于管壳采用金属陶瓷封装结构，陶瓷管两端的上、下金属电极将管芯密封在陶瓷管内，管芯的一面通过焊片与下电极连接，管芯的另一面通过金属带与上电极连接。

固体放电三极管是一种用于防止雷电浪涌损坏电子设备和器件的保护器，它由制作在同一衬底上的两个固体放电二极管构成，衬底一面的两个电极联接成接地极，另一面两电极分别引出，每个二极管都由ｎ型硅衬底的双面制作硼扩散区和磷扩散区构成，两个磷扩散区位...

固体放电二极管是一种用于防止雷电浪涌损坏电子设备和器件的保护器，它由在ｎ型硅衬底双面制作硼扩散区和磷扩散区构成，两个磷扩散区位于两个硼扩散区内的两侧，并且有均匀分布的圆形短路点，整个器件构成旋转１８０°的轴对称结构，短路点位置为正三角形...

太阳能热泵制热与光伏发电一体化装置涉及太阳能光伏发电技术、热泵技术。目的在于使太阳能光伏组件获取更高的光电转换效率的同时，通过热泵装置有效地利用太阳辐射能进行建筑物供暖、供热水等热量需求，实现太阳能光电光热多梯度的高效利用。该一体化装置...

本实用新型公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有两块场氧化层，在Ｐ型衬底上设有重掺杂Ｎ阱且该重掺杂Ｎ阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂Ｎ阱与Ｐ型衬底之间...

本实用新型公开一种兼容性好且能够降低工艺成本的厚栅高压Ｐ型金属氧化物半导体管；包括：Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底上设有Ｎ型埋层，在Ｎ型埋层上设有Ｎ型外延层，在Ｎ型外延层上设有Ｎ型阱和Ｐ型漂移区，在Ｎ型阱上设有Ｐ型源和Ｎ型接触孔，在Ｐ型漂移区内设...