高压P型金属氧化物半导体管制造技术

一种线性掺杂的高压Ｐ型金属氧化物半导体管，在Ｐ型衬底上设有Ｎ型阱和Ｐ型漂移区，在Ｎ型阱内设有Ｎ型接触孔和Ｐ型源，在Ｐ型漂移区内设有Ｐ型漏，在Ｎ型阱和Ｐ型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于Ｎ型阱与Ｐ型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在Ｎ型接触孔和Ｐ型源上，多晶硅栅上，Ｐ型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，Ｐ型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿Ｐ型源至Ｐ型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种线性掺杂的高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括Ｐ型衬底（１），在Ｐ型衬底（１）上设有Ｎ型阱（２）和Ｐ型漂移区（３），在Ｎ型阱（２）内设有Ｎ型接触孔（６）和Ｐ型源（５），在Ｐ型漂移区（３）内设有Ｐ型漏（４），在Ｎ型阱（２）和Ｐ型漂移区（３）的上方设有栅氧化层（７），在栅氧化层（７）上方设有多晶硅栅（８）且多晶硅栅（８）位于Ｎ型阱（２）与Ｐ型漂移区（３）交界的上方，在栅氧化层（７）及多晶硅栅（８）的上方设有场氧化层（１０），在Ｎ型接触孔（６）和Ｐ型源（５）上连接有铝引线（１１），在多晶硅栅（８）上连接有铝引线（１２），在Ｐ型漏（４）上连接有铝引线（１３），在场氧化层（１０）内设有多晶硅场极板（９），该多晶硅场极板（９）与多晶硅栅（８）连接，其特征在于Ｐ型漂移区（３）由、第二区（Ｎ２）、第三区（Ｎ３）及第四区（Ｎ４）组成，该四根区沿Ｐ型源（５）至Ｐ型漏（４）的方向依次排列，上述第一区（Ｎ１）始于Ｎ型阱（２）的边界终于多晶硅栅（８）的端部，第二区（Ｎ２）始于多晶硅栅（８）的端部终于多晶硅场极板（９）的端部，第三区（Ｎ３）始于多晶硅场极板（９）的端部终于与Ｐ型漏（４）连接铝引线（１３）的末端，第四区（Ｎ４）始于与Ｐ型漏（４）连接铝引线（１３）的末端终于Ｐ型漏（４）的末端，上述第四区（Ｎ４）的掺杂浓度大于第三区（Ｎ３），第三区（Ｎ３）的掺杂浓度大于第二区（Ｎ２），第二区（Ｎ２）的掺杂浓度大于第一区（Ｎ１）。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，易扬波，夏小娟，徐申，陆生礼，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]