【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多晶硅薄膜的制造方法本专利技术是一种制造多晶硅薄膜的方法,特别是一种采用镍诱导非晶硅晶化获得高质量多晶硅薄膜的方法。多晶硅薄膜在半导体器件制造领域有广泛的应用,例如制造高性能薄膜晶体管、代替SOI材料等。目前主要的生产方法是采用直接化学气相淀积多晶硅膜、非晶硅膜经激光退火处理等方法。前者制备方法简单、材料均匀性好、晶化后的材料晶粒大小均匀,但晶粒尺寸小。后者采用激光照射淀积的硅表面,但照射面积小,成本高,不适合大批量生产。本专利技术的目的是提供一种生产成本低、材料的电子迁移率比普通化学气相淀积多晶硅高、且均匀性较激光退火法制造的多晶硅膜。本专利技术的技术方案是采用镍诱导非晶硅横向晶化的方法制造多晶硅薄膜,其具体的方法为:①在绝缘衬底上淀积一层非晶硅材料;②用二氧化硅覆盖非晶硅薄膜;③在二氧化硅上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出,并采用干法工艺刻蚀掉露出非晶硅;④在二氧化硅及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层;⑤在500~650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。绝缘衬底为玻璃或氧化的硅片。非晶硅的淀积采用低压化学气相淀积法。 窗口边缘的区域称为诱导晶化区。在退火过程中用氮气保护。窗口边缘的区域由于材料含有太多的镍,不适合作为器件的有源-->区。横向诱导晶化区是从窗口边缘处横向晶化生长出来的,器件晶粒大,所含镍金属沾污小,因此器件可以制做在此晶化区上。如果材料允许承受高温,该材料还可以在晶化处理后,放入高温(900~1100℃)处理一段时间,以减小缺陷和使晶粒二次生长。本专利技术的优点在于由于采用集成电路标准生产工艺淀积非晶硅二氧化硅和金属,因此制 ...
【技术保护点】
一种多晶硅薄膜的制造方法,其特征在于采用镍诱导非晶硅横向晶化的方法制造多晶硅薄膜,其具体的方法为:①在绝缘衬底(1)上淀积一层非晶硅材料(3);②用二氧化硅(5)覆盖非晶硅薄膜;③在二氧化硅(5)上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并 采用干法艺刻蚀掉露出的非晶硅;④在二氧化硅(5)及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层(6);⑤在500~650℃的环境下退火以实现非晶硅的晶化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多晶硅薄膜的制造方法,其特征在于采用镍诱导非晶硅横向晶化的方法制造多晶硅薄膜,其具体的方法为:①在绝缘衬底(1)上淀积一层非晶硅材料(3);②用二氧化硅(5)覆盖非晶硅薄膜;③在二氧化硅(5)上开一些小窗口使非晶硅薄膜露出并采用干法艺刻蚀掉露出的非晶硅;④在二氧化硅(5)及其上所开的小窗口上蒸发一层金属镍层作为诱导层(6);⑤在50...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。