高压功率集成电路隔离结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：Ｐ型衬底，在Ｐ型衬底设有Ｎ型外延，在Ｎ型外延上设有２块场氧化层，在Ｎ型外延上设有重掺杂Ｎ型区且该重掺杂Ｎ型区位于２块场氧化层之间，在Ｎ型外延内设有２个Ｐ型隔离阱，该２个Ｐ型隔离阱分别位于２块场氧化层的下方，并且该２个Ｐ型隔离阱将Ｎ型外延分隔成３块，上述重掺杂Ｎ型区位于２个Ｐ型隔离阱之间，在２个Ｐ型隔离阱的上端分别设有重掺杂Ｐ型区，上述重掺杂Ｎ型区及重掺杂Ｐ型区与零电位相连接。本实用新型专利技术能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高压功率集成电路隔离结构，包括：Ｐ型衬底（１），在Ｐ型衬底（１）设有Ｎ型外延（２），在Ｎ型外延（２）上设有２块场氧化层（３、４），其特征在于在Ｎ型外延（２）上设有重掺杂Ｎ型区（５）且该重掺杂Ｎ型区（５）位于２块场氧化层（３、４）之间，在Ｎ型外延（２）内设有２个Ｐ型隔离阱（６、７），该２个Ｐ型隔离阱（６、７）分别位于２块场氧化层（３、４）的下方，并且该２个Ｐ型隔离阱（６、７）将Ｎ型外延（２）分隔成３块，上述重掺杂Ｎ型区（５）位于２个Ｐ型隔离阱（６、７）之间，在２个Ｐ型隔离阱（６、７）的上端分别设有重掺杂Ｐ型区（８、９），上述重掺杂Ｎ型区（５）及重掺杂Ｐ型区（８、９）与零电位相连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：易扬波，徐申，李海松，孙伟锋，夏晓娟，李杰，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：84[中国|南京]