一种用于在半导体处理环境中管理数据的方法。在处理期间采集原始数据。还接收跟踪文件数据和处理日志文件数据。将原始数据与跟踪文件数据和处理日志文件数据同步以创建晶片数据，从原始数据中计算汇总数据，并创建包含晶片数据和汇总数据的文件。

一种作业者管理系统，其特征在于，包括：根据作业内容而分为多个作业区域的作业地点；存储使所述作业地点的各作业区域与在该各作业区域所进行的作业内容相关联的作业确定信息的作业确定信息存储单元；设置在所述各作业区域的作业者检 ...

本发明描述了一种使用ＡＰＣ系统执行数据预填充功能的方法，其中ＡＰＣ系统耦合到处理元件。ＡＰＣ系统包括含有操作软件的ＡＰＣ计算机、耦合到ＡＰＣ计算机的数据库，以及ＧＵＩ，并且处理元件包括工具、处理模块和传感器中的至少一种。当ＡＰＣ系统操作...

本发明中包括：第１光路形成部件和第２光路形成部件，各自的入口侧配置在来自光源的光电子束的通路内；第１放置台，放置基板，绕垂直轴自由旋转，并且基板的周缘部位于来自第１光路形成部件的出口侧的光电子束照射区域；第２放置台，基板的周缘部位于来自...

本发明涉及一种对基片进行涂覆和显影处理的方法，这种方法包括如下步骤：在基片上涂覆感光胶并在其上形成涂覆膜；对形成涂覆膜的基片进行加热处理；在加热处理之后冷却基片；对基片上的涂覆层进行曝光处理；在曝光处理之后对基片进行显影处理。还包括如下...

本发明是一种对基片进行涂敷和显影处理的系统，该系统包含处理部分，该处理部分有用于在基片上形成涂层薄膜的涂敷单元、用于对基片显影的显影单元、用于对基片进行热处理的热处理单元、用于将基片送入／送出这些涂敷单元、显影单元和热处理单元的第一运送...

一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有以大致水平的姿式向水平方向传送基片的传送路径，在传送路径上向基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有一个或多个喷射蒸气的蒸气喷射喷嘴、在液体处理部下游一侧的传送路径上...

公开了一种在清洗微电子部件的过程中，为减少处理低ｋ介电材料膜时的损伤的设备、方法和系统。本发明通过对微电子组件的处理采取首先进行钝化处理随后进行清洗溶液处理，来清洗多孔低ｋ介电材料膜，从而在具有高选择性的同时对介电材料的损伤最小。

公开了一种使用超临界二氧化碳钝化溶液来钝化二氧化硅基低ｋ材料的方法，所述钝化溶液包括甲硅烷基化剂。所述甲硅烷基化剂优选是有机硅化合物，其包括具有五个碳原子的有机基团，例如六甲基二硅氮烷（ＨＭＤＳ）和氯三甲基硅烷（ＴＭＣＳ）以及它们的组合...

本发明提供一种基板处理装置和基板定位装置，可省空间高效率地决定被处理基板的位置。在将基板（Ｇ）移载在提升销（１３２）上后，各旋转驱动部（１５２）经过旋转驱动轴（１５４）使各偏心可动定位销（１５０）从原来位置旋转约半圈。通过这样做，一面使...

本发明提供了一种在被处理基板的表面上涂布形成处理液的膜，与曝光装置连动，在基板上形成规定图案的基板处理系统，能够在各个基板上均匀地涂布处理液，还能够提高与曝光装置连动时的基板处理生产率。在被处理基板的表面上涂布形成处理液的膜，与曝光装置...

本发明提供一种能够按所希望的定时进行曝光装置维护的涂敷、显影装置。该涂敷、显影装置在将搬入输送机模块的基板搬运到处理模块并形成涂敷膜之后，通过接口模块搬运到曝光装置，通过上述接口模块返回来的曝光后的基板在上述处理模块中进行显影处理并搬运...

本发明涉及一种能够使涂布膜的膜厚控制特别是周缘部的膜厚均匀化容易进行的涂布方法。在面状涂布单元（ＡＣＴ）（４０）中，在载物台（８０）上载置基板（Ｇ），使抗蚀剂液供给机构（８６）和喷嘴移动机构（８８）工作，通过长喷嘴（８２）的涂布扫描，在...

本发明给出了一种包括多变量控制器（２６０）的自适应实时热处理系统。通常，方法（１６００）包括创建热处理系统的动态模型（１６３０）；将光罩／掩模曲率并入到动态模型中；将扩散－放大模型耦合到动态热模型中；创建多变量控制器；将标称设置点参数化...

一种向基片上供应处理液，进行液体处理的液体处理装置，具有一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液，进行液体处理的液体处理部，具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴，一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了...

本发明涉及一种涂布膜形成装置，其具有：处理罩，具有用于进行基板的出入，在上方开放的开口部，用于排出在基板上形成涂布膜时产生的不需要的气氛的排气口，用于吸引外部气体的吸引口；和从排气口吸引不需要的气氛的吸引装置。被收容在处理罩的开口部中的...

加热装置（２）具有：壳体（２０）；扁平的加热室（４），设置在壳体（２０）内，对作为基板的晶片（Ｗ）进行加热处理，并且一侧端为了送入送出晶片（Ｗ）而开口；热板（４４、４５），设置在所述加热室（４）上，对所述晶片（Ｗ）从上方和下方进行加热。...

本发明提供一种涂敷装置及涂敷方法，当基板Ｇ的前端部到达抗蚀剂喷嘴（７８）的正下方附近的设定位置即涂敷开始位置时，停止基板搬送，进行二次测定检查，由光学式距离传感器（１６２）测定至基板Ｇ上面及下面的距离Ｌ↓［ｄ］、Ｌ↓［ｅ］。然后，将基板...

一种抗蚀剂涂敷方法，在一边以第一转速使被处理基板旋转，一边对被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液之后，将被处理基板的转速减速至比第一转速慢的第二转速或停止旋转，并且，在该减速过程中，越靠近第二转速或停止旋转越减小减速度，然后，将被处理基板...

向基板上被岸壁包围的区域内利用喷墨方式供给涂布液形成涂布膜，然后使该涂布膜软化、流动，从而将该涂布膜填充到上述岸壁包围的区域内。