基片处理方法和基片处理装置制造方法及图纸

技术编号:2749570 阅读:148 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种向基片上供应处理液,进行液体处理的液体处理装置,具有以大致水平的姿式向水平方向传送基片的传送路径,在传送路径上向基片上供应规定的处理液,进行液体处理的液体处理部,具有一个或多个喷射蒸气的蒸气喷射喷嘴、在液体处理部下游一侧的传送路径上向基片上喷出蒸气,将液体从基片上扫出的干燥处理部。根据本发明专利技术,可抑制在干燥处理后的基片表面上产生瘢痕、残渣、水印等。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种将基片连续不断地在流水线上进行处理的连续流水线方式的液体处理方法和液体处理装置。
技术介绍
最近,在LCD(液晶显示装置)制造中的抗蚀剂涂敷显影处理系统中,作为可有利地与LCD基片的大型化相对应的洗涤方法或者显影方法,在将传送辊或传送带沿水平方向配置而成的传送路径上,边传送LCD基片边进行显影处理或者洗涤处理的被称为连续生产线方式正在普及。例如,对于显影处理,下述的方法是公知的,一边以水平姿式向水平方向传送基片,一边(1)在基片的表面上涂敷显影液,在基片上形成显影液浆,保持规定的时间进行显影反应,(2)将基片变换成倾斜姿式,使显影液流走,(3)向基片上供应冲洗液,进行除去显影液残渣的洗涤(冲洗)处理,(4)采用气刀从基片的传送方向的前方一侧朝向后方一侧向基片上喷射空气等干燥气体,从而吹落基片表面上的冲洗液使基片干燥。如上所述,通常,在连续生产线方式的显影装置或洗涤装置中,采用气刀作为在处理工序的最终阶段去除残存或者附着在基片表面上的液体而使基片干燥的工具。气刀在传送路径的左右宽度方向具有从基片的一端覆盖到另一端的无数气体排出口或者狭缝状的气体排出口,在规定的位置对在其正上方或正下方通过的基片喷出刀状的锋利的气体流(通常为空气流或氮气流)。通过喷出这种刀状的锋利的气体流,在基片通过气刀附近之际,基片表面上的液体被扫到基片后端一侧,并落到基片之外,即被吹落而轧液。但是,在以往的这种基片处理装置中,由于是由从气刀喷出的干燥气流将基片表面一口气吹干,所以在干燥后附着在基片表面上的含有某种成分的雾沫或从基片表面溶出的成分的微小液体的凝集物容易在基片上成为瘢痕或残渣,成为导致后工序中不良情况的原因。例如,当在显影工序形成的抗蚀剂掩膜的开口中产生残渣时,在以后的蚀刻工序中将成为不希望的微小掩膜,将引起蚀刻不良。而且在采用气刀向基片喷出干燥气体之际,由于基片表面上的液体飞散而产生雾沫,所以该雾沫有可能附着在已被气刀吹出的干燥气体实施了干燥处理的基片的一部分上。在这种情况下,附着了雾沫的部分上将产生水印或瘢痕,存在着基片品质降低的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述现有技术中的问题而提出的,其目的在于在连续流水线方式中防止干燥处理后的基片表面上产生瘢痕或残渣,提高处理品质,抑制在基片上产生水印等液体处理痕迹。为了达到本专利技术的目的,本专利技术的液体处理方法为一种向基片上供应处理液,进行处理的液体处理方法,包括一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的第1工序,以及在上述液体处理后、一边以大致水平的姿式传送上述基片一边向上述基片上喷出蒸气、将液体从上述基片上扫出的第2工序。本专利技术的液体处理装置包括以大致水平的姿式将基片向水平方向传送的传送路径,在上述传送路径上向上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的液体处理部,以及具有一个或多个喷射蒸气的蒸气喷射喷嘴、在上述液体处理部下游一侧的传送路径上从上述蒸气喷射喷嘴向上述基片上喷出蒸气、将液体从上述基片上扫出的干燥处理部。在本专利技术中,由于通过蒸气喷射喷嘴向液体处理后附着有液体的基片上喷出蒸气,在蒸气流的压力作用下将液体从基片上扫出,所以干燥处理(第2工序)后的基片表面形成有薄的液膜,成为基片表面为半干或未干透的状态。即使在这种半干状态的基片表面上附着有雾沫,由于在水膜中分散或扩散而溶解,所以不会产生瘢痕。而且,即使从基片表面溶出含有不纯物成分的液体,由于也在水膜中分散,所以不会凝集而产生残渣。根据本专利技术另外的观点,本专利技术的液体处理方法包括一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的第1工序,一边以大致水平的姿式传送上述液体处理结束了的基片一边采用气体喷射喷嘴以上述基片的表面上残留有上述处理液的液膜的方式向上述基片上喷射干燥气体的第2工序,以及通过对上述第2工序结束了的基片进行加热处理使残留在上述基片的表面上的处理液蒸发的第3工序。根据本专利技术另外的观点,本专利技术的液体处理装置包括一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的液体处理部,具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴、一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了的基片一边采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体的干燥处理部,以及在上述干燥处理部中、为了在上述基片上形成上述处理液的液膜、控制从上述气体喷射喷嘴喷射的干燥气体的流速的喷射量控制装置。根据本专利技术上述观点的液体处理方法和液体处理装置,由于在通过气体喷射喷嘴喷出了干燥气体的基片的表面上形成有处理液的液膜,所以即使因向基片上喷射干燥气体而产生的处理液的雾沫附着在基片上,该雾沫也将被液膜取入。因此,防止了在基片上产生水印等。而且,通过在基片的表面上形成的处理液的液膜而降低了静电蓄积量,因此,基片不容易破损。另外,根据这种液体处理方法,由于不必将基片表面上的处理液完全吹落,所以可降低从气体喷射喷嘴吹出的干燥气体量。根据本专利技术其他观点的液体处理方法包括一边以大致水平的姿式传送基片一边在上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的第1工序,一边以大致平行的姿式传送上述液体处理结束了的基片一边采用气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体、将附着在上述基片的表面上的处理液吹落的第2工序,通过向上述第2工序结束了的基片的表面上供应水蒸气、在上述基片的表面上形成水膜的第3工序,以及通过对上述第3工序结束了的基片进行加热处理使上述基片的表面上的水分蒸发的第4工序。根据本专利技术其他观点的液体处理装置包括一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的液体处理部,具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴、通过一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了的基片一边采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体、将附着在上述基片上的处理液吹落的干燥处理部,以及通过一边以大致水平的姿式传送通过了上述干燥处理部的基片一边向上述基片上供应水蒸气、在上述基片的表面上形成水膜的水膜形成处理部。根据这些观点的液体处理方法和液体处理装置,即使在采用气体喷射喷嘴喷出干燥气体时产生的雾沫附着在干燥的基片上,由于之后均匀地形成水膜,所以可抑制因雾沫引起的产生水印等。根据本专利技术另外的观点,本专利技术的液体处理装置包括一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液、进行液体处理的液体处理部,具有向基片上喷射干燥气体的气体喷射喷嘴、一边以大致水平的姿式传送上述液体处理部中的处理结束了的基片一边采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体、将附着在上述基片的表面上的处理液吹落的干燥处理部,以及在上述干燥处理部中、为了通过采用上述气体喷射喷嘴向上述基片上喷射干燥气体而产生的处理液的雾沫不向基片传送方向的前方一侧回绕、在设置了上述气体喷射喷嘴的位置上将基片传送方向的后方一侧空间和前方一侧空间隔开的间隔板。根据这种观点的本专利技术的液体处理装置,即使附着在基片表面上的处理液被从气体喷射喷嘴供应的干燥气体吹落时雾化,由于其雾沫不会向基片传送方向的前方一侧移动,所以防止了雾沫向基片上的附着。附图说明图1为表示适用于本专利技术的基片处理装置的涂敷显影处理系统结构的俯视图。图2为本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种向基片上供应处理液,进行处理的液体处理方法,包括:一边以大致水平的姿式传送基片一边向上述基片上供应规定的处理液,进行液体处理的第1工序,在上述液体处理后,一边以大致水平的姿式传送上述基片一边向上述基片上喷出蒸气,将液体从上述基片 上扫出的第2工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:八寻俊一立山清久元田公男
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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