抗蚀剂涂敷方法以及抗蚀剂涂敷装置制造方法及图纸

一种抗蚀剂涂敷方法，在一边以第一转速使被处理基板旋转，一边对被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液之后，将被处理基板的转速减速至比第一转速慢的第二转速或停止旋转，并且，在该减速过程中，越靠近第二转速或停止旋转越减小减速度，然后，将被处理基板的转速加速至比第二转速快的第三转速，来甩开残余的抗蚀剂液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对半导体晶片等被处理基板涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂涂敷方法以及抗蚀剂涂敷装置。
技术介绍
例如，在半导体设备的制造工艺下的光刻工序中，需要进行以下处理，即，在半导体晶片的表面形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、和在对抗蚀剂涂敷后的晶片进行曝光处理之后显影该晶片的显影处理。在该抗蚀剂涂敷处理中，作为用于将抗蚀剂液均匀地涂敷到晶片表面的方法，大多采用旋涂法等。该旋涂法是以通过真空吸附将晶片固定保持在旋转卡盘的状态，利用旋转驱动机构同时使旋转卡盘和晶片旋转，从配置于晶片上方的抗蚀剂喷嘴将抗蚀剂液滴落在晶片表面的中央。滴落后的抗蚀剂液由于离心力的作用朝向晶片的径向外方扩展，然后，停止抗蚀剂液的滴落，一边减慢转速一边继续进行旋转，甩开在晶片表面扩展的抗蚀剂液并进行干燥。但是，最近基于削减制造成本等理由，期望减少抗蚀剂的消耗量，即减少对晶片滴落抗蚀剂液的量。在向晶片滴落抗蚀剂液的量比较多的情况下，容易调整涂敷后膜的膜厚，可以将膜厚形成得均匀。但是，当减少了向晶片滴落抗蚀剂液的量时，即使通过以往的旋涂法可以在晶片整个面上涂敷抗蚀剂液，也难以调整涂敷后膜的膜厚，无法形成均匀的膜厚。具体而言，在向晶片滴落抗蚀剂液的量较少的情况下，由于在滴落的抗蚀剂液向晶片径向外方充分扩展之前，抗蚀剂液的干燥迅速进行，所以，涂敷后膜的膜厚分布中存在着晶片的外周部与中央部相比变薄的问题，因此，难以进行膜厚的调整，很难均匀地形成规定的膜厚。因此，在日本国特开平11-260717号公报中公开了一种抗蚀剂涂敷方法，其作为即使在减少抗蚀剂液的滴落量的情况下，也能够将涂敷后膜的膜厚调整为均匀厚度的方法，进行下述工序以第一转速使被处理基板旋转的同时，对被处理基板的近似中央处供给抗蚀剂液，一边使抗蚀剂液向被处理基板的径向外方扩展一边进行涂敷的工序；在抗蚀剂液的供给停止之后，使被处理基板的转速减速为比第一转速缓慢的第二转速来调整膜厚的工序；和将被处理基板的转速加速至比第二转速快的第三转速来甩开残余的抗蚀剂液的工序。上述日本国特开平11-260717号公报的方法，是一种即使抗蚀剂液的供给量十分少，也能够遍布被处理基板的整个区域使抗蚀剂膜的厚度形成得均匀的优越方法。但是，最近对节省抗蚀剂的要求比以往进一步加强，例如即使是1/10mL单位的微小量，也要求削减抗蚀剂的供给量。可是，在上述日本国特开平11-260717号公报的方法中，由于从第一转速向第二转速进行急剧的减速，所以，因此时的冲击会产生在晶片表面持续扩展的抗蚀剂液从晶片的外周侧向内侧拖回的现象，虽然量很少(例如0.1mL左右)但其成为增加了抗蚀剂供给量的原因。即，日本国特开平11-260717号公报的方法是一种为了实现涂敷膜厚的均匀化，允许供给极少量多余的抗蚀剂液的方法，若从节省抗蚀剂的观点出发，则还残留有改善的余地。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供能够实现涂敷膜厚均匀化的同时，可极力减少抗蚀剂供给量的抗蚀剂涂敷方法以及抗蚀剂涂敷装置。本专利技术的第一观点提供一种抗蚀剂涂敷方法，包括一边以第一转速使被处理基板旋转一边向被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液的工序；在停止抗蚀剂液的供给之后，将被处理基板的转速减速至比前述第一转速慢的第二转速或停止旋转，并且，在该减速过程中，越靠近前述第二转速或者停止旋转，越减小减速度的减速工序；和将被处理基板的转速加速至比前述第二转速快的第三转速，甩开残余的抗蚀剂液的工序。而且，本专利技术的第二观点提供一种抗蚀剂涂敷装置，该抗蚀剂涂敷装置对旋转的被处理基板供给抗蚀剂液并进行涂敷，包括基板保持部件，保持被处理基板；旋转机构，使前述基板保持部件可变速旋转； 抗蚀剂液喷嘴，在保持于前述基板保持部件的被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液；和控制机构，按照在以第一转速使保持被处理基板的前述基板保持部件旋转的同时，开始抗蚀剂液的供给，在停止抗蚀剂液的供给之后，使前述基板保持部件的转速减速至比前述第一转速慢的第二转速或者停止旋转，之后，使前述基板保持部件的转速加速至比前述第二转速快的第三转速，来甩开残余的抗蚀剂液的方式，控制前述基板保持部件的旋转，并且，以从前述第一转速向前述第二转速或停止旋转的减速度，越靠近前述第二转速或停止旋转越小的方式，控制前述基板保持部件的转速。并且，本专利技术的第三观点提供一种计算机可读取的存储介质，所述存储介质存储有在计算机上工作的控制程序，前述控制程序在执行时，控制抗蚀剂涂敷装置，以便进行包括下述工序的抗蚀剂涂敷方法，所述工序包括一边以第一转速使被处理基板旋转一边向被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液的工序；在停止抗蚀剂液的供给之后，将被处理基板的转速减速至比前述第一转速慢的第二转速或停止旋转，并且，在该减速过程中，越靠近前述第二转速或者停止旋转，越减小减速度的减速工序；和将被处理基板的转速加速至比前述第二转速快的第三转速，甩开残余的抗蚀剂液的工序。附图说明图1是表示抗蚀剂涂敷装置整体构成的剖视图。图2是图1所示的抗蚀剂涂敷装置的俯视图。图3是表示图1所示的抗蚀剂涂敷装置的控制系统构成的图。图4是表示图1所示的抗蚀剂涂敷装置的旋转控制状态的时间图。图5A和图5B是用于说明比较方法的旋转控制的附图，图5C是用于说明本专利技术方法的旋转控制的附图。图6是图4的时间图的主要部分放大图。图7是表示图1所示的抗蚀剂涂敷装置中的旋转控制的其他实施方式的时间图。图8是图7的时间图的主要部分放大图。具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术的优选实施方式进行说明。图1和图2是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的抗蚀剂涂敷处理组件(COT)1整体构成的近似剖视图以及近似俯视图。在该抗蚀剂涂敷处理组件(COT)1的中央部配置有环状的容器CP，在容器CP的内侧配置有旋转卡盘2。旋转卡盘2以通过真空吸附固定保持半导体晶片(以下称为“晶片”)晶片W的状态，由驱动马达3旋转驱动。驱动马达3可升降移动地配置在设置于组件底板4的开口4a处，其经由例如由铝构成的帽状凸缘部件5与例如由气缸构成的升降驱动机构6以及升降导向机构7结合。在驱动马达3的侧面安装有例如由不锈钢(SUS)构成的筒状冷却套管8，凸缘部件5被安装成覆盖该冷却套管8的上半部。在涂敷抗蚀剂时，凸缘部件5的下端5a在开4a的外周附近密接于组件底板4，由此使得组件内部被密闭。当在旋转卡盘2和未图示的晶片输送机构的保持部件9之间进行晶片W交接的时候，通过升降驱动机构6向上方抬起驱动马达3乃至旋转卡盘2，凸缘部件5的下端会从组件底板4浮起。用于将抗蚀剂液供给到晶片W表面的抗蚀剂喷嘴10，经由抗蚀剂供给管11与抗蚀剂供给部(后述)连接。该抗蚀剂喷嘴10经由喷嘴保持体13可拆装地安装在抗蚀剂喷嘴扫描臂12的前端部。该抗蚀剂喷嘴扫描臂12安装在垂直支承部件15的上端部，所述垂直支承部件15能够在沿着一个方向(Y方向)铺设于组件底板4之上的导向轨道14上水平移动，所述抗蚀剂喷嘴扫描臂12通过未图示的Y方向驱动机构与垂直支承部件15一体向Y方向移动。而且，为了在抗蚀剂喷嘴待机部16处选择性地安装抗蚀剂喷嘴10，抗蚀剂喷嘴扫描臂12通过未图示的X方向驱动机构，在与Y方向垂直的X方向也可以移动。并且，在抗蚀剂喷嘴待机部16处，抗蚀剂喷嘴10的喷出口插入溶媒气氛室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗蚀剂涂敷方法，其特征在于，包括：一边以第一转速使被处理基板旋转一边向被处理基板的大致中央处供给抗蚀剂液的工序；在停止抗蚀剂液的供给之后，将被处理基板的转速减速至比前述第一转速慢的第二转速或停止旋转，并且，在该减速过程中，越靠近前述第二转速或者停止旋转，越减小减速度的减速工序；和将被处理基板的转速加速至比前述第二转速快的第三转速，甩开残余的抗蚀剂液的工序。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吉原孝介，井关智弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]