本发明的激光加工装置(10)具备：空间光调制器(12)，其输入从激光源(11)输出的激光(La1)，输出通过全息图相位调制后的激光(La2)；及控制部(18)，其使空间光调制器(12)呈现：通过聚光光学系统(14)使从空间光调制器(12...

本发明的激光加工装置(10)具备：空间光调制器(12)，其输入从激光源(11)输出的激光(La1)，输出通过全息图相位调制后的激光(La2)；及控制部(18)，其使空间光调制器(12)呈现：通过聚光光学系统(14)使从空间光调制器(12...

本发明的量子级联激光装置具备：QCL元件、与QCL元件的端面相对地配置的透镜、和保持透镜的透镜架。透镜架具有：小径孔、大径孔、和连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面。透镜的侧面的至少一部分在透镜的入射面的边缘部与沉孔面抵接的状态下，经由树脂...

本发明的量子级联激光装置具备QCL元件和封装件。在封装件的侧壁，设置有使从QCL元件出射的激光通过的光出射窗。光出射窗由小径孔、比小径孔大的大径孔、连接小径孔与大径孔的环状的沉孔面、和配置在大径孔的内侧的窗构件构成。窗构件的入射面具有：...

一种激光加工装置，具备：照射部，其用以对于对象物照射激光；摄像部，其用以对所述对象物进行摄像；以及控制部，至少控制所述照射部及所述摄像部，其中，所述控制部执行下述处理：第一处理，通过控制所述照射部，对于所述对象物照射所述激光，以不会到达...

取向特性测定系统(1)具备：照射光学系统(5)，其朝向配置于透明性基板(S1)上的试样照射激发光；检测光学系统(11)，其引导自试样发出的荧光；光检测器(13)，其检测荧光；旋转机构(9)，其变更试样的荧光出射侧的面的垂线与检测光学系统...

检查装置具备激光照射单元、对晶圆进行摄像的摄像单元、接收输入的显示器、及控制部，显示器接收：包含晶圆的信息及对该晶圆的激光加工目标的晶圆加工信息的输入，控制部执行：基于通过显示器接收到的晶圆加工信息，决定包含通过激光照射单元的激光的照射...

一种激光加工装置，具备：照射部，其用以对于对象物照射激光；摄像部，其用以通过对于所述对象物具有透过性的光对所述对象物进行摄像；显示部，其用以显示信息；以及控制部，其至少控制所述照射部、所述摄像部及所述显示部，其中，所述控制部执行下述处理...

检查装置具备：激光照射单元，其朝晶圆照射激光；显示器，其显示信息；及控制部，控制部执行：导出估计加工结果，该估计加工结果是包含依据所设定的配方(加工条件)通过激光照射单元对晶圆照射激光的情况时形成于晶圆的改质区域及从改质区域延伸的龟裂的...

试样支承体是用于试样的成分的离子化的试样支承体，并且具备：基板，其具有第1表面、与第1表面相反侧的第2表面、以及在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔；导电层，其至少设置于第1表面；和阳离子化剂，其设置于多个贯通孔并且用于通过规定的原子使...

本发明的光检测装置(1)中，电路基板(20)具有处理从对应的像素输出的检测信号的多个信号处理部(SP)。多个雪崩光电二极管的受光区域在每个像素二维排列。各信号处理部(SP)中，时机测量部(42)基于检测信号，测量光入射至对应的像素的时机...

本发明涉及对象物加工方法及对象物加工系统。对象物加工方法具备：研磨工序，研磨对象物的从表面到研磨预定位置的部分；激光加工工序，在研磨工序之前沿着线形成一列或多列改质区域。激光加工工序包括：数据获取工序，获取与激光入射面的位移相关的测定数...

检查装置具备：激光照射单元，其从具有背面及表面的晶圆的背面侧，朝该晶圆照射激光；摄像单元，其对晶圆输出具有透过性的光，检测在晶圆传播的光；及控制部，其构成为执行：第一处理，该第一处理是控制激光照射单元，以通过对晶圆照射激光，在晶圆的内部...

试样支承体是用于试样的成分的离子化的试样支承体，并且具备：基板，其具有第1表面、与第1表面相反侧的第2表面、以及在第1表面和第2表面开口的多个贯通孔；导电层，其至少设置于第1表面；和阴离子化剂，其设置于多个贯通孔并且用于使成分阴离子化。...

本发明的X射线产生装置(1)具备：电子枪(2)，其出射电子束(EB)；目标部(K)，其以因电子束(EB)的入射而产生X射线(L)的多个长条的目标(22)为相互平行的方式配置；框体(4)，其容纳电子枪(2)及目标部(K)；及X射线出射窗(...

本发明的激光加工装置(1A)具备：半导体激光元件(2)；波形输出部(6)，其将输入波形数据(Da)输出；驱动电路(4)，其将具有与输入波形数据(Da)对应的时间波形的驱动电流(id)供给至半导体激光元件(2)；及加工光学系统(5)，其将...

本发明的静电吸附装置(1)具备：电压施加部(3)，其对第1电极(5)及第2电极(6)施加被保持物(K)脱离吸附时使用的脱离吸附电压，脱离吸附电压由以第1波形(W1)施加于第1电极(5)的第1交流电压(Va1)、及以与第1波形(W1)具有...

量子级联激光器包括半导体基板、形成在半导体基板的第1表面上的光波导体、和温度调节部件。光波导体具有第1区域和相对于第1区域位于光波导体的光波导方向上的一侧的第2区域。第1区域生成具有第1波长的第1光，第2区域生成具有第2波长的第2光。光...

本发明提供一种激光加工装置，其是用于通过对对象物照射激光而在所述对象物形成改性区域的激光加工装置，所述激光加工装置具备：支撑部，其用于支撑所述对象物；光源，其用于出射所述激光；空间光调制器，其用于根据调制图案对从所述光源出射的所述激光进...

本发明的半导体故障解析装置的控制部输出对准命令，该对准命令在使卡盘移动至第1光检测部能够检测目标的位置后，以目标为基准，使第2光学系统的光轴对准第1光学系统的光轴；且输出解析命令，该解析命令在维持第1光学系统的光轴与第2光学系统的光轴的...