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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
基于半导体处理的晶片级分析和根本原因分析的数据驱动失败模式预测和标识制造技术
公开了一种用于分析第一晶片上的第一区域的输入电子显微镜图像的方法和装置。该方法包括从输入电子显微镜图像获取与多个可解释模式相对应的多个模式图像。该方法还包括评估多个模式图像,并且基于评估结果确定多个可解释模式对输入电子显微镜图像的贡献。...
量测方法技术
公开了一种测量衬底上的目标的方法,包括:用测量辐射照射目标,测量辐射至少包括第一波长;收集在收集数值孔径内的所产生的散射辐射;和根据散射辐射确定感兴趣参数。目标包括中介体周期性结构和至少第一目标周期性结构,分别在衬底上的相应的不同层中,...
量测系统和光刻系统技术方案
公开了一种量测系统,该量测系统包括:可操作以测量衬底上的多个目标以获取测量数据的预对准量测工具;以及处理单元。处理单元可操作以:处理所述测量数据以针对每个目标确定至少一个位置分布,该位置分布描述所述位置值在所述目标的至少部分之上的变化;...
用于提取特征向量以辨识图案物体的特征提取方法技术
披露了用于辨识图案的改善型特征提取设备和方法。一种用于辨识图案的改善型特征提取方法包括:获得表示图案实例的数据;将所述图案实例划分成多个分区;确定所述多个分区中的分区的代表性特性;使用特征向量来产生所述图案实例的表示,其中,所述特征向量...
用于确定掩模图案和训练机器学习模型的方法技术
本文中描述一种用于确定掩模图案的方法和一种用于训练机器学习模型的方法。用于产生用于与图案化过程相关联的掩模图案的数据的所述方法包括:获得(i)与设计图案相关联的第一掩模图像(例如,CTM);(ii)基于所述第一掩模图像的轮廓(例如,抗蚀...
用于测量蚀刻的沟槽的量测方法和相关的量测设备技术
公开了一种确定至少一个均匀性度量的方法,该均匀性度量描述衬底上的由光刻制造过程形成的蚀刻的沟槽的均匀性。该方法包括获得蚀刻的沟槽的一个或多个图像,其中一个或多个图像中的每个包括在从蚀刻的沟槽散射和/或衍射之后,由检测器或相机所检测的经散...
频率拓宽装置和方法制造方法及图纸
本公开涉及一种频率拓宽装置和方法。一种装置(100),用于接收输入辐射(108)并且拓宽输入辐射的频率范围以便提供宽频带输出辐射(110)。该装置包括光纤(102),其中光纤(102)可以包括用于引导辐射传播通过光纤(102)的空芯(1...
用于图案区域的基于特征的单元提取制造技术
公开了基于特征的单元提取的改进系统和方法。该方法包括获得表示布局的数据,其中该布局包括无顶点的图案区域,从无顶点的图案区域中提取单位单元,使用单位单元识别布局的与单位单元匹配的区域集,并使用单位单元生成用于区域集的分级结构。在一些实施例...
用于控制电子密度分布的方法和设备技术
一种用于控制由电子源提供的用于硬X射线、软X射线和/或极紫外线的产生的电子的密度分布的方法,所述方法包括:在空腔内使用离子化激光从超冷激发原子的图案产生多个电子,其中,所述电子具有由激发原子的所述图案和所述离子化激光中的至少一个确定的密...
带电粒子检测系统中的两用读出电路系统技术方案
公开了一种用于带电粒子检测器的改进的读出电路和一种用于操作该读出电路的方法。一种改进的电路包括:被配置为接收表示传感器层的输出的信号并且包括第一输入端子和输出端子的放大器、连接在第一输入端子与输出端子之间的电容器、以及与电容器并联连接在...
单体式检测器制造技术
一种单体式检测器可以用于带电粒子射束装置。该检测器可以包括多个感测元件(311)和多个信号处理部件,该多个感测元件(311)形成在半导体衬底的第一侧上,感测元件中的每个感测元件被配置为接收从样品发射的带电粒子,并且生成与所接收的带电粒子...
监测光刻过程的方法和相关设备技术
披露了一种监测半导体制造过程的方法。所述方法包括获得能够进行操作以从高分辨率量测数据导出局部性能参数数据的至少一个第一经训练的模型,其中,所述局部性能参数数据描述一性能指标的局部分量或对所述局部分量的一个或更多个局部促成因素以及与已经受...
电荷消散掩模版载物台清洁掩模版制造技术
一种用于光刻设备中的掩模版载物台的掩模版载物台清洁设备包括具有正面和与正面相对的背面的衬底、以及设置在衬底的正面上的传导层。传导层被配置为接触掩模版载物台以消散掩模版载物台上的电荷,并且经由在传导层与掩模版载物台之间生成的静电场去除掩模...
暗场数字全息显微镜和相关的量测方法技术
披露了一种暗场数字全息显微镜和相关联的量测方法,所述暗场数字全息显微镜被配置成确定结构的关注的特性。所述暗场数字全息显微镜包括照射分支,所述照射分支用于提供照射辐射以照射所述结构;检测装置,所述检测装置用于捕获由所述结构对所述照射辐射的...
用于基于图案化衬底的图像确定三维数据的装置和方法制造方法及图纸
本文中描述了用于确定图案化衬底的结构的三维(3D)信息的系统、方法和装置。3D信息可以使用一个或多个模型来确定,该模型被配置为仅使用图案化衬底的单个图像来生成3D信息(例如,深度信息)。在一种方法中,该模型通过获取图案化衬底的结构的一对...
带电粒子射束检测系统中的基于拓扑结构的图像渲染技术方案
本文中公开了图像对准的系统和方法。图像对准方法可以包括:获得样品的图像;获得与对应参考图像相关联的信息;通过使对应参考图像的渲染图像模糊以使得渲染图像的拓扑结构基本被保留来生成经修改的渲染图像,其中模糊程度基于拓扑结构的特性;以及将样品...
定位系统、光刻设备、绝对位置确定方法和器件制造方法技术方案
本发明提供了一种用于确定可移动目标相对于参考的绝对位置的定位系统,包括干涉仪系统,该干涉仪系统具有第一光源和第二光源,该第一光源以固定频率发射光,而该第二光源以至少两个不同频率发射光。定位系统被配置为基于目标的移动而将与第二光源的第一频...
通过带电粒子系统中的高级充电控制器模块的热辅助检查技术方案
用于提供用于控制带电粒子束系统的样品表面上的电荷的射束的装置、系统和方法。在一些实施例中,模块包括被配置为发射射束的激光源。射束可以照射晶片上与像素相邻的区域以间接加热像素,从而减轻像素处的直接光子诱导效应的原因。一种被配置为检测像素中...
用于显微镜检查的半导体带电粒子检测器制造技术
可以提供一种用于带电粒子装置的检测器,包括感测元件,该感测元件包括二极管;和电路,该电路被配置为用于检测由电子撞击感测元件引起的电子事件,其中电路包括电压监测设备和复位设备,其中复位设备被配置为通过将跨二极管的电压设置为预定值来定期复位...
光刻设备部件和方法技术
本发明提供一种用于光刻设备的掩模版平台,所述掩模版平台包括:至少一个光学元件,所述至少一个光学元件具有待清洁的区域;辐射束目标;以及控制系统,所述控制系统被配置成将辐射束引导至辐射束目标,其中,所述辐射束与气体的相互作用产生光学元件清洁...
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