本文提供了半导体存储器装置及其制造方法。半导体存储器装置包括：下基板；位于下基板上的外围电路组件；包括下电容器结构的下接合层，下电容器结构位于外围电路组件上；包括上电容器结构的上接合层，上接合层接合到下接合层；位于上接合层上的多个单元和...

本公开涉及一种时钟生成电路、包括时钟生成电路的时钟分配网络和半导体装置。时钟生成电路包括缓冲电路和相位补偿电路。缓冲电路缓冲输入时钟信号以生成输出时钟信号。相位补偿电路检测电源电压中的噪声以及根据电源电压的噪声调整输入时钟信号的电压电平...

一种操作包括主机和至少一个固态驱动器(SSD)的系统的方法。该方法识别与SSD相关联的工作负载，识别SSD的功率状态，并根据功率状态的预算目标控制用于识别出的工作负载的硬件资源的分配和/或分配解除。

公开了一种半导体器件，包括：第一焊盘；上拉电阻器，其被连接在所述第一焊盘与高电压的供电端子之间；第二焊盘，其被连接至所述第一焊盘；下拉驱动器，其被连接在所述第二焊盘与低电压的供电端子之间，并且适于基于对应于预定信号的控制信号而选择性地使...

本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括：栅极结构；沟道结构，其延伸穿过栅极结构；第一供氢层，其设置在栅极结构上，具有第一氢浓度，并且包括氧空位；以及阻氢层，其设置在第一供氢层上并且具有低于第一氢浓度的第二氢浓度。

本公开涉及一种存储装置及其方法。该存储装置可以从多个命令队列获取命令。存储装置可以基于多个命令队列之中的目标命令队列的状态，将用于从多个命令队列中获取命令的策略确定为第一策略或第二策略。该策略可以控制从多个命令队列获取命令的顺序。

本公开涉及图像传感器及其操作方法以及图像处理系统。一种图像传感器包括：光信号生成器，其被配置为基于参考光信号而生成具有不同相位的多个光信号；解调信号生成器，其被配置为基于参考光信号而生成多个解调信号；光源，其被配置为将多个光信号顺序地输...

公开了一种图像传感器，其包括：第一至第四单元像素电路，第五至第八单元像素电路，第九至第十二单元像素电路以及第十三至第十六单元像素电路，连接至第一和第九单元像素电路的第一读出线，连接至第五和第十三单元像素电路的第二读出线，连接至第二和第十...

本申请涉及图像感测装置及其制造方法。一种图像感测装置包括：第一基板，其包括第一表面以及与第一表面背离的第二表面，该第一基板包括像素区域以及位于像素区域外侧的焊盘区域，所述像素区域被构造为包括像素，所述像素基于入射在第一表面上以到达像素的...

本公开涉及一种能够加密和存储数据的存储器系统和存储器控制器。存储器控制器可以包括：第一接口，被配置为与第一外部装置执行数据通信；第二接口，被配置为生成用于控制第二外部装置的操作的信号并传输该信号；以及处理器，被配置为从第一外部装置接收用...

提供了存储器装置及存储器装置的制造方法。存储器装置包括：第一层叠结构，其包括第一组字线以及第一组选择线；第二层叠结构，其包括第二组选择线；第一层叠结构中的第一插塞；连接到第一插塞的第二插塞，第二插塞设置在第二层叠结构中；在第一组选择线之...

一种制造半导体器件的方法包括：提供绝缘中间层；通过对绝缘中间层进行刻蚀而在绝缘中间层中形成沟槽；使用第一沉积工艺在绝缘中间层的上表面上以及沟槽的底部表面和侧表面上形成导电层，在沟槽的底部表面上的导电层比在沟槽的侧表面上的导电层厚；使用与...

本公开涉及一种存储器装置及存储器装置的制造方法，所述存储器装置包括层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的第一材料层和第二材料层。所述存储器装置还包括：垂直孔，所述垂直孔在垂直方向上延伸穿过所述层叠结构；隔离图案，所述隔离图案从所述第一材料...

本公开涉及一种制造半导体芯片的方法及半导体器件。制造半导体芯片的方法包括切割衬底的工艺。衬底包括在半导体基底上的有源层和有机层。通过凹陷有源层的一些部分来形成切割槽，切割槽从第一切割线和第二切割线相交的点沿着第一切割线彼此面对延伸，衬底...

本公开涉及使用配体交换反应的原子层刻蚀方法。一种使用配体交换反应的原子层刻蚀方法可以包括：衬底提供步骤：将具有形成在其上的薄膜的衬底放入反应腔中；卤化薄膜形成步骤：通过向反应腔中注入卤化气体来在薄膜的表面上形成卤化薄膜；以及刻蚀步骤：通...

本申请涉及半导体装置、包括半导体装置的半导体系统及其操作方法。一种半导体系统包括：控制器，其被配置为基于在工艺阶段中收集的缺陷分析信息来选择多个故障点，并且提供指定故障点中的至少一个的地址以及部分重置命令；以及半导体装置，其包括多个功能...

本公开涉及具有稳定自刷新操作的存储器件及其操作方法。一种存储器件的操作方法，包括：进入自刷新区段；通过对参考周期信号的边沿进行计数来更新计数码；响应于计数码，针对温度应用码具有初始化值时的自刷新区段来第一次激活操作控制信号；在第一次激活...

本公开涉及纠错码电路和半导体装置。实施例包括：错误信息处理电路，其被配置成根据校正子信息生成错误信息；以及数据校正电路，其被配置成根据校正子信息校正数据中的错误。在测试模式下，仅错误信息处理电路和数据校正电路之中的错误信息处理电路被配置...

本申请涉及图像感测装置及其制造方法。一种图像感测装置包括：多个图像感测像素，其被配置为响应通过第一滤色器入射的光并且生成与要捕获的目标对象对应的图像信号；至少一个相位检测像素，其被配置为响应通过第二滤色器入射的光并且生成用于计算由图像信...

一种3D半导体装置包括：字线堆叠，其在衬底之上；以及沟道柱体，其垂直地穿过字线堆叠，其中，所述字线堆叠包括字线和层间电介质层，以及所述沟道柱体包括：中央电介质层；沟道层，其围绕中央电介质层的侧表面；隧穿电介质层，其具有围绕沟道层的侧面的...