【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式总体上涉及半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法，并且更具体地，涉及包括在虚设区域中以精细图案形成的电容器的半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法。
技术介绍
1、半导体存储器装置可以包括当供电中断时丢失所存储的数据的易失性存储器装置，以及即使当供电中断时所存储的数据也被保留的非易失性存储器装置。
2、在半导体存储器装置中，非易失性存储器装置随着诸如移动电话或笔记本计算机之类的便携式电子装置的使用的增加而进一步要求实现大容量和高集成度。
3、因此，随着包括在基板上以单层形成的存储器单元的二维(2d)非易失性存储器装置的结构达到其物理缩放限制(诸如，集成度)，已经提出了包括垂直地层叠在基板上的存储器单元的三维(3d)非易失性存储器装置，并且已经提出了能够在有限的芯片面积中形成更多电路的方案。
技术实现思路
1、本公开的实施方式可以提供一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：第一外围区域和第二外围区域；位于第一外围区域和第二外围区域中的下基板；位于下基板上的外围电路组件；包括位于第二外围区域中的外围电路组件上的下电容器结构的下接合层；包括上电容器结构并且接合到下接合层的上接合层；位于上接合层上的多个单元和虚设绝缘层；单元区域和虚设区域；以及位于单元区域和虚设区域中的上基板，上基板位于多个单元和虚设绝缘层上，其中上电容器结构位于虚设区域中并且联接到下电容器结构。
2、本公开的实施方式可以提供一种制造半导体存储器装
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1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个单元包括交替地层叠的多个绝缘层和多个栅极层。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述多个栅极层包括源极选择线、字线和漏极选择线，
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下电容器结构包括：
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述上电容器结构包括：
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述下导电图案垂直地贯穿所述下接合层。
7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述上导电图案垂直地贯穿所述上接合层。
8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，
9.一种制造半导体存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其中，在所述上基板上形成所述多个单元的步骤包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述上基板上形成所述多个单元的步骤还包括以下步骤：
13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述上电容器结构被形成为垂直地贯穿所述上接合层。
14.根据权利要求9所述的方法，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个单元包括交替地层叠的多个绝缘层和多个栅极层。
3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述多个栅极层包括源极选择线、字线和漏极选择线，
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述下电容器结构包括：
5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述上电容器结构包括：
6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述下导电图案垂直地贯穿所述下接合层。
7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述上导...
【专利技术属性】
技术研发人员：金在泽，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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