【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及热电装置，并且更具体地，涉及使用热电元件的低温部分与高温部分之间的温度差的热电装置。
技术介绍
1、热电现象是由材料内部的电子和空穴的移动引起的现象，并且意指热与电之间的直接能量转换。
2、热电元件是使用热电现象的元件的通用术语，并且具有其中p型热电材料和n型热电材料在金属电极之间接合以形成pn结对的结构。
3、热电元件可以被分类成：在电阻上使用温度变化的元件；利用塞贝克(seebeck)效应的元件；利用珀尔帖(peltier)效应的元件等，塞贝克效应是由于温度差而产生电动势的现象，珀尔帖效应是由于电流而发生吸热或生热的现象。
4、热电元件被广泛应用于家用电器、电子部件、通信部件等。例如，热电元件可以应用于冷却装置、加热装置、发电装置等。因此，对热电元件的热电性能的需求逐渐增加。
5、近来，需要利用从车辆、船舶等的发动机产生的高温余热和热电元件来产生电。在这种情况下，可以在热电元件的低温部分侧处设置有第一流体穿过的流体流动部，可以在热电元件的高温部分侧处设置有散热器，并且与第一流体相比具有更高温度的第二流体可以穿过散热器。因此，可以通过热电元件的低温部分与高温部分之间的温度差来产生电。
技术实现思路
1、技术问题
2、本专利技术旨在提供使用热电元件的低温部分与高温部分之间的温度差的热电装置。
3、技术方案
4、根据本专利技术的一个实施方式的热电装置包括：包括第一凹槽和第二凹槽的支承件，
5、热电装置还可以包括设置在支承件上的屏蔽构件，其中，屏蔽构件的一侧可以被设置成与第一密封构件接触，并且屏蔽构件的另一侧可以被设置成与第二密封构件接触。
6、热电模块可以包括设置在支承件上的第一基板、设置在第一基板上的第一电极、设置在第一电极上的半导体结构、设置在半导体结构上的第二电极、设置在第二电极上的第二基板、以及设置在第二基板上的散热器，屏蔽构件可以包括通孔，散热器通过通孔露出，并且通孔的边缘可以设置在第二基板上。
7、热电装置还可以包括在支承件上在第一凹槽与第二凹槽之间的热界面材料层，其中，热界面材料层可以包括第一区域和第二区域，第一区域被设置成在支承件与第一基板之间与第一基板交叠，第二区域被设置成在第一区域的边缘处不与第一基板交叠。
8、第一凹槽可以被设置成与第一基板的一个侧表面平行，第二凹槽可以被设置成与第一基板的面对一个侧表面的另一侧表面平行，第一凹槽和一个侧表面可以彼此间隔开，并且第二凹槽和另一侧表面可以彼此间隔开。
9、第一凹槽的深度与第一基板的一个侧表面和第一凹槽之间的距离的比率可以在8.75至11.42的范围内。
10、第一凹槽的宽度与第一基板的一个侧表面和第一凹槽之间的距离的比率可以在1.84至2.5的范围内。
11、可以在支承件中设置有流体流过的流动路径，并且第一凹槽的深度与流动路径和第一凹槽的底表面之间的垂直距离的比率可以在0.92至1.08的范围内。
12、支承件的边缘和第一凹槽之间的距离与第一凹槽的深度的比率可以是0.61或更多。
13、根据本专利技术的另一实施方式的热电元件包括：流体流动部，该流体流动部包括一个表面和在第一方向上与一个表面间隔开的另一表面，并且包括被设置成在一个表面中彼此间隔开的第一凹槽和第二凹槽；多个热电模块，多个热电模块被设置在一个表面上在第一凹槽与第二凹槽之间；以及第一密封构件和第二密封构件，第一密封构件和第二密封构件分别设置在第一凹槽和第二凹槽中并与多个热电模块间隔开，其中，多个热电模块被设置在垂直于第一方向的第二方向上，并且第一凹槽和第二凹槽各自在第二方向上延伸并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开。
14、热电装置还可以包括设置在一个表面上的屏蔽构件，其中，屏蔽构件的一端可以被设置成与第一密封构件接触，并且屏蔽构件的另一端可以被设置成与第二密封构件接触。
15、每个热电模块可以包括设置在一个表面上的第一基板、设置在第一基板上的第一电极、设置在第一电极上的半导体结构、设置在半导体结构上的第二电极、设置在第二电极上的第二基板、以及设置在第二基板上的散热器，屏蔽构件可以包括多个通孔，散热器通过通孔露出，并且每个通孔的边缘可以被设置在每个热电模块的第二基板上。
16、热电装置还可以包括设置在一个表面上在第一凹槽与第二凹槽之间的热界面材料层。
17、第一凹槽可以被设置成与第一基板的一个侧表面平行，第二凹槽可以被设置成与第一基板的面对一个侧表面的另一侧表面平行，第一凹槽和一个侧表面可以彼此间隔开，并且第二凹槽和另一侧表面可以彼此间隔开。
18、有益效果
19、根据本专利技术的实施方式，可以获得可以具有简单结构、可以易于组装并且可以在预定空间中容纳最大数目热电元件的热电装置。
20、根据本专利技术的实施方式，可以通过增加高温部分与低温部分之间的温度差来获得具有高热电性能的热电装置。
21、根据本专利技术的实施方式的热电装置可以应用于用于使用高温部分与低温部分之间的温度差来产生电的发电装置。
22、根据本专利技术的实施方式的热电装置可以应用于用于冷却或加热特定对象例如流体的珀尔帖装置。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种热电装置，包括：
2.根据权利要求1所述的热电装置，还包括设置在所述支承件上的屏蔽构件，
3.根据权利要求2所述的热电装置，其中，所述热电模块包括设置在所述支承件上的第一基板、设置在所述第一基板上的第一电极、设置在所述第一电极上的半导体结构、设置在所述半导体结构上的第二电极、设置在所述第二电极上的第二基板、以及设置在所述第二基板上的散热器，
4.根据权利要求3所述的热电装置，还包括在所述支承件上在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的热界面材料层，
5.根据权利要求3所述的热电装置，其中，所述第一凹槽被设置成与所述第一基板的一个侧表面平行，所述第二凹槽被设置成与所述第一基板的面对所述一个侧表面的另一侧表面平行，所述第一凹槽和所述一个侧表面彼此间隔开，并且所述第二凹槽和所述另一侧表面彼此间隔开。
6.根据权利要求5所述的热电装置，其中，所述第一凹槽的深度与所述第一基板的所述一个侧表面和所述第一凹槽之间的距离的比率在8.75至11.42的范围内。
7.根据权利要求5所述的热电装置，其中，所述第一凹槽的宽度与所述
8.根据权利要求5所述的热电装置，其中，在所述支承件中设置有流体流过的流动路径，并且
9.根据权利要求4所述的热电装置，其中，所述支承件的边缘和所述第一凹槽之间的距离与所述第一凹槽的深度的比率是0.61或更多。
10.一种热电装置，包括：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种热电装置，包括：
2.根据权利要求1所述的热电装置，还包括设置在所述支承件上的屏蔽构件，
3.根据权利要求2所述的热电装置，其中，所述热电模块包括设置在所述支承件上的第一基板、设置在所述第一基板上的第一电极、设置在所述第一电极上的半导体结构、设置在所述半导体结构上的第二电极、设置在所述第二电极上的第二基板、以及设置在所述第二基板上的散热器，
4.根据权利要求3所述的热电装置，还包括在所述支承件上在所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的热界面材料层，
5.根据权利要求3所述的热电装置，其中，所述第一凹槽被设置成与所述第一基板的一个侧表面平行，所述第二凹槽被设置成与所述第一基板的面对所述一个侧表面的另一侧表面平行，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：李锺旼，李世运，崔万休，李亨仪，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：
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