本申请涉及用于有效地检查编程状态的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：多个页缓冲器，其连接多条位线并且被配置为选择性地对位线进行预充电；以及控制电路，其被配置为：通过根据编程数据向位线当中的第一位线施加预充电电压并通过向被选字线...

一种半导体器件可以包括：多个第一导电线，其在第一方向上延伸；多个第二导电线，其与第一导电线间隔开且在与第一方向不同的第二方向上延伸以与多个第一导电线交叉；多个存储单元，其分别设置在第一导电线和第二导电线之间的交叉区域处，使得每个存储单元...

本申请涉及制造半导体封装的方法和由该方法制造的半导体封装。一种制造层叠半导体芯片的半导体封装的方法包括以下步骤：通过将反向布线的一端接合到层叠半导体芯片中的次高半导体芯片的芯片焊盘并且将反向布线的另一端连接到层叠半导体芯片中的最上半导体...

一种半导体存储器装置包括：栅极层叠结构，其包括多个导电图案；沟道结构，其设置于栅极层叠结构内部，沟道结构具有包括面向彼此交叉的方向的长轴和短轴的截面结构；两条或更多条位线，其在与沟道结构的长轴交叉的方向上延伸，两条或更多条位线布置为在沟...

一种半导体装置可以包括：第一衬底结构，其包括：第一衬底；第一字线、第一位线、第二位线、第二字线、第三字线、第三位线、第四位线和第四字线，它们在垂直方向上顺序地布置在第一衬底之上；以及第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元和第四存储单元...

一种非易失性存储器装置包括：基板；栅极结构，其包括在垂直方向上交替地层叠在基板上的多个栅电极层和多个层间绝缘层，该栅极结构包括孔图案；数据存储层，其设置在孔图案内；以及沟道层，其设置在孔图案内的数据存储层上。沟道层设置在通过多个层间绝缘...

本公开涉及一种存储器控制器和包括该存储器控制器的存储器系统。该存储器控制器可以包括：多个控制内核，被配置为控制分别与主机提供的逻辑地址组相对应的多个分区块；缓冲存储器，被配置为存储关于分区组的信息，该分区组包括多个分区块之中由不同控制内...

本申请涉及图像感测装置和包括其的成像装置。一种成像装置包括：光电转换元件，其被配置为检测入射光以生成与检测到的入射光对应的光电荷；浮置扩散区域，其联接到光电转换元件以在浮置扩散区域处累积所生成的光电荷；以及双转换增益晶体管，其被配置为向...

本公开涉及一种图像传感器及信号转换方法。图像传感器包括：第一电容器，其用于采样粗斜坡信号；第二电容器，其用于采样第一电容器的电压与精斜坡信号之和；以及比较器，其用于生成通过将从像素接收的像素电压与第一电容器的电压或第二电容器的电压进行比...

本申请涉及存储器装置和操作该存储器装置的方法。本技术涉及一种电子装置。根据实施方式的存储器装置包括：存储器单元串，其包括第一沟道区域中所包括的第一存储器单元、第二沟道区域中所包括的第二存储器单元以及连接在第一存储器单元和第二存储器单元之...

本公开涉及半导体存储器装置。一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括基板，还包括彼此间隔开并且布置在基板上的源极叠层和初步源极叠层。该半导体存储器装置还包括穿过源极叠层的导电接触插塞和穿过初步源极叠层的一部分的电荷散布层。

本技术涉及一种图像处理装置和图像处理方法。根据本技术的图像处理装置可以包括：缓冲器，其被配置为基于被用于失真插值运算的水平方向像素的数量将从外部装置接收的图像的像素数据并行化，以及被配置为将并行化的像素数据存储在行存储器中；以及失真插值...

本申请涉及半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：基板；源极层叠结构和源极绝缘层，其设置在基板上方以彼此间隔开；隔离绝缘层，其设置在源极层叠结构和源极绝缘层之间；第一层叠结构，其设置在源极层叠结构上方；第...

本技术包括存储器设备及操作其的方法。该存储器设备包括：存储器块，包括由多个存储器单元配置的页；外围电路，被配置为对页之中的被选择的页执行读取操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路以在读取操作期间，在被选择的页中的第一逻辑页和第二逻辑页...

本申请涉及包括混合接合结构的层叠半导体装置。一种层叠半导体装置可以包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：第一基板；至少一个第一电源互连件，其设置在第一基板和第一半导体芯片的第一接合表面之间并且藉以承载供电电压；以及至少...

本公开涉及一种存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括连接到多条字线的存储器单元。存储器装置还包括读取操作执行器，其被配置为执行将均衡电压施加到多条字线并且将读取电压施加到选定字线的读取操作。存储器装置还包括失败单元计数器，其被配置为...

本申请涉及存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法。一种存储器装置包括多个存储器单元和控制电路。各个存储器单元能够存储与擦除状态和多个编程状态对应的多比特数据。控制电路被配置为将被执行以将多比特数据存储在多个存储器单元中的多个编程循...

本公开涉及基于存储器的神经拟态器件及其操作方法。一种存储器内计算(CiM)器件包括：多个第一突触单元，其被设置在行线和列线之间，以及向列线输出读取电流，读取电流与通过行线施加的脉冲信号相对应；多个第二突触单元，其被设置在行线和两个或更多...

本公开涉及存储器、存储器模块、存储系统及存储系统的操作方法。存储系统可以包括：纠错码生成电路，其被配置为：在第一纠错模式下通过使用写入数据和第一H矩阵而生成具有大的比特位数量的第一纠错码，以及在第二纠错模式下通过使用写入数据和第二H矩阵...

本申请涉及包括硅通孔TSV结构的图像感测装置。一种图像感测装置包括：半导体基板；绝缘层，其设置在半导体基板下方；通孔，其形成为在穿透半导体基板的同时延伸至绝缘层的内部；硅通孔TSV结构，其沿着通孔的内表面形成；以及光刻胶，其形成在TSV...