【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式涉及半导体设计，并且具体地，涉及用于有效地检查编程状态的存储器装置及其操作方法。
技术介绍
1、存储器系统是使用诸如硅(si)、锗(ge)、砷化镓(gaas)、磷化铟(inp)等的半导体实现的储存装置。存储器系统分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。易失性存储器装置是当供电中断时其内所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的代表性示例包括静态ram(sram)、动态ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存储器装置是即使在供电中断时仍保留其内所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的代表性示例包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。闪存主要分类为nor型存储器和nand型存储器。
2、通常，nand闪存中的存储器单元阵列被布置为使得阵列的行中的存储器单元的控制栅极连接在一起以形成诸如字...
【技术保护点】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路还在所述第二验证操作期间掩蔽所述页缓冲器当中的连接到所述第一位线的页缓冲器。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一验证电压高于所述第二验证电压。
6.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，执行使所述第一位线浮置的操作和施加所述预充电电压的操作中的至少一个操作包括以
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，
4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述控制电路还在所述第二验证操作期间掩蔽所述页缓冲器当中的连接到所述第一位线的页缓冲器。
5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一验证电压高于所述第二验证电压。
6.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的操作方法，其中，执行使所述第一位线浮置的操作和施加所述预充电电压的操作中的至少一个操作包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的操作方法，该操作方法还包括以下步骤：在所述第二验证操作之后，执行使所述第一位线和所述第二位线放电并终止所述编程验证时段的操作。
9.根据权利要求6所述的操作方法，该操作方法还包括以下步骤：在所述第二验证操作期间掩蔽连接到所述第一位线的页缓冲器。
10.根据权利要求6所述的操作方法，其中，所述第一验证电压高于所述第二验证电压。
11.一种存储器装置，该存储器装置包括：
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，在编程操作期间，所述控制电路顺序地向所述被选字线施加多个编程电压直到编程完成，在所述多个编程电...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡洙悦，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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