包括感测放大器的存储器装置以及操作感测放大器的方法制造方法及图纸

公开了包括感测放大器的存储器装置以及操作感测放大器的方法。一种操作位线感测放大器的方法可包括：通过将位线、互补位线、感测位线和互补感测位线充电到预充电电压执行正常预充电操作，通过将位线连接到感测位线、将互补位线连接到互补感测位线、将大于预充电电压的第一内部电压施加到P型感测放大器以及将小于预充电电压的第二内部电压施加到N型感测放大器来执行第一偏移补偿操作。通过在将第二内部电压施加到N型感测放大器的同时将预充电电压施加到P型感测放大器来执行第二偏移补偿操作。通过将位线与感测位线分离，将互补位线与互补感测位线分离，将感测位线连接到互补感测位线，将预充电电压施加到N型感测放大器执行位线偏移检测操作。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及集成电路装置及操作其的方法，并且更具体地，涉及其中具有感测放大器的集成电路存储器装置以及操作感测放大器的方法。

技术介绍

1、半导体存储器装置可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置(例如，dram或sram)通常具有高的读/写速度，但是当从易失性存储器移除电源时，存储在其中的数据被擦除。相反，非易失性存储器装置即使在到其的电源被中断时也可保持存储在其中的数据。

2、易失性存储器的代表性示例是动态随机存取存储器(dram)。易失性存储器装置(例如，dram)的存储器单元可包括用作开关的一个nmos晶体管和存储电荷(数据)的一个电容器。二进制信息“1”或“0”可与存储在存储器单元中的电容器中的电荷的存在或不存在对应。存储器单元可连接到字线和位线，并且位线可连接到感测放大器。感测放大器可响应于施加到字线的电压而通过位线感测存储在存储器单元中的数据。

3、易失性存储器的存储器单元可连接到位线和互补位线。在易失性存储器中，当读取操作或刷新操作被执行时，位线感测放大器可感测并放大位线与互补位线之间的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种操作用于支持偏移补偿的位线感测放大器的方法，所述位线感测放大器包括：(i)连接到位线和互补位线的N型感测放大器，以及(ii)通过感测位线和互补感测位线连接到N型感测放大器的P型感测放大器，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一偏移补偿操作期间，N型感测放大器支持位线与互补位线之间的偏移电压差的第一偏移补偿比例，而P型感测放大器支持所述偏移电压差的第二偏移补偿比例，第二偏移补偿比例小于第一偏移补偿比例。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在第二偏移补偿操作期间，N型感测放大器支持所述偏移电压差的第三偏移补偿比例，第三偏移补偿比例大于第一...

【技术特征摘要】

1.一种操作用于支持偏移补偿的位线感测放大器的方法，所述位线感测放大器包括：(i)连接到位线和互补位线的n型感测放大器，以及(ii)通过感测位线和互补感测位线连接到n型感测放大器的p型感测放大器，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一偏移补偿操作期间，n型感测放大器支持位线与互补位线之间的偏移电压差的第一偏移补偿比例，而p型感测放大器支持所述偏移电压差的第二偏移补偿比例，第二偏移补偿比例小于第一偏移补偿比例。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在第二偏移补偿操作期间，n型感测放大器支持所述偏移电压差的第三偏移补偿比例，第三偏移补偿比例大于第一偏移补偿比例，而p型感测放大器支持所述偏移电压差的第四偏移补偿比例，第四偏移补偿比例小于第二偏移补偿比例。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，第四偏移补偿比例为10％或更小。

5.根据权利要求1至权利要求4中的任意一项所述的方法，

6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一内部电压通过控制线被施加，并且第二内部电压通过互补控制线被施加。

7.一种操作存储器装置中的位线感测放大器的方法，所述位线感测放大器包括：电结合到位线和互补位线的n型感测放大器，以及通过感测位线和互补感测位线电结合到n型感测放大器的p型感测放大器，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在高电平预充电操作期间，基于第一内部电压将感测位线和互补感测位线的电压增加到指定电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，在第一感测操作期间，感测位线和互补感测位线的电压支持n型感测放大器的第一感测比例和p型感测放大器的第二感测比例；其中，第二感测比例为10％或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东一，徐宁焄，金善瑛，李昊锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：