【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。
技术介绍
1、存储器系统是在诸如计算机或智能电话的主机装置的控制下存储数据的装置。存储器系统可包括存储数据的存储器装置以及控制存储器装置的存储控制器。存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
2、非易失性存储器装置是即使电源被切断也不丢失数据的装置，并且非易失性存储器装置包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存等。
3、编程操作是将数据存储在非易失性存储器装置中所包括的存储器单元中的操作。在编程操作中，编程电压被施加到所选存储器单元以增加阈值电压，并且通过电压被施加到未选存储器单元以防止阈值电压增加。然而，由于通过电压也被施加到未选存储器单元，所以阈值电压不需要增加的未选存储器单元的阈值电压可能由于通过电压而增加。因此，在编程操作期间调节通过电压的大小以不增加未选存储器单元的阈值电压。
技术实现思路
1、根据本公开的实施方式，一种存储器装置可包括：存储器单元串，其包括垂直形成在基板上的第一沟道区域中所包括的第一存储器单元、位于第一沟道区域上的第二沟道区域中所包括的第二存储器单元以及包括在第二沟道区域中并且连接在第一存储器单元和第二存储器单元之间的虚设存储器单元；外围电路，其被配置为执行将数据存储在第一存储器单元和第二存储器单元中的编程操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路在编
2、根据本公开的实施方式，提供了一种操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括垂直形成在基板上的第一沟道区域中所包括的第一存储器单元、位于第一沟道区域上的第二沟道区域中所包括的第二存储器单元以及包括在第二沟道区域中并且连接在第一存储器单元和第二存储器单元之间的虚设存储器单元，所述方法包括以下步骤：将第一通过电压施加到与虚设存储器单元连接的虚设字线，将小于第一通过电压的第二通过电压施加到虚设字线，并且将编程电压施加到与第一存储器单元和第二存储器单元连接的多条字线当中的所选字线。
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1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路将所述第一通过电压施加到所述未选字线，并且将小于所述第一通过电压的第三通过电压施加到所述第一字线组和所述第二字线组当中的不包括所述所选字线的任一个字线组。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第三通过电压施加到所述任一个字线组时将小于所述第一通过电压的第四通过电压施加到包括所述所选字线的另一字线组中所包括的未选字线当中的与所述虚设字线相邻的字线。
5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第三通过电压施加到所述任一个字线组之前将所述第二通过电压施加到所述虚设字线。
6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第三通过电压施加到所述任一个字线组之前将所述编程电压施加到所述所选字线。
7.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路随着所述所选字线的位置越来越接近所述虚设字线而减小施加到所述虚设字线的所述第二通过电压的大小。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多条字线包括连接到所述第一存储器单元的第一字线组和连接到所述第二存储器单元的第二字线组，并且
10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第一通过电压施加到所述虚设字线时将所述第一通过电压施加到所述所选字线。
11.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括垂直形成在基板上的第一沟道区域中所包括的第一存储器单元、位于所述第一沟道区域上的第二沟道区域中所包括的第二存储器单元以及包括在所述第二沟道区域中并且连接在所述第一存储器单元和所述第二存储器单元之间的虚设存储器单元，所述方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多条字线包括连接到所述第一存储器单元的第一字线组和连接到所述第二存储器单元的第二字线组，并且
13.根据权利要求12所述的方法，其中，当所述所选字线被包括在所述第一字线组中时，所述第一通过电压被施加到包括在所述第一字线组和所述第二字线组中的所述未选字线，并且小于所述第一通过电压的第三通过电压被施加到所述第二字线组。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，当所述所选字线被包括在所述第二字线组中时，所述第一通过电压被施加到包括在所述第一字线组和所述第二字线组中的所述未选字线，并且小于所述第一通过电压的第三通过电压被施加到所述第一字线组。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第三通过电压被施加到所述第二字线组时，小于所述第一通过电压的第四通过电压被施加到包括在所述第一字线组中的未选字线当中的与所述虚设字线相邻的字线。
16.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第三通过电压被施加到所述第二字线组之前，所述第二通过电压被施加到所述虚设字线。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述第三通过电压被施加到所述第二字线组之前，所述编程电压被施加到所述所选字线。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，随着所述所选字线越来越接近所述虚设字线，施加到所述第二字线组的所述第三通过电压的大小增加。
19.根据权利要求11所述的方法，其中，随着所述所选字线越来越接近所述虚设字线，施加到所述虚设字线的所述第二通过电压的大小减小。
20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述多条字线包括连接到所述第一存储器单元的第一字线组和连接到所述第二存储器单元的第二字线组，并且
...【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，该存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的存储器装置，
3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路将所述第一通过电压施加到所述未选字线，并且将小于所述第一通过电压的第三通过电压施加到所述第一字线组和所述第二字线组当中的不包括所述所选字线的任一个字线组。
4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第三通过电压施加到所述任一个字线组时将小于所述第一通过电压的第四通过电压施加到包括所述所选字线的另一字线组中所包括的未选字线当中的与所述虚设字线相邻的字线。
5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第三通过电压施加到所述任一个字线组之前将所述第二通过电压施加到所述虚设字线。
6.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第三通过电压施加到所述任一个字线组之前将所述编程电压施加到所述所选字线。
7.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路随着所述所选字线的位置越来越接近所述虚设字线而增加施加到所述任一个字线组的所述第三通过电压的大小。
8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路随着所述所选字线的位置越来越接近所述虚设字线而减小施加到所述虚设字线的所述第二通过电压的大小。
9.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多条字线包括连接到所述第一存储器单元的第一字线组和连接到所述第二存储器单元的第二字线组，并且
10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路在将所述第一通过电压施加到所述虚设字线时将所述第一通过电压施加到所述所选字线。
11.一种操作存储器装置的方法，该存储器装置包括垂直形成在基板上的第一沟道区域中所包括的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴兑训，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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