【技术实现步骤摘要】
本公开的各种实施方式涉及电子装置及其制造方法，并且更具体地，涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、半导体装置的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积确定。近来，随着用于在基板上单层地形成存储器单元的半导体装置的集成度的提高已经达到极限，已经提出了在基板上方层叠存储器单元的三维半导体装置。此外，为了提高这种三维半导体装置的操作可靠性，已经开发了各种结构和制造方法。然而，需要进一步改进以满足对耗能更少的更小、更快、且更可靠的电子装置的不断增长的需求。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种改进的三维半导体装置，以下简称为半导体装置。
2、在一些实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构；沟道结构，其延伸穿过栅极结构；第一供氢层，其设置在栅极结构上，具有第一氢浓度，并且包括氧空位；以及阻氢层，其设置在第一供氢层上并且具有低于第一氢浓度的第二氢浓度。
3、在一些实施方式中，一种半导体装置可以包括：栅极结构；沟道结构，其延伸穿过栅极结构；第一供氢层，其设置在栅极结构上并且具有第一氢浓度；阻氢层，其设置在第一供氢层上并且具有低于第一氢浓度的第二氢浓度；以及第二供氢层，其设置在第一供氢层与阻氢层之间并且具有高于第二氢浓度的第三氢浓度。
4、在一些实施方式中，一种半导体装置的制造方法可以包括：形成包括沟道结构的层叠物；在层叠物上形成包括氧空位的第一供氢层；在第一供氢层上形成阻氢层；以及对阻氢层和第一供氢层进行退火。
5、在一些实施方式中，一种
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1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二供氢层包括氧空位。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
7.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层和所述第二供氢层中的至少一个包括氧空位。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
11.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在对
13.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述第二供氢层包括氧空位。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
16.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，在对所述阻氢层和所述第一供氢层进行退火时，所述第一供氢层中的氢通过所述氧空位供应到所述互连结构。
18.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
19.根据权利要求18所述的制造方法，其中，当对所述阻氢层、所述第二供氢层和所述第一供氢层进行退火时，所述第一供氢层中的氢被供应到所述层叠物。
20.根据权利要求18所述的制造方法，其中，当对所述阻氢层、所述第二供氢层和所述第一供氢层进行退火时，氢从所述第二供氢层穿过所述第一供氢层被供应到所述层叠物。
21.根据权利要求18所述的制造方法，其中，当对所述阻氢层、所述第二供氢层和所述第一供氢层进行退火时，所述阻氢层防止所述第一供氢层或所述第二供氢层中的氢通过所述阻氢层扩散。
22.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述第一供氢层或所述第二供氢层包括氧空位。
23.根据权利要求18所述的制造方法，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
24.根据权利要求18所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
25.根据权利要求24所述的制造方法，其中，当对所述阻氢层、所述第二供氢层和所述第一供氢层进行退火时，所述第一供氢层中的氢被供应到所述互连结构。
26.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
27.根据权利要求26所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
28.根据权利要求27所述的半导体装置，其中，所述第二供氢层具有高于所述第二氢浓度的第三氢浓度。
29.根据权利要求27所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二供氢层包括氧空位。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
7.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层和所述第二供氢层中的至少一个包括氧空位。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：
11.一种半导体装置的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，在对所述阻氢层和所述第一供氢层进行退火时，所述阻氢层防止所述第一供氢层中的氢通过所述阻氢层扩散。
13.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述第二供氢层包括氧空位。
15.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述第一供氢层包括氧化物或氮化物，所述第二供氢层包括氧化物或氮化物，并且所述阻氢层包括氮化物。
16.根据权利要求11所述的制造方法，所述制造方法还包括以下步骤：
17.根据权利要求16所述的制造方法，其中，在对所述阻氢层...
【专利技术属性】
技术研发人员：金铉燮，金善祐，宾真昈，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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