【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体晶体管元件，尤其是涉及一种具有延长的场板(field plate)的横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffused metal oxide semiconductor，ldmos)晶体管元件。
技术介绍
1、横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide-semiconductor，ldmos)元件是一种常见的功率半导体元件。由于横向扩散金属氧化物半导体元件具有水平式的结构，容易制造且易于和现行的半导体技术整合，进而减少制作成本。同时，其可以耐较高的击穿电压而具有高的输出功率，因此被广泛应用于功率转换器(power converter)、功率放大器(power amplifier)、切换开关(switch)、整流器(rectifier)等元件。
2、然而，传统的ldmos仍有一些缺点需要改进，例如元件拥有较高的导通电阻(ron，on-resistance)、关闭电流(ioff)过高、热载流子注入生命周期(hot carrier injectionlife-time)不足等。因此需要提出更进步的ldmos结构以改善上述缺点。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide-semiconductor，ldmos)结构，包含一基底，多个鳍状结构位于基底上，一栅极结构，位于基底上并且跨越多个鳍状结构，以及一栅极接触层，位于栅极结构
2、本专利技术的特征在于，在ldmos结构的栅极上形成栅极接触层，栅极接触层可当作ldmos的场板(field plate)，具有分散电场以及抑制科克效应(kirk effect)的功效。此外本专利技术的栅极接触层还进一步直接连接位于浅沟隔离上的虚设接触结构。在没有增加制作工艺步骤的条件下，可以使场板进一步延长，使电流更加分散并且提高ldmos的品质。根据申请人的实验结果，本专利技术的结构有助于降低关闭电流(ioff)、降低导通电阻(ron)、提高热载流子注入生命周期(hot carrier injection life-time)以及提高击穿电压(vbd)等优点。
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1.一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide-semiconductor，LDMOS)结构，包含：
2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有第一阱区与第二阱区位于该基底中，以及浅沟隔离位于该第二阱区内。
3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该虚设接触结构位于该浅沟隔离上并且直接接触该浅沟隔离。
4.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有源极接触位于该第一阱区上，以及漏极接触位于该第二阱区上。
5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该第一阱区为P型，该第二阱区为N型。
6.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该第一阱区还包含源极区，该第二阱区还包含漏极区。
7.如权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该源极接触电连接至该源极区，该漏极接触电连接至该漏极区。
8.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有虚设栅极结构，位于该
9.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该栅极结构跨越部分该第一阱区以及部分该第二阱区上，且该虚设接触结构位于该栅极结构旁。
10.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该栅极接触层与该虚设接触结构的顶面切齐。
11.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该栅极接触层与该多个鳍状结构都沿着第一方向延伸。
12.如权利要求11所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该虚设接触结构沿第二方向延伸，该第一方向与该第二方向不同。
13.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该多个鳍状结构的所在区域定义为主动区，且该栅极接触层位于该主动区之外。
14.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该多个鳍状结构的所在区域定义为主动区，且该栅极接触层位于该主动区之内。
15.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该栅极接触层与该虚设接触材质相同。
16.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该虚设接触的底面低于该栅极接触层的底面。
...【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide-semiconductor，ldmos)结构，包含：
2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有第一阱区与第二阱区位于该基底中，以及浅沟隔离位于该第二阱区内。
3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该虚设接触结构位于该浅沟隔离上并且直接接触该浅沟隔离。
4.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有源极接触位于该第一阱区上，以及漏极接触位于该第二阱区上。
5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该第一阱区为p型，该第二阱区为n型。
6.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该第一阱区还包含源极区，该第二阱区还包含漏极区。
7.如权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该源极接触电连接至该源极区，该漏极接触电连接至该漏极区。
8.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有虚设栅极结构，位于该虚设接触结构以及该漏极接触之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：林宗翰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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