【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
1、以氮化镓基材料(gan-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,hemt)的方法，其主要先形成一缓冲层于基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一p型半导体层于该阻障层上，形成一栅极电极层于该p型半导体层上，再图案化该栅极电极层以形成一栅极电极，其中该栅极电极包含一倾斜侧壁。
【技术保护点】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该蚀刻制作工艺包含氟。
4.如权利要求1所述的方法，其中该栅极电极包含梯形。
5.如权利要求1所述的方法，其中该栅极电极底表面小于该栅极电极顶表面。
6.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含氮化镓(GaN)。
7.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
8.如权利要求1所述的方法，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。
9.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：
10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极电极包含梯形。
11.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该栅极电极底表面小于该栅极电极顶表面。
12.如权利
13.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该阻障层包含氮化铝镓(AlxGa1-xN)。
14.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该P型半导体层包含P型氮化镓。
...【技术特征摘要】
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)的方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的方法，还包含：
3.如权利要求2所述的方法，其中该蚀刻制作工艺包含氟。
4.如权利要求1所述的方法，其中该栅极电极包含梯形。
5.如权利要求1所述的方法，其中该栅极电极底表面小于该栅极电极顶表面。
6.如权利要求1所述的方法，其中该缓冲层包含氮化镓(gan)。
7.如权利要求1所述的方法，其中该阻障层包含氮化铝镓(alxga1-xn)。
8.如权利要求1所述的方法，其中该p型半导体层...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶治东，张祐嘉，陈柏瑜，王允俊，李瑞池，廖文荣，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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