一种密封的光电元件，包括： －光元件组件，该组件在其一侧面或边缘处具有光界面，并具有用于电连接的区域； －载体，该载体包括绝缘材料，还包括用于安装光元件组件的区域，还包括用于与光元件组件的区域及与外部电连接的导电体； ...

一种在制造半导体器件中的选择刻蚀方法，其特征在于： －在同一半导体材料的晶体衬底（１）上沉积半导体材料的非晶形层（６）； －在非晶形层（６）上沉积至少一层介质层（７），以防止上述非晶形层（６）晶化；以及 －对得到的结构...

一种将一个具有至少一个有源光学表面的晶片安装到一个部件上的方法，例如将一个晶片安装在一个小型光学封壳上，其特征在于，将晶片固定到例如用胶粘在含有至少一个用于与晶片电接触的导体上，晶片的有源表面面向或背离箔片基底；为箔片基底设置用于使箔片...

在一种双极型绝缘体上半导体晶体管器件（１）内，包括位于绝缘体（３）上的半导体晶片例如单晶硅晶片（２）内的发射区（４）、基区（５）、集电区（２）、和集电极接触区（６），基极－发射极和集电极－基极结相对于半导体晶片（２）和绝缘体（３）之间的...

采用腐蚀一个进入到衬底（２０３）的孔，然后，例如靠ＣＶＤ沉积用金属例如钨填充的方法，来制备从半导体元件（２０１）表面进入到衬底（２０３）的低电阻接触（２０５）。此外，将这样的衬底接触定位在一个元件（２０１）或一个模块或一组元件的周围很近...

ＩＣ电路中螺旋电感或线圈（３０５）的品质因子（Ｑ值）通过腐蚀沟槽（３０３）部分去除电感（３０５）下的半导体衬底（３０１）而得以提高，沟槽中被回填绝缘材料。因此，降低了衬底（３０１）引起的损耗，增大了电感（３０５）的谐振频率，扩展了电感的...

一种电阻器，包括多晶硅的电阻器主体和安装在电阻器主体上和／或电阻器主体内的电端子，电阻器主体包括给出电阻器电阻的电端子之间的电阻器部分，为得到所要的电阻器电阻掺杂电阻器部分的多晶硅材料，并且电阻器部分的多晶硅材料中含有氟原子，其特征在于...

一种半导体器件，得到穿过坐标原点的线性电流电压特性及双向结构，包括衬底顶上的绝缘层和所述绝缘层顶上的ｎ型漂移区；所述ｎ型漂移区，在每端形成构成ｐ阱的低掺杂的ｐ型区域，ｐ阱又具有形成源或漏区的重掺杂的ｎ↑［＋］区；所述ｐ阱还包括至少部分ｐ...

一种形成高压ＭＯＳ晶体管结构的器件，包括具有ｎ↑［－］掺杂半导体层（２１）的衬底（２０，５０），ｎ↑［－］半导体层（２１）有第一ｎ↑［＋］掺杂漏区（２３）和ｐ掺杂体（２２），ｐ掺杂体（２２）包含形成源区的第二ｎ↑［＋］掺杂区（２４）和第...

本发明涉及用于微电子系统中的自对准的可变形的高密度并且阻抗可调节的电连接器。本发明解决了同时进行电连接和对准的问题。有一第一部分（２０４）的连接器（２００）由两个金属层结构，一第一信号通路（２１２）和覆盖着Ｖ形凹槽（２０２）的一第一接地...

本发明涉及半导体器件及其制作方法，其中半导体器件完全或部分地以横向扩展方式工作。半导体器件包括至少两个高压横向双极型晶体管和至少两个相互对置的发射区／基区，晶体管安置在外延层表面上，其间的相互距离足以制作中间共用集电区。当向器件施加电压...

一种数字无线电收发信机集成电路包括在数字电路中具有常规阈值电压而至少在一些模拟ＲＦ元件中具有降低的阈值电压的ＭＯＳ晶体管。可以使收发信机的尺寸和重量减小，而不需要性能折衷。

一种通路结构，它是通过在衬底（１）中的通路位置处蚀刻一个通孔（３）并且在孔（３）的倾斜侧壁（８）上设置传输线（２５）获得的。传输线（２５）通过通路（２９）延续至衬底（１）另一表面上的导体（１７），通路（２９）设置在衬底底侧的一个薄膜结构...

制造半导体元件的一种方法，可以提高界定元件各掺杂部位和分隔各掺杂部位的精确度。形状可选择的部位由例如多晶硅组成，起界定待掺杂的一个或多个部位；在敷上掩模之前淀积到元件上。这样可以使掩膜的固定要求不那么严格，只要固定在多晶硅层的部位即可，...

为了避免双极型晶体管中的热击穿，发射极配备了镇流电阻。建议使用长条形镇流电阻，连接其长度的一部分以便获得适当的阻抗和设计灵活性。一方面，建议将发射极（３）分隔成多个发射极部分，并为每个部分提供一个独立的发射极镇流电阻。在优选实施方案中，...

本发明涉及一种在集成电路制造中制造具有金属导电电极的电容器的方法，还涉及电容器自身和集成电路，该集成电路优选用于高频应用。根据本发明，通过在包括最下层衬底和最上层绝缘层（１３）的层状结构（１１）上淀积第一金属层（１５）形成下电极（１７，...

改善沟槽结构上形貌的方法，在沟槽边缘区域中提供例如多晶硅２０过量多晶半导体材料或氮化物或氧化物，如果需要，过量材料的随后氧化防止产生高机械应力区。

材料岛（７）具有包含槽结构的绝缘装置，其中槽结构包括由第二绝缘槽（４’）环绕的第一绝缘槽（４），槽由至少两个横向连接槽（９）连接在一起。

跨越电元件（１）周围的沟槽的导体（１３）电连接到隔离的中间导电区（１５），从而将场强集中移到电元件（１）之外，移到中间导电区（１４）内。这样便可以防止电元件（１）中发生雪崩击穿。

一种硅基硅衬底材料具有使体衬底材料与顶层（７）绝缘的半绝缘内部层（５），其中集成电路要设置在顶层中。该半绝缘层是这样形成的，即通过形成具有肖特基势垒或ｐｎ异质结势垒的亚微米颗粒，并且使颗粒分布得使所形成的围绕相邻颗粒的耗尽区互相重叠。这...